【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，具体而言，涉及一种芯片封装工艺和芯片封装结构。
技术介绍
1、随着半导体行业的快速发展，声表面波滤波器（saw filter）广泛应用于接收机前端以及双工器和接收滤波器。通常saw filter声表面波芯片常采用钽酸锂（litao3）或铌酸锂（linbo3）材质，利用压电材料的压电特性，利用输入与输出换能器（transducer）将电波的输入信号转换成机械能，经过处理后，再把机械能转换成电的信号，以达到过滤不必要的信号及杂讯，提升收讯品质。为保证滤波芯片功能区域不能接触任何物质，即滤波芯片底部需有空腔结构。
2、在设计底部空腔结构时，传统技术saw filter芯片通常采用倒装工艺连接，再利用真空覆膜在芯片背面覆膜，以形成底部空腔，最后再进行塑封。这种方式存在以下缺陷：
3、第一，对于saw filter芯片而言，真空覆膜容易被塑封体的模流冲破，导致破损，从而塑封体模流进入底部空腔，芯片底部功能区域受污染，导致产品性能损坏。
4、第二，传统真空覆膜方式会在所有芯片背面均有覆膜。对于不需要形成底部空腔的芯片而言，其背面覆膜存在塑封体与覆膜结合性差，导致塑封体与覆膜分层的问题。
5、第三，对于不需要形成底部空腔的芯片而言，塑封体模流会冲破对应的覆膜进入并填充这类芯片的底部空腔，这样冲破的残留覆膜容易随模流进入底部空腔，导致底部填充不足，可靠性差。并且，残留覆膜容易附着在芯片凸块和基板的焊接区域，影响封装质量和电连可靠性。
技术实现思
1、本专利技术的目的包括，例如，提供了一种芯片封装工艺和芯片封装结构，其能够在第一芯片底部形成密闭空腔，在第二芯片表面不存在残膜，提高结构可靠性，防止塑封体分层。
2、本专利技术的实施例可以这样实现：
3、第一方面，本专利技术提供一种芯片封装工艺，包括：
4、提供基板，其中，所述基板上设有第一焊盘和第二焊盘；
5、在所述第一焊盘上贴装第一芯片；
6、在所述第二焊盘上贴装第二芯片；
7、在所述第一芯片上贴装覆盖层；其中，将设有胶层的所述覆盖层仅贴装于所述第一芯片远离所述基板的一侧；加热所述胶层；所述胶层在加热后融化，沿所述第一芯片的外周面流向所述基板，以在所述第一芯片和所述基板之间形成密闭空腔；
8、去除所述覆盖层；
9、塑封所述第一芯片和所述第二芯片，其中，塑封料包覆所述第一芯片和所述第二芯片并进入所述第二芯片和所述基板之间的间隙。
10、在可选的实施方式中，将设有胶层的所述覆盖层贴装于所述第一芯片远离所述基板的一侧的步骤包括：
11、在所述覆盖层上形成胶层；
12、根据所述第一芯片的表面尺寸切割所述覆盖层；
13、将切割后的所述覆盖层贴装于所述第一芯片。
14、在可选的实施方式中，塑封所述第一芯片和所述第二芯片的步骤之前，还包括：
15、采用解键合从所述胶层上剥离去除所述覆盖层。
16、在可选的实施方式中，在所述第一芯片和所述基板之间形成密闭空腔的步骤后，保留所述覆盖层，所述覆盖层通过胶层贴附在所述第一芯片表面；塑封所述第一芯片、所述第二芯片和所述覆盖层。
17、在可选的实施方式中，所述覆盖层采用dummy芯片。
18、在可选的实施方式中，提供基板的步骤还包括：
19、在所述基板上形成阻焊层；其中，所述阻焊层设有露出所述第一焊盘和所述第二焊盘的开口。
20、在可选的实施方式中，所述阻焊层和所述第一焊盘之间设有第一间隙w1，所述阻焊层和所述第一芯片之间设有第二间隙h1；其中，w1和h1满足以下关系：
21、0.5w1≤h1≤3w1。
22、在可选的实施方式中，所述第二芯片在所述基板上的投影区域内，所述基板上没有设置所述阻焊层。
23、在可选的实施方式中，所述第二芯片在所述基板上的投影区域内，所述基板上设有所述阻焊层。
24、在可选的实施方式中，所述阻焊层和所述第二焊盘之间设有第三间隙w2。
25、在可选的实施方式中，所述第二芯片和所述阻焊层之间设有第四间隙h2，所述第四间隙大于所述第二间隙h1。
26、在可选的实施方式中，所述阻焊层的厚度大于所述第一焊盘的高度，所述阻焊层的厚度大于所述第二焊盘的高度。
27、在可选的实施方式中，所述第一芯片在所述基板上的投影区域内，所述基板上没有设置所述阻焊层。
28、在可选的实施方式中，提供基板的步骤还包括：
29、所述基板上开设凹槽；
30、在所述凹槽内贴装所述第一芯片。
31、在可选的实施方式中，所述第一芯片靠近所述基板的一侧表面高于或齐平所述基板表面。
32、在可选的实施方式中，所述第一芯片靠近所述基板的一侧表面低于所述基板表面。
33、在可选的实施方式中，所述第一芯片靠近所述基板的一侧表面低于所述基板的表面至少5微米。
34、在可选的实施方式中，所述凹槽的槽壁和所述第一芯片之间的最大距离为l，形成所述密闭空腔的胶层的颗粒直径不小于l。
35、在可选的实施方式中，所述基板上设有阻焊层，所述阻焊层避让所述凹槽设置，或者，所述阻焊层避让所述凹槽和所述第二芯片设置。
36、第二方面，本专利技术提供一种芯片封装结构，采用如前述实施方式中任一项所述的芯片封装工艺制成。
37、本专利技术实施例的有益效果包括，例如：
38、本专利技术实施例提供的芯片封装工艺，只在第一芯片贴装覆盖层，只在第一芯片底部形成密闭空腔，确保第一芯片的正常功能。由于第二芯片没有覆盖层，也没有覆膜，可节约覆盖层的材料和成本，也能解决塑封体和覆膜结合性不好容易分层的问题。并且不会有残留物进入第二芯片底部，可确保第二芯片底部的良好的填充性，提高第二芯片和基板连接的可靠性和稳定性，提高封装质量。
39、本专利技术实施例提供的芯片封装结构，采用上述的芯片封装工艺制成，该结构只在第一芯片底部形成密闭空腔，可提升第二芯片底部的填充性，提高塑封体的结合力，防止塑封体结构分层，提高封装结构的可靠性和封装质量。
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1.一种芯片封装工艺，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装工艺，其特征在于，将设有胶层的所述覆盖层贴装于所述第一芯片远离所述基板的一侧的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的芯片封装工艺，其特征在于，塑封所述第一芯片和所述第二芯片的步骤之前，还包括：
4.根据权利要求1所述的芯片封装工艺，其特征在于，在所述第一芯片和所述基板之间形成密闭空腔的步骤后，保留所述覆盖层，所述覆盖层通过胶层贴附在所述第一芯片表面；塑封所述第一芯片、所述第二芯片和所述覆盖层。
5.根据权利要求1所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述覆盖层采用dummy芯片。
6.根据权利要求1所述的芯片封装工艺，其特征在于，提供基板的步骤还包括：
7.根据权利要求6所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述阻焊层和所述第一焊盘之间设有第一间隙W1，所述阻焊层和所述第一芯片之间设有第二间隙H1；其中，W1和H1满足以下关系：
8.根据权利要求6所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述第二芯片在所述基板上的投影区域内，所述基板上没有设置所述
9.根据权利要求6所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述第二芯片在所述基板上的投影区域内，所述基板上设有所述阻焊层。
10.根据权利要求9所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述阻焊层和所述第二焊盘之间设有第三间隙W2。
11.根据权利要求7所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述第二芯片和所述阻焊层之间设有第四间隙H2，所述第四间隙大于所述第二间隙H1。
12.根据权利要求6所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述阻焊层的厚度大于所述第一焊盘的高度，所述阻焊层的厚度大于所述第二焊盘的高度。
13.根据权利要求6所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述第一芯片在所述基板上的投影区域内，所述基板上没有设置所述阻焊层。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的芯片封装工艺，其特征在于，提供基板的步骤还包括：
15.根据权利要求14所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述第一芯片靠近所述基板的一侧表面高于或齐平所述基板表面。
16.根据权利要求14所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述第一芯片靠近所述基板的一侧表面低于所述基板表面。
17.根据权利要求16所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述第一芯片靠近所述基板的一侧表面低于所述基板的表面至少5微米。
18.根据权利要求16所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述凹槽的槽壁和所述第一芯片之间的最大距离为L，形成所述密闭空腔的胶层的颗粒直径不小于L。
19.根据权利要求14所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述基板上设有阻焊层，所述阻焊层避让所述凹槽设置；或者，所述阻焊层避让所述凹槽和所述第二芯片设置；或者，所述凹槽内设有阻焊层。
20.一种芯片封装结构，其特征在于，采用如权利要求1至19中任一项所述的芯片封装工艺制成。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装工艺，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装工艺，其特征在于，将设有胶层的所述覆盖层贴装于所述第一芯片远离所述基板的一侧的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的芯片封装工艺，其特征在于，塑封所述第一芯片和所述第二芯片的步骤之前，还包括：
4.根据权利要求1所述的芯片封装工艺，其特征在于，在所述第一芯片和所述基板之间形成密闭空腔的步骤后，保留所述覆盖层，所述覆盖层通过胶层贴附在所述第一芯片表面；塑封所述第一芯片、所述第二芯片和所述覆盖层。
5.根据权利要求1所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述覆盖层采用dummy芯片。
6.根据权利要求1所述的芯片封装工艺，其特征在于，提供基板的步骤还包括：
7.根据权利要求6所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述阻焊层和所述第一焊盘之间设有第一间隙w1，所述阻焊层和所述第一芯片之间设有第二间隙h1；其中，w1和h1满足以下关系：
8.根据权利要求6所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述第二芯片在所述基板上的投影区域内，所述基板上没有设置所述阻焊层。
9.根据权利要求6所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述第二芯片在所述基板上的投影区域内，所述基板上设有所述阻焊层。
10.根据权利要求9所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述阻焊层和所述第二焊盘之间设有第三间隙w2。
11.根据权利要求7所述的芯片封装工艺，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐玉鹏，何正鸿，
申请(专利权)人：甬矽电子宁波股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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