多孔极片制备方法和多孔极片制备机构技术

本发明专利技术提供了一种多孔极片制备方法和多孔极片制备机构，其中，所述多孔极片制备方法包括如下步骤：在所述箔材上涂布光刻胶；对所述箔材上的光刻胶的多个孔状区域进行曝光；对所述箔材上的光刻胶进行显影处理，去除未经曝光的光刻胶，得到具有相应于所述孔状区域的光刻胶柱的箔材；在所述箔材上涂布极片活性物质；通过脱模剂去除所述箔材上的光刻胶柱

【技术实现步骤摘要】
多孔极片制备方法和多孔极片制备机构


[0001]本专利技术涉及电池极片制备
，具体地，涉及一种多孔极片制备方法和一种多孔极片制备机构
。

技术介绍

[0002]随着锂离子电池能量密度要求的不断提升，高涂敷
、
高压实密度的极片设计成为一种有效的方法
。
但是，极片的高涂敷
、
高压实密度的特点同时导致电解液不易渗透
、
电芯浸润缓慢；同时在充放电过程中，高涂敷的特点导致锂离子运输路径变长
、
高压实密度的特点导致锂离子传输困难，从而降低了极片的充放电倍率
。
[0003]多孔极片的设计已被证实可以解决以上的问题
。
现有的一种多孔极片制备方式是在浆料中引入造孔剂，另一种制备方式为在极片涂布及压实后采用借助外力的方式（激光或者针刺）对极片进行开孔
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一个方面要解决的技术问题是如何在不降低极片的活性物质比例以及保证极片表面的完整性的基础上制备多孔极片
。
[0005]此外，本专利技术的其它方面还旨在解决或者缓解现有技术中存在的其它技术问题
。
[0006]本专利技术提供了一种多孔极片制备方法和多孔极片制备机构，具体而言，根据本专利技术的一方面，提供了：一种多孔极片制备方法，其中，包括如下步骤：在所述箔材上涂布光刻胶；对所述箔材上的光刻胶的多个孔状区域进行曝光；对所述箔材上的光刻胶进行显影处理，去除未经曝光的光刻胶，得到具有相应于所述孔状区域的光刻胶柱的箔材；在所述箔材上涂布极片活性物质；通过脱模剂去除所述箔材上的光刻胶柱
。
[0007]可选地，根据本专利技术的一种实施方式，在涂布光刻胶之后加热所述箔材上的光刻胶使其固化
。
[0008]可选地，根据本专利技术的一种实施方式，涂布到所述箔材上的光刻胶的厚度大于等于涂布到所述箔材上的极片活性物质的厚度
。
[0009]可选地，根据本专利技术的一种实施方式，涂布到所述箔材上的光刻胶的厚度为1‑
300
μ
m。
[0010]可选地，根据本专利技术的一种实施方式，通过在其圆柱面上开有均匀孔洞的光罩辊对所述箔材上的光刻胶进行曝光
。
[0011]可选地，根据本专利技术的一种实施方式，在涂布极片活性物质之后加热所述箔材上的极片活性物质使其固化
。
[0012]可选地，根据本专利技术的一种实施方式，在通过脱模剂去除所述箔材上的光刻胶柱后，对所述箔材进行烘干和收卷
。
[0013]可选地，根据本专利技术的一种实施方式，所述孔状区域的形状为圆形或矩形
。
[0014]根据本专利技术的另一方面，本专利技术提供了一种多孔极片制备机构，用于执行以上所述的多孔极片制备方法，其特征在于，所述多孔极片制备机构包括依次连接的光阻涂布机构；其对所述箔材进行光刻胶涂布；光罩辊；其对所述箔材上的光刻胶进行曝光，在所述光罩辊的圆柱面上开有多个孔洞；显影机构；其对经过所述光罩辊曝光的箔材上的光刻胶进行显影处理，以去除所述箔材上未经曝光的光刻胶；极片活性物质涂布机构；其对所述箔材进行极片活性物质涂布；脱模机构；其去除所述箔材上剩余的光刻胶
。
[0015]可选地，根据本专利技术的另一方面的一种实施方式，所述多孔极片制备机构还包括：放料机构；其连接在所述光阻涂布机构之前，并输送箔材到所述光阻涂布机构；收卷机构；其连接在所述脱模机构之后，并对所述箔材进行收卷
。
[0016]可选地，根据本专利技术的另一方面的一种实施方式，在所述光阻涂布机构与所述光罩辊之间和
/
或在所述极片活性物质涂布机构与所述脱模机构之间和
/
或在所述脱模机构与所述收卷机构之间布置有烘干机构
。
[0017]本专利技术的有益之处包括：将半导体的黄光制备技术引入到多孔极片的制备方法中，通过光刻胶的部分曝光，在极片上形成需要开孔的区域，使得极片活性物质不被涂布在需要开孔的区域中，并最终通过脱模去除光刻胶，实现在涂布在箔材上的极片活性物质中开孔，操作过程方便，生产效率高，没有采用外力的方式破坏极片表面，同时未改变正负极的活性物质的成分而保留了极片原有的性质
。
附图说明
[0018]参考附图，本专利技术的上述以及其它的特征将变得显而易见，其中，图1示出根据本专利技术的一个实施方式提出的多孔极片制备方法的流程示意图；图2示出根据本专利技术的一个实施方式提出的多孔极片制备机构的光罩辊的示意图；图3示出经曝光后的箔材在显影之后的结构示意图；图4示出箔材在涂布极片活性物质之后的结构示意图；图5示出箔材在脱模之后的结构示意图；图6示出根据本专利技术的一个实施方式提出的多孔极片制备机构的结构示意图
。
具体实施方式
[0019]容易理解，根据本专利技术的技术方案，在不变更本专利技术实质精神的条件下，本领域的一般技术人员可以提出可相互替换的多种结构方式以及实现方式
。
因此，以下具体实施方式以及附图仅是对本专利技术的技术方案的示例性说明，而不应当视为本专利技术的全部或者视为
对本专利技术技术方案的限定或限制
。
[0020]在本说明书中提到或者可能提到的上
、
下
、
左
、
右
、
前
、
后
、
正面
、
背面
、
顶部
、
底部等方位用语是相对于各附图中所示的构造进行定义的，它们是相对的概念，因此有可能会根据其所处不同位置
、
不同使用状态而进行相应地变化
。
所以，也不应当将这些或者其他的方位用语解释为限制性用语
。
此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等或类似表述仅用于描述与区分目的，而不能理解为指示或暗示相应的构件的相对重要性
。
[0021]半导体的黄光制备技术是借助光刻胶在半导体上构型从而进行刻蚀的半导体制备工艺，一般包括光刻胶涂布
、
曝光
、
显影及刻蚀工序
。
黄光制备技术一般在黄光区进行实施，因为光刻胶对其他光的波长比较敏感，黄光照明避免了光辐照后可能产生的光刻胶变性
。
在黄光制备技术中，首先对半导体进行光刻胶涂布，然后对需要刻蚀的区域进行曝光，再通过显影操作将未曝光的光刻胶去除，之后就可以在去除光刻胶的区域中进行刻蚀
。
这种技术可以在极小的尺寸下精确地实现对半导体的刻蚀
。
[0022]在本专利技术的一个实施方式的多孔极片制备方法中，将半导体的黄光制备技术应用到其中
。
参考图1，其示出根据本专利技术的一个实施方式提出的多孔极片制备方法的流程示意图，该多孔极片制备方法包括如下步骤：在所述箔材1上涂布光刻胶；对所述箔材1上的光刻胶的多个孔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种多孔极片制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在所述箔材（1）上涂布光刻胶；对所述箔材（1）上的光刻胶的多个孔状区域（
21
）进行曝光；对所述箔材（1）上的光刻胶进行显影处理，去除未经曝光的光刻胶，得到具有相应于所述孔状区域（
21
）的光刻胶柱（2）的箔材（1）；在所述箔材（1）上涂布极片活性物质（3）；通过脱模剂去除所述箔材（1）上的光刻胶柱（2）
。2.
根据权利要求1所述的多孔极片制备方法，其特征在于，在涂布光刻胶之后加热所述箔材（1）上的光刻胶使其固化
。3.
根据权利要求1所述的多孔极片制备方法，其特征在于，涂布到所述箔材（1）上的光刻胶的厚度大于等于涂布到所述箔材（1）上的极片活性物质（3）的厚度
。4.
根据权利要求1所述的多孔极片制备方法，其特征在于，涂布到所述箔材（1）上的光刻胶的厚度为1‑
300
μ
m。5.
根据权利要求1所述的多孔极片制备方法，其特征在于，通过在其圆柱面上开有均匀孔洞的光罩辊（
300
）对所述箔材（1）上的光刻胶进行曝光
。6.
根据权利要求1所述的多孔极片制备方法，其特征在于，在涂布极片活性物质（3）之后加热所述箔材（1）上的极片活性物质（3）使其固化
。7.
根据权利要求1所述的多孔极片制备方法，其特征在于，在通过脱模剂去除所述箔材（1）上的光刻胶柱（2）后，对所述箔材（1）进行烘干和收卷
。8. 根据权利要求1所述的多孔极片制备方法，其特征在于，所述孔状区域（
21
）的形状为圆形或矩形
。9.
一种多孔极片制备机构（
1000
），用于执行根据权利要求1至8中任一项所述的多孔极片制备方法，其特征在于，所述多孔极片制备机...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾士哲，
申请(专利权)人：蔚来汽车科技安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：