一种水系光刻胶剥离液制造技术

本发明专利技术公开了一种水系光刻胶剥离液，属于半导体生产技术领域

【技术实现步骤摘要】
一种水系光刻胶剥离液


[0001]本专利技术属于半导体生产
，具体涉及一种水系光刻胶剥离液
。

技术介绍

[0002]光刻工艺是半导体以及显示领域制造中最为重要的步骤之一
。
主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片或者其它衬底上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备
。
在光刻过程中，需在衬底上涂一层光刻胶，经紫外线曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，在通过显影后，被曝光的正型光刻胶
(
负型光刻胶为未曝光区被显影去除
)
将被去除，从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上
。
再经过刻蚀过程，实现电路图形由光刻胶转移到衬底上
。
完成上述图案化转移之后，需要将光刻胶及其残余物清洗干净以便进行下一步的操作
。
同时，由于为了减小高世代面板中配线线宽以节省空间，采用电阻率更优的铜配线取代铝配线，但铜配线与玻璃基板的附着力差，通下层需要用选自钼
、
钼合金
、
钛
、
钛合金中的一种材料作为辅助，其中钛及钛合金价格昂贵，钼
、
钼合金的性价比较高
。
[0003]在包含铜配线层和钼
/
钼合金层的基板剥离工序中，现有技术中的光刻胶剥离液存在对钼层腐蚀现象，形成底切，此外由于铜自身性质易氧化导致电阻变化，要求剥离液对钼层和基板不腐蚀减少底切现象并对铜金属膜层仅产生微腐蚀
。
同时，由于有机体系剥离液使用大量的有机极性溶剂，对废液的处理和环境有较大负荷，亟需一种绿色环保的水系剥离液，减少环境污染问题
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种水系光刻胶剥离液，以解决现有技术中剥离液对金属基底的腐蚀性较高的问题；同时该剥离液的废液极易处理，减少环境污染问题
。
[0005]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0006]一种水系光刻胶剥离液，按质量百分比计，其组成成分为极性有机溶剂
35
‑
60
％
、
有机碱1‑
10
％
、
缓蚀剂
0.01
‑
0.25
％
、
余量为高纯水
。
[0007]进一步的，所述极性有机溶剂为
N
‑
甲基甲酰胺
、N
‑
甲基吡咯烷酮
、N、N
‑
二甲基甲酰胺
、
二乙二醇单甲醚
、
二乙二醇单乙醚
、
二乙二醇单丁醚中任意一种或者多种按照任意比例混合
。
[0008]进一步的，所述有机碱为二甘醇胺
、
乙二醇胺
、
二乙醇胺
、
三乙醇胺
、
甲基二乙醇胺
、
羟乙基乙二胺中的任意一种或者多种按照任意比例混合
。
[0009]进一步的，所述缓蚀剂为唑类化合物，优选甲基苯骈三氮唑
、
苯骈三氮唑
、
五氨基四氮唑中的任意一种或者多种按照任意比例混合
。
[0010]本专利技术的有益效果：
[0011]1.
本专利技术提供的一种水系光刻胶剥离液，对金属基板腐蚀性较低，同时由于含有较高组分的高纯水，降低了环保设备处置有机废液的压力，在环境保护方面有积极影响
。
[0012]2.
本专利技术提供的一种水系光刻胶剥离液，在不影响剥离效果和残留的前提下后续
水洗冲洗时间显著减少，大大减少高纯水的用量
。
[0013]3.
本专利技术提供的一种水系光刻胶剥离液，相较于其他相同类型水系产品，本专利技术中水占比更高，在剥离效果不变的情况下使用成本更低
。
附图说明
[0014]下面结合附图对本专利技术作进一步的说明
。
[0015]图1是本专利技术实施例1‑
10
及对比例1的剥离性能评价图
。
具体实施方式
[0016]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0017]实施例1[0018]一种水性光刻胶剥离液，水性光刻胶剥离液由下列组分组成，组分的重量百分比为：二乙二醇单甲醚
30
％，二甘醇胺3％，
N
‑
甲基甲酰胺
25
％，甲基二乙醇胺
2.5
％
、
羟乙基乙二胺
3.5
％，甲基苯骈三氮唑
0.2
％，余量为高纯水
。
[0019]制备方法：将上述原材料称量后在容器中混合均匀
。
[0020]清洗方法：
50
‑
70℃
下，将含有光刻胶的材料进入本专利技术实施例1中清洗
120s
，然后用超纯水冲洗
1mi n
，最后用高纯氮气吹干
。
[0021]清洗效果评价：清洗后使用扫描电镜
(SEM)
观察基板截面和平面，测量膜层厚度，同时查看是否有光刻胶残留，以及对金属材料的腐蚀情况
。
[0022]实施例2[0023]一种水性光刻胶剥离液，水性光刻胶剥离液由下列组分组成，组分的重量百分比为：二乙二醇单甲醚
35
％，乙醇胺5％，
N
‑
甲基甲酰胺
25
％，二乙醇胺3％，甲基苯骈三氮唑
0.05
％，苯骈三氮唑
0.1
％，余量为高纯水
。
[0024]制备
、
清洗方法及清洗效果评价方法同实施例
1。
[0025]实施例3[0026]一种水性光刻胶剥离液，水性光刻胶剥离液由下列组分组成，组分的重量百分比为：二乙二醇单甲醚
30
％，二甘醇胺5％，
N、N
‑
二甲基甲酰胺
30
％，二乙醇胺3％，苯骈三氮唑
0.05
％，余量为高纯水
。
[0027]制备
、
清洗方法及清洗效果评价方法同实施例
1。
[0028]实施例4[0029]一种水性光刻胶剥离液，水性光刻胶剥离液由下列组分组成，组分的重量百分比为：二乙二醇单乙醚
35
％，二甘醇胺5％，
N
‑
甲基吡咯烷酮
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种水系光刻胶剥离液，其特征在于，包括如下重量百分比组成成分，极性有机溶剂
35
‑
60
％
、
有机碱1‑
10
％
、
缓蚀剂
0.01
‑
0.25
％
、
余量为高纯水
。2.
根据权利要求1所述的一种水系光刻胶剥离液，其特征在于，所述极性有机溶剂为
N
‑
甲基甲酰胺
、N
‑
甲基吡咯烷酮
、N、N
‑
二甲基甲酰胺
、
二乙二醇单甲醚
、
二乙二醇单乙醚
、<...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵建国，王维康，黄德新，谢伟，
申请(专利权)人：合肥中聚和成电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：