System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种铜蚀刻液制造技术_技高网

一种铜蚀刻液制造技术

技术编号:40821312 阅读:4 留言:0更新日期:2024-04-01 14:40
本发明专利技术属于蚀刻液技术领域,具体涉及一种铜蚀刻液。该铜蚀刻液的组合物包括如下重量百分比的原料:双氧水10‑28%、双氧水稳定剂0.05‑0.3%、缓蚀剂0.15‑0.4%、螯合剂1‑4%、pH调节剂0.3‑1%、有机醇0.6‑3%、有机碱0.15‑0.75%、余量为水。本发明专利技术通过在铜蚀刻液中添加一定比例的有机醇和有机碱,并对有机醇和有机碱的种类进行优选,促进配方中某些成分与铜离子的络合作用,同时提高络合物的稳定性,进而稳定蚀刻液中各组分的效果,提高蚀刻液的稳定性和安全性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于蚀刻液,具体涉及一种铜蚀刻液


技术介绍

1、随着社会进入全面信息时代,面板行业蓬勃发展,主流电视和显示器的需求不断增大,带动湿电子化学品行业快速增长。其中,铜蚀刻液具有蚀刻精细程度高、反应速度快、使用温度低、散热性好、抗电迁移性显著等优势。

2、铜蚀刻液的组成一般包括双氧水、无机酸或有机酸、添加剂等成分,在蚀刻过程中,会产生大量的铜离子,当铜离子浓度0-5000ppm时,蚀刻的稳定性效果值得信赖,而在铜离子浓度达到5000ppm及以上时,内部体系失衡,双氧水大量快速分解,会出现激烈反应乃至爆炸,严重影响了工业生产的连续性及安全性。

3、公开号为cn113718256a的中国专利文献公开了一种铜蚀刻液,按重量份计含有:有机酸1.0-8.0份;含有羧酸基团的胺类化合物0.1-4.0份;酰胺类表面活性剂0.001-1.0份;有机膦系化合物0.3-3.0份;过氧化氢1-10份;水70.0-99.0份。在一定的浓度范围内,有机酸、含有羧酸基团的胺类化合物、酰胺类表面活性剂、有机膦系化合物、过氧化氢以及水的复配,可以有效地将晶圆上的铜层去除;但是该蚀刻液在不断蚀刻铜层时,蚀刻液中铜离子的浓度不断升高,各组分平衡会发生改变,虽然有机膦系化合物用作过氧化氢稳定剂,抑制过氧化氢分解,延长蚀刻液的使用寿命,但是当铜离子的浓度过高时,该蚀刻液的安全性、稳定性依然会受到影响,因此铜蚀刻液的安全性、稳定性仍是一个巨大的现实问题。


技术实现思路

1、本专利技术的目的之一是提供一种铜蚀刻液,该铜蚀刻液通过添加一定比例的有机醇和有机碱,并对有机醇和有机碱的种类进行优选,促进配方中某些成分与铜离子的络合作用,同时提高络合物的稳定性,进而稳定蚀刻液中各组分的效果,提高蚀刻液的稳定性和安全性。

2、为实现上述目的,本专利技术采用了以下技术方案:一种铜蚀刻液,包括如下重量百分比的原料:双氧水10-28%、双氧水稳定剂0.05-0.3%、缓蚀剂0.15-0.4%、螯合剂1-4%、ph调节剂0.3-1%、有机醇0.6-3%、有机碱0.15-0.75%、余量为水。

3、作为铜蚀刻液进一步的改进:

4、优选的,所述有机醇与有机碱的质量比为(3-6):1。

5、优选的,所述有机醇为山梨醇、1,4-环己烷二甲醇、乙二醇、甲基丙二醇、二乙二醇、芳樟醇和松油醇中两种以上的组合。

6、优选的,所述有机醇由质量比为(6-10):7:(1-2)的1,4-环己烷二甲醇、乙二醇和松油醇混合而得。

7、优选的,所述有机碱为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、苄基三甲基氢氧化铵中的一种或两种以上的组合。

8、优选的,所述双氧水稳定剂为聚氨基酸。

9、优选的,所述聚氨基酸为聚亮氨酸、聚天冬氨酸、聚赖氨酸、聚苏氨酸、聚半胱氨酸和聚谷氨酸中的一种或两种以上的组合。

10、优选的,所述缓蚀剂为5-甲基四氮唑、1-氨基四氮唑、5-疏基-1-甲基四唑和1-苯基-5-疏基四氮唑中的一种或两种以上的组合。

11、优选的,所述螯合剂为柠檬酸、琥珀酸、咖啡酸、植酸、二乙氨基乙醇和二乙烯三胺五甲叉膦酸中的一种或两种以上的组合。

12、优选的,所述ph调节剂为硝酸、氟化氢氨、磷酸和羧基乙酸中的一种或两种以上的组合。

13、本专利技术相比现有技术的有益效果在于:

14、1)本专利技术提供一种铜蚀刻液,组分包括双氧水、双氧水稳定剂、缓蚀剂、螯合剂、ph调节剂、有机醇、有机碱和水,该铜蚀刻液在铜离子浓度为5000-15000ppm时,铜蚀刻液依然表现出优异的稳定性和安全性,刻蚀效果显著,存放时间长,且按配方原料进行混合即得,适合工业化生产和使用。

15、2)本专利技术配方中的螯合剂,其配位原子可以快速、充分地与二价铜离子,以配位键的方式形成稳定的环状螯合物,减少游离的二价铜离子,进而避免铜离子促进双氧水分解,稳定蚀刻液的蚀刻速率,延长蚀刻液的使用寿命。

16、3)本专利技术配方中有机碱、有机醇也可以与铜蚀刻液中的铜离子反应,且有机醇和有机碱在酸性条件下反应生成盐类物质,进一步提高了铜蚀刻液的稳定性。其中,当有机醇和有机碱的质量比为(3-6):1时,整体的络合效果较佳,铜络合物的稳定性较好,从而提高了铜蚀刻液的稳定性。

17、4)当本专利技术配方中有机醇由质量比为(6-10):7:(1-2)的1,4-环己烷二甲醇、乙二醇、松油醇组成时,形成的有机醇中含有环状和双键结构,能够有效增加铜蚀刻液各组分之间的螯合作用,增强螯合剂与铜离子之间的螯合作用,进而提高铜络合物的稳定性。另外,有机醇还能够提高铜络合物的溶解性,对提高铜蚀刻液的安全性以及稳定性具有显著的效果。

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【技术保护点】

1.一种铜蚀刻液,其特征在于,包括如下重量百分比的原料:双氧水10-28%、双氧水稳定剂0.05-0.3%、缓蚀剂0.15-0.4%、螯合剂1-4%、pH调节剂0.3-1%、有机醇0.6-3%、有机碱0.15-0.75%、余量为水。

2.根据权利要求1所述的铜蚀刻液,其特征在于,所述有机醇与有机碱的质量比为(3-6):1。

3.根据权利要求1所述的铜蚀刻液,其特征在于,所述有机醇为山梨醇、1,4-环己烷二甲醇、乙二醇、甲基丙二醇、二乙二醇、芳樟醇和松油醇中两种以上的组合。

4.根据权利要求3所述的铜蚀刻液,其特征在于,所述有机醇由质量比为(6-10):7:(1-2)的1,4-环己烷二甲醇、乙二醇和松油醇混合而得。

5.根据权利要求1或2所述的铜蚀刻液,其特征在于,所述有机碱为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、苄基三甲基氢氧化铵中的一种或两种以上的组合。

6.根据权利要求1所述的铜蚀刻液,其特征在于,所述双氧水稳定剂为聚氨基酸。

7.根据权利要求6所述的铜蚀刻液,其特征在于,所述聚氨基酸为聚亮氨酸、聚天冬氨酸、聚赖氨酸、聚苏氨酸、聚半胱氨酸和聚谷氨酸中的一种或两种以上的组合。

8.根据权利要求1所述的铜蚀刻液,其特征在于,所述缓蚀剂为5-甲基四氮唑、1-氨基四氮唑、5-疏基-1-甲基四唑和1-苯基-5-疏基四氮唑中的一种或两种以上的组合。

9.根据权利要求1所述的铜蚀刻液,其特征在于,所述螯合剂为柠檬酸、琥珀酸、咖啡酸、植酸、二乙氨基乙醇和二乙烯三胺五甲叉膦酸中的一种或两种以上的组合。

10.根据权利要求1所述的铜蚀刻液,其特征在于,所述pH调节剂为硝酸、氟化氢氨、磷酸和羧基乙酸中的一种或两种以上的组合。

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【技术特征摘要】

1.一种铜蚀刻液,其特征在于,包括如下重量百分比的原料:双氧水10-28%、双氧水稳定剂0.05-0.3%、缓蚀剂0.15-0.4%、螯合剂1-4%、ph调节剂0.3-1%、有机醇0.6-3%、有机碱0.15-0.75%、余量为水。

2.根据权利要求1所述的铜蚀刻液,其特征在于,所述有机醇与有机碱的质量比为(3-6):1。

3.根据权利要求1所述的铜蚀刻液,其特征在于,所述有机醇为山梨醇、1,4-环己烷二甲醇、乙二醇、甲基丙二醇、二乙二醇、芳樟醇和松油醇中两种以上的组合。

4.根据权利要求3所述的铜蚀刻液,其特征在于,所述有机醇由质量比为(6-10):7:(1-2)的1,4-环己烷二甲醇、乙二醇和松油醇混合而得。

5.根据权利要求1或2所述的铜蚀刻液,其特征在于,所述有机碱为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四...

【专利技术属性】
技术研发人员:张家明王维康何烨谦黄德新
申请(专利权)人:合肥中聚和成电子材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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