一种一步刻蚀Cu/ITO薄膜的蚀刻液制造技术

本发明专利技术公开了一种一步刻蚀Cu/ITO薄膜的蚀刻液，属于蚀刻液技术领域，蚀刻液包括如下重量百分比原料：过氧化氢12％‑21％；辅氧化剂0.4％‑1.6％；氟化物0.1％‑1.5％；螯合剂2％‑10％；稳定剂0.05％‑1％；缓蚀剂0.35％‑2％；pH调节剂0.1％‑2％；助剂0.05％‑0.2％；余量为水。其中，本发明专利技术核心：辅氧化剂、氟化物之间存在质量关系；螯合剂由质量比为1:4:3‑8的衣康酸、肉桂酸和阿魏酸混合而得；稳定剂为2‑氨基‑2‑羟甲基‑1,3‑丙二醇；缓蚀剂由质量比为3‑10:5的N‑苯基硫脲与甘氨酸混合而得；助剂为槐糖脂。本发明专利技术实现一步完成对两层薄膜结构的蚀刻，且刻蚀效果显著。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于蚀刻液，具体涉及一种一步刻蚀cu/ito薄膜的蚀刻液。

技术介绍

1、在液晶显示器中，阵列的栅极是由两层结构构成，主要包括基底和沉积于该层上表面的金属层；基底的材料通常为氧化铟锡(ito)等材料，起到隔离和黏附作用；金属层通常为铜等金属材料，作为导体。一般地，铜层与ito层分别使用不同的蚀刻液进行刻蚀，需要分两道mask进行曝光，显影，刻蚀，且先刻蚀cu层，再刻蚀ito层，需使用两种不同的蚀刻液进行刻蚀。另外，两步蚀刻法需要增设前蚀刻液的去除、蚀刻界面的清洁以及后蚀刻液的添加等工序，同时mask工序较多，制程周期长，工艺成本高，因此采用新款一步刻蚀cu/ito薄膜的蚀刻液一步刻蚀，能很大程度提高生产效率，降低生产成本。

2、目前，专利cn114231289a公开了一种薄膜蚀刻液，所述薄膜蚀刻液包括以下组分及其含量：主氧化剂1wt％-20wt％；辅氧化剂0.1wt％-10wt％；缓蚀剂0.001wt％-2.5wt％；ph值调节剂0.1wt％-5wt％；表面活性剂0.1wt％-15wt％；以及溶剂余量；其中，所述主氧化剂为硝酸；所述辅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种一步刻蚀Cu/ITO薄膜的蚀刻液，其特征在于，包括如下重量百分比原料：过氧化氢12％-21％；辅氧化剂0.4％-1.6％；氟化物0.1％-1.5％；螯合剂2％-10％；稳定剂0.05％-1％；缓蚀剂0.35％-2％；pH调节剂0.1％-2％；助剂0.05％-0.2％；余量为水；

2.根据权利要求1所述的一种一步刻蚀Cu/ITO薄膜的蚀刻液，其特征在于，所述辅氧化剂为硝酸和/或硫酸。

3.根据权利要求1所述的一种一步刻蚀Cu/ITO薄膜的蚀刻液，其特征在于，所述氟化物为氟化氢、氟化铵、氟化氢铵、氟化钾、氟硼酸铵中的至少一种。

4.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种一步刻蚀cu/ito薄膜的蚀刻液，其特征在于，包括如下重量百分比原料：过氧化氢12％-21％；辅氧化剂0.4％-1.6％；氟化物0.1％-1.5％；螯合剂2％-10％；稳定剂0.05％-1％；缓蚀剂0.35％-2％；ph调节剂0.1％-2％；助剂0.05％-0.2％；余量为水；

2.根据权利要求1所述的一种一步刻蚀cu/ito薄膜的蚀刻液，其特征在于，所述辅氧化剂为硝酸和/或硫酸。

3.根据权利要求1所述的一种一步刻蚀cu/ito薄膜的蚀刻液，其特征在于，所述氟化物为氟化氢、氟化铵、氟化氢铵、氟化钾、氟硼酸铵中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种一步刻蚀cu/ito薄膜的蚀刻液，其特征在于，所述螯合剂为苹果酸、衣康酸、肉桂酸、酒石酸、丙氨酸、阿魏酸中的至少两种。

5.根据权利要求4所述的一种一步刻蚀cu/ito薄膜的蚀刻液，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴际峰，王维康，王锁，黄德新，
申请(专利权)人：合肥中聚和成电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：