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本发明公开了一种一步刻蚀Cu/ITO薄膜的蚀刻液，属于蚀刻液技术领域，蚀刻液包括如下重量百分比原料：过氧化氢12％‑21％；辅氧化剂0.4％‑1.6％；氟化物0.1％‑1.5％；螯合剂2％‑10％；稳定剂0.05％‑1％；缓蚀剂0.35％‑...
该专利属于合肥中聚和成电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥中聚和成电子材料有限公司授权不得商用。

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