发光装置和用于制造发光装置的方法制造方法及图纸

根据本发明专利技术的发光装置包括基板和发光体。发光体具有：由单片化的化合物半导体层形成并以矩阵布置的多个发光元件；以及绝缘体，其中除了发光元件的发光表面之外嵌入多个发光元件。基板具有用于驱动发光元件的驱动电路、用于电连接驱动电路和发光元件的第一端子和第二端子，并且接合至发光体。并且接合至发光体。并且接合至发光体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置和用于制造发光装置的方法


[0001]本公开涉及发光装置和制造发光装置的方法。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了图像显示元件及其制造方法。图像显示元件被配置为使得多个微型发光元件以二维阵列形状布置在驱动电路基板上。微型发光元件是包括化合物半导体的发光二极管(LED)。
[0003]在制造图像显示元件的方法中，化合物半导体通过外延生长形成在生长基板上。化合物半导体在生长基板上被划分成多个片，并且电极等形成在多个化合物半导体处以形成多个微型发光元件。此外，使生长基板与驱动电路基板相对，并且生长基板上的多个微型发光元件接合至驱动电路基板。在它们接合后，移除生长基板。
[0004]引用列表
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利公开第2020
‑
88383号

技术实现思路

[0007]附带地，在通过外延生长形成的化合物半导体处更可能发生晶体缺陷。由此，从制造时的成品率的观点出发，使用小型生长基板。例如，使用尺寸等于或小于6英寸的生长基板。因此，希望开发尺寸比生长基板的尺寸更大的大尺寸发光装置。
[0008]本公开提供了一种使得可以实现尺寸增加的发光装置和制造该发光装置的方法。
[0009]根据本公开的实施方式的发光装置包括发光体和基板。发光体包括多个发光元件和绝缘体，除了多个发光元件的发光表面之外，多个发光元件嵌入在绝缘体中。多个发光元件由单片化的化合物半导体层形成，并且布置在行方向和列方向上。基板包括驱动电路、第一端子和第二端子并且接合至发光体。驱动电路驱动多个发光元件。第一端子和第二端子将驱动电路和多个发光元件彼此电耦合。
[0010]根据本公开的实施方式的制造发光装置的方法包括：形成通过使第一化合物半导体层、有源层和第二化合物半导体层在生长基板上依次生长而获得的化合物半导体层；通过切割生长基板和化合物半导体层来形成单片化的化合物半导体层；使第二化合物半导体层与第一支撑基板的第一接合表面相对并且将化合物半导体层接合至第一接合表面；剥离生长基板；使第一化合物半导体层与第二支撑基板的第二接合表面相对并且将化合物半导体层接合至第二接合表面；移除第一支撑基板；由单片化的化合物半导体层形成多个发光元件；通过在第二支撑基板上的多个发光元件周围形成绝缘体来形成发光体；在发光体介于基板和第二支撑基板之间并且第二化合物半导体层电耦合至第二端子的状态下，将第二支撑基板接合至安装有驱动电路的基板，第一端子和第二端子耦合至驱动电路；移除第二支撑基板；以及将第一化合物半导体层和第一端子彼此电耦合。
附图说明
[0011]图1是根据本公开的第一实施方式的发光装置的示意性截面图。
[0012]图2是放大图1所示的发光装置的主要部分的放大截面图。
[0013]图3是进一步放大图2所示的发光装置的发光元件之间的部分的放大主要部分截面图。
[0014]图4是图1和图2所示的发光装置的透明电极的平面图。
[0015]图5是对应于图1和图2所示的发光装置的图4的反射衰减膜的平面图。
[0016]图6是放大图1所示的发光装置的主要部分的放大截面图。
[0017]图7A是描述根据第一实施方式的制造发光装置的方法的第一处理的截面图。
[0018]图7B是放大图7A所示的第一处理的截面图的主要部分的截面图。
[0019]图8是第二处理的截面图。
[0020]图9A是第三处理的截面图。
[0021]图9B是放大图9A所示的第三处理的截面图的主要部分的截面图。
[0022]图10A是第四处理的截面图。
[0023]图10B是放大图10A所示的第四处理的截面图的主要部分的截面图。
[0024]图11是第五处理的截面图。
[0025]图12是第六处理的截面图。
[0026]图13A是第七处理的截面图。
[0027]图13B是放大图13A所示的第七处理的截面图的主要部分的截面图。
[0028]图14是对应于图7B的第八处理的截面图。
[0029]图15是对应于图7B的第九处理的截面图。
[0030]图16是对应于图7B的第十处理的截面图。
[0031]图17是对应于图7B的第十一处理的截面图。
[0032]图18是对应于图7B的第十二处理的截面图。
[0033]图19是对应于图7B的第十三处理的截面图。
[0034]图20是对应于图7B的第十四处理的截面图。
[0035]图21是对应于图7B的第十五处理的截面图。
[0036]图22是对应于图7B的第十六处理的截面图。
[0037]图23是对应于图7B的第十七处理的截面图。
[0038]图24是对应于图7B的第十八处理的截面图。
[0039]图25是对应于图7B的第十九处理的截面图。
[0040]图26是对应于图7B的第二十处理的截面图。
[0041]图27是对应于图2的根据本公开的第二实施方式的发光装置的放大截面图。
[0042]图28是对应于图3的根据本公开的第三实施方式的发光装置的放大主要部分截面图。
[0043]图29是对应于图3的根据本公开的第四实施方式的发光装置的放大主要部分截面图。
[0044]图30是对应于图3的根据本公开的第五实施方式的发光装置的放大主要部分截面图。
[0045]图31是对应于图3的根据本公开的第六实施方式的发光装置的放大主要部分截面图。
[0046]图32是对应于图2的根据本公开的第七实施方式的发光装置的放大截面图。
[0047]图33是对应于图2的根据本公开的第八实施方式的发光装置的放大截面图。
[0048]图34是对应于图6的根据本公开的第九实施方式的发光装置的放大截面图。
[0049]图35是作为本公开的发光装置的第一应用示例的数码相机的外观示例的正视图。
[0050]图36是图35所示的数码相机的外观示例的后视图。
[0051]图37是作为本公开的发光装置的第二应用示例的头戴式显示器的外观示例的透视图。
[0052]图38是作为本公开的发光装置的第三应用示例的电视设备的外观示例的透视图。
具体实施方式
[0053]以下，将参照附图详细描述根据本公开的实施方式。注意，将按照以下顺序给出描述。
[0054]1.第一实施方式
[0055]第一实施方式是将本技术应用于发光装置和制造发光装置的方法的示例。
[0056]2.第二实施方式
[0057]第二实施方式是改变根据第一实施方式的发光装置中耦合发光元件和驱动电路的结构的示例。
[0058]3.第三至第六实施方式
[0059]第三至第六实施方式是改变根据第一实施方式的发光装置中布置在发光元件之间的反射衰减膜的结构的示例。
[0060]4.第七和第八实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光装置，包括：发光体，包括多个发光元件和绝缘体，除了所述发光元件的发光表面之外，所述多个发光元件嵌入在所述绝缘体中，所述多个发光元件由单片化的化合物半导体层形成并且布置在行方向和列方向上；以及基板，包括驱动电路、第一端子和第二端子并且接合至所述发光体，所述驱动电路驱动所述多个发光元件，所述第一端子和所述第二端子将所述驱动电路和所述多个发光元件彼此电耦合。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述多个发光元件包括发光二极管，所述发光二极管包括第一化合物半导体层、第二化合物半导体层和有源层，所述第一化合物半导体层布置在所述发光表面的一侧上，所述第二化合物半导体层布置在所述基板的一侧上，所述有源层布置在所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层之间。3.根据权利要求2所述的发光装置，还包括：第一光反射膜，沿着所述第一化合物半导体层的侧表面、所述有源层的侧表面、所述第二化合物半导体层的侧表面和所述第二化合物半导体层在所述基板的一侧上的表面设置，所述第一光反射膜具有恒定膜厚度，所述第一光反射膜反射从所述多个发光元件发射的光。4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，所述第一光反射膜包括通过化学气相沉积法或原子层沉积法形成的金属膜或金属化合物膜。5.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：透明电极，布置在所述多个发光元件的发光表面处并且针对所述多个发光元件一体地设置；以及反射衰减膜，至少重叠布置在所述多个发光元件之间的所述透明电极上，所述反射衰减膜在所述反射衰减膜与所述透明电极之间的界面处具有的反射率低于所述透明电极在所述透明电极与绝缘材料之间的界面处的反射率。6.根据权利要求5所述的发光装置，其中，所述反射衰减膜具有导电性，并且电耦合至所述透明电极。7.根据权利要求6所述的发光装置，其中，所述反射衰减膜的一部分被设置为在厚度方向上穿透所述透明电极。8.根据权利要求6所述的发光装置，其中，所述反射衰减膜延伸至所述发光体的外围区域，并且在所述外围区域中，所述反射衰减膜通过贯通布线电耦合至所述第一端子，所述贯通布线穿透所述绝缘体并包括与所述反射衰减膜的导电材料相同的导电材料。9.根据权利要求5所述的发光装置，其中，所述反射衰减膜包括单层膜或组合膜，所述单层膜或所述组合膜包括选自钨、铝、钛、钽、铜和氮化钛的一种或多种材料。10.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：颜色转换层，布置在所述多个发光元件中的每一个的所述发光表面上；以及第二光反射膜，布置在所述颜色转换层的侧表面周围并反射从所述多个发光元件发射的光。11.根据权利要求10所述的发光装置，其中，光学透镜布置在所述颜色转换层上。12.根据权利要求3所述的发光装置，还包括：插头布线，具有在延伸方向上的一个端面
和另一端面，所述一个端面在厚度方向上穿透所述第一光反...

【专利技术属性】
技术研发人员：三浦利仁，长谷川利昭，佐佐木徹，柏原博之，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：