制造电极结构的方法和用于制造电极结构的设备技术

提供一种制造电极结构的方法和用于制造电极结构的设备。该方法可以包括：形成第一栅电极，对形成在第一栅电极上的电极封盖层执行去除处理，在第一栅电极上形成第二栅电极，以及对第二栅电极的上部氮化。及对第二栅电极的上部氮化。及对第二栅电极的上部氮化。

【技术实现步骤摘要】
制造电极结构的方法和用于制造电极结构的设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局分别于2022年5月3日和2022年10月5日提交的韩国专利申请No.10
‑
2022
‑
0055056和No.10
‑
2022
‑
0127180的优先权，它们的全部内容以引用方式并入本文中。


[0003]本公开涉及制造电极结构的方法及用于制造电极结构的设备，特别地，涉及制造半导体装置的电极结构的方法和用于制造电极结构的设备。

技术介绍

[0004]由于半导体装置的小尺寸、多功能和/或低成本特性，半导体装置被认为是电子工业中的重要元件。半导体装置被分类为用于存储数据的半导体存储器装置、用于处理数据的半导体逻辑装置以及包括存储器和逻辑元件两者的混合半导体装置。
[0005]由于对具有快速和/或低功耗的电子装置的需求增加，嵌入在电子装置中的半导体装置需要快的操作速度和/或低的操作电压，并且为了减小电子装置的尺寸，需要增加半导体装置的集成密度。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造电极结构的方法，包括步骤：(a)形成第一栅电极；(b)对形成在所述第一栅电极上的电极封盖层执行去除处理；(c)在所述第一栅电极上形成第二栅电极；以及(d)对所述第二栅电极的上部氮化。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(b)中的去除处理包括蚀刻所述电极封盖层。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述电极封盖层由包括氯原子的蚀刻剂蚀刻。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(b)中的去除处理包括去除所述电极封盖层以暴露所述第一栅电极的顶表面。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(c)包括使用所述第一栅电极的顶表面作为种子来生长所述第二栅电极。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤(d)中的氮化包括在所述第二栅电极上形成界面图案，并且所述界面图案包括氮原子和与所述第二栅电极的材料中的元素中的至少一种相同的元素。7.根据权利要求6所述的方法，还包括：在所述步骤(d)之后，在所述第二栅电极上形成第三栅电极，其中，所述界面图案位于所述第二栅电极和所述第三栅电极之间。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤(d)中的氮化包括：加热所述第二栅电极；以及将界面形成气体提供至所述第二栅电极的上部，并且所述界面形成气体包括氮原子。9.根据权利要求8所述的方法，其中，将所述第二栅电极加热至650℃或更高的温度。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(d)中的氮化包括将氮等离子体提供至所述第二栅电极的上部。11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(b)至所述步骤(d)以原位方式执行。12.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：金度亨，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：