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提供一种制造电极结构的方法和用于制造电极结构的设备。该方法可以包括：形成第一栅电极，对形成在第一栅电极上的电极封盖层执行去除处理，在第一栅电极上形成第二栅电极，以及对第二栅电极的上部氮化。及对第二栅电极的上部氮化。及对第二栅电极的上部氮化。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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