芯片测试方法和装置制造方法及图纸

本公开实施例提供一种芯片测试方法和装置，获取DIB上m行n列的各DUT的测试电压的默认值，确定各DUT按照预设的电压调整步长，从默认值调整到目标值需要的调整步数，各DUT的测试电压的目标值相同，为各DUT配置使能参数，该使能参数包括DUT的调整步数和DQ0的状态；使能各DUT的PDA模式并设定MRS命令，MRS命令中包括DUT的电压调整信息，遍历各列DUT，根据使能参数将共享同一个CS的一列DUT的MRS命令逐一使能。该方法，根据各DUT的测试电压的默认值和目标值，为各DUT分别设置不同的电压调整信息，该电压调整信息包括在MRS命令下，在PDA模式，将各DUT逐一使能，从而能够保证DIB上的各DUT的测试条件一致。测试条件一致。测试条件一致。

【技术实现步骤摘要】
芯片测试方法和装置


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种芯片测试方法和装置。

技术介绍

[0002]同步动态随机存取内存(synchronous dynamic random
‑
access memory，简称SDRAM)是有一个同步接口的DRAM，已被广泛地应用到各种电子设备中。SDRAM从发展到现在已经经历了五代，从最初的SDRAM发展到了现在的DDR4SDRAM(以下简称DDR4)，DDR(双倍速率，Double Data Rate)DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
[0003]在DDR4等芯片制造过程中，对芯片的老化(burn
‑
in)测试是必不可少的。老化板(Burn
‑
In Board，简称DIB)是一种用来测试芯片性能的集成电路板，广泛应用于芯片制造测试中。随着测试成本不断的增加，需要从降低测试时间和增大产品并行测试数量来降低测试成本。尤其是在存储芯片老化测试等时间周期很难降低的过程中，增大并行测试数量显得尤为重要。随着并行测试数量的增加，DIB在设计过程中会将很多待测芯片的控制信号(control signal，简称CS)进行串行走线，多个待测芯片可以共享一个CS信号。
[0004]但是，芯片在出厂时，内部电路会存在一定差异，当同一CS控制的多个待测芯片同时接受相同指令时，会导致该多个待测芯片的测试条件差异较大。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供一种芯片测试方法和装置，可以使得老化板上各待测芯片的测试条件保持一致。
[0006]第一方面，本公开实施例提供一种芯片测试方法，包括：
[0007]获取老化板上的各待测芯片的测试电压的默认值，所述老化板上的各待测芯片排列形成m行n列，其中，每列待测芯片共享一个控制信号；
[0008]确定各待测芯片按照预设的电压调整步长，从所述默认值调整到目标值需要的调整步数，其中，所述老化板上的各待测芯片的测试电压的目标值相同；
[0009]为各待测芯片配置使能参数，所述使能参数包括待测芯片的调整步数和DQ0的状态；
[0010]使能各待测芯片的单片可寻址模式，设定各待测芯片的模式寄存器命令，所述模式寄存器命令中包括待测芯片的电压调整信息，所述电压调整信息用于将待测芯片的测试电压调整到所述目标值；
[0011]遍历所述老化板上的各列待测芯片，根据所述使能参数将共享同一个控制信号的一列待测芯片的模式寄存器命令逐一使能。
[0012]在一种可行的实施方式中，根据所述使能参数将共享同一个控制信号的一列待测芯片的模式寄存器命令逐一使能，包括：
[0013]将调整步数的最小值设置为当前调整步数的初始值；
[0014]从当前列的各待测芯片中确定所述当前调整步数对应的目标待测芯片，所述目标
待测芯片为所述当前列中调整步数与所述当前调整步数相同的待测芯片；
[0015]通过控制DQ0的状态使能所述目标待测芯片，并将所述目标待测芯片的模式寄存器命令发送给所述目标待测芯片；
[0016]当所述当前调整步数不是调整步数的最大值时，将所述当前调整步数增大一个调整步数，返回执行从当前列的各待测芯片中确定当前调整步数对应的目标待测芯片；
[0017]当所述当前调整步数是调整步数的最大值时，切换到下一列待测芯片。
[0018]在一种可行的实施方式中，根据所述使能参数将共享同一个控制信号的一列待测芯片的模式寄存器命令逐一使能，包括：
[0019]将调整步数的最大值设置为当前调整步数的初始值；
[0020]从当前列的各待测芯片中确定所述当前调整步数对应的目标待测芯片，所述目标待测芯片为所述当前列中调整步数与所述当前调整步数相同的待测芯片；
[0021]通过控制DQ0的状态使能所述目标待测芯片，并将所述目标待测芯片的模式寄存器命令发送给所述目标待测芯片；
[0022]当所述当前调整步数不是调整步数的最小值时，将所述当前调整步数减小一个调整步数，返回执行从当前列的各待测芯片中确定当前调整步数对应的目标待测芯片；
[0023]当所述当前调整步数是调整步数的最小值时，切换到下一列待测芯片。
[0024]在一种可行的实施方式中，所述老化板上的待测芯片包括多个控制信号，所述多个控制信号循环切换，所述遍历所述老化板上的各列待测芯片，包括：
[0025]根据所述多个控制信号的循环顺序，依次切换至各列待测芯片。
[0026]在一种可行的实施方式中，n为控制信号数量L的整数倍或者非整数倍。
[0027]在一种可行的实施方式中，遍历所述老化板上的各列待测芯片，包括：
[0028]按照预设的切换顺序，依次切换至各列待测芯片。
[0029]在一种可行的实施方式中，所述为各待测芯片配置使能参数，包括：
[0030]在通用缓冲存储器中为各待测芯片配置所述使能参数；
[0031]所述使能单片可寻址模式，并设定各待测芯片对应的模式寄存器命令，包括：
[0032]所述通用缓冲存储器根据各待测芯片的测试参数，在测试向量中设定各待测芯片对应的模式寄存器命令。
[0033]在一种可行的实施方式中，所述确定各待测芯片按照预设的电压调整步长，从所述默认值调整到目标值需要的调整步数，包括：
[0034]计算各待测芯片的测试电压的默认值和目标值之间的差值；
[0035]根据各待测芯片的差值和电压调整步长，确定各待测芯片从测试电压的默认值调整到目标值需要的调整步数。
[0036]在一种可行的实施方式中，所述根据各待测芯片的差值和电压调整步长，确定各待测芯片从测试电压的默认值调整到目标值需要的调整步数，包括：
[0037]计算所述待测芯片的差值和电压调整步长的比值；
[0038]当所述比值是整数时，确定所述比值为所述待测芯片的调整步数；
[0039]当所述比值不是整数时，对所述比值向上取整或者向下取整，取整得到的数值为所述待测芯片的调整步数。
[0040]在一种可行的实施方式中，所述电压调整信息为待测芯片的测试电压的默认值和
目标值之间的差值。
[0041]在一种可行的实施方式中，所述电压调整信息为待测芯片的调整步数。
[0042]第二方面，本公开实施例提供了一种芯片测试装置，包括：
[0043]获取模块，用于获取老化板上的各待测芯片的测试电压的默认值，所述老化板上的各待测芯片排列形成m行n列，其中，每列待测芯片共享一个控制信号；
[0044]确定模块，用于确定各待测芯片按照预设的电压调整步长，从所述默认值调整到目标值需要的调整步数，其中，所述老化板上的各待测芯片的测试电压的目标值相同；
[0045]配置模块，用于为各待测芯片配置使能参数，所述使能参数包括待测芯片的调整步数和DQ0的状态；
[0046]所述配置模块本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片测试方法，其特征在于，包括：获取老化板上的各待测芯片的测试电压的默认值，所述老化板上的各待测芯片排列形成m行n列，其中，每列待测芯片共享一个控制信号；确定各待测芯片按照预设的电压调整步长，从所述默认值调整到目标值需要的调整步数，其中，所述老化板上的各待测芯片的测试电压的目标值相同；为各待测芯片配置使能参数，所述使能参数包括待测芯片的调整步数和DQ0的状态；使能各待测芯片的单片可寻址模式，设定各待测芯片的模式寄存器命令，所述模式寄存器命令中包括待测芯片的电压调整信息，所述电压调整信息用于将待测芯片的测试电压调整到所述目标值；遍历所述老化板上的各列待测芯片，根据所述使能参数将共享同一个控制信号的一列待测芯片的模式寄存器命令逐一使能。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述使能参数将共享同一个控制信号的一列待测芯片的模式寄存器命令逐一使能，包括：将调整步数的最小值设置为当前调整步数的初始值；从当前列的各待测芯片中确定所述当前调整步数对应的目标待测芯片，所述目标待测芯片为所述当前列中调整步数与所述当前调整步数相同的待测芯片；通过控制DQ0的状态使能所述目标待测芯片，并将所述目标待测芯片的模式寄存器命令发送给所述目标待测芯片；当所述当前调整步数不是调整步数的最大值时，将所述当前调整步数增大一个调整步数，返回执行从当前列的各待测芯片中确定当前调整步数对应的目标待测芯片；当所述当前调整步数是调整步数的最大值时，切换到下一列待测芯片。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述使能参数将共享同一个控制信号的一列待测芯片的模式寄存器命令逐一使能，包括：将调整步数的最大值设置为当前调整步数的初始值；从当前列的各待测芯片中确定所述当前调整步数对应的目标待测芯片，所述目标待测芯片为所述当前列中调整步数与所述当前调整步数相同的待测芯片；通过控制DQ0的状态使能所述目标待测芯片，并将所述目标待测芯片的模式寄存器命令发送给所述目标待测芯片；当所述当前调整步数不是调整步数的最小值时，将所述当前调整步数减小一个调整步数，返回执行从当前列的各待测芯片中确定当前调整步数对应的目标待测芯片；当所述当前调整步数是调整步数的最小值时，切换到下一列待测芯片。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述老化板上的待测芯片包括多个控制信号，所述多个控制信号循环切换，所述遍历所述老化板上的各列待测芯片，包括：根据所述多个控制信号的循环顺序，依次切换至各列待测芯片。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，n为控制信号数量L的整数倍或者非整数倍。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，遍历所述老化板上的各列待测芯片，包括：按照预设的切换顺序，依次切换至各列待测芯片。7.根据权利要求1
‑
6任一项所述的方法，其特征在于，所述为各待测芯片配置使能参
数，包括：在通用缓冲存储器中为各待测芯片配置所述使能参数；所述使能单片可寻址模式，并设定各待测芯片对应的模式寄存器命令，包括：所述通用缓冲存储器根据各待测芯片的测试参数，在测试向量中设定各待测芯片对应的模式寄存器命令。8.根据权利要求1
‑
6任一项所述的方法，其特征在于，所述确定各待测芯片按照预设的电压调整步长，从所述默认值调整到目标值需要的调整步数，包括：计算各待测芯片的测试电压的默认值和目标值之间的差值；根据各待测芯片的差值和电压调整步长，确定各待测芯片从测试电压的默认值调整到目标值需要的调整步数。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述根据各待测芯片的差值和电...

【专利技术属性】
技术研发人员：许兰平，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：