双异质结双极晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种双异质结双极晶体管及其制备方法。该方法包括：在待制备的圆片上制作发射区电极，并基于发射区电极对圆片中的发射区进行湿法腐蚀，以使圆片中发射区和基区之间的第一分界层暴露；在第一分界层的上表面制作基区电极，并基于基区电极，依次对第一分界层和基区进行湿法腐蚀，以使圆片中基区和集电区之间的第二分界层暴露；在第二分界层的上表面制作集电区电极，并基于集电区电极，依次对第二分界层和集电区进行湿法腐蚀，以使圆片中集电区和腐蚀终止层之间的第三分界层暴露；依次对第三分界层、腐蚀终止层和圆片的InP衬底进行湿法腐蚀，得到双异质结双极晶体管。本发明专利技术能够提高器件的性能和隔离度。能够提高器件的性能和隔离度。能够提高器件的性能和隔离度。

【技术实现步骤摘要】
双异质结双极晶体管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种双异质结双极晶体管及其制备方法。

技术介绍

[0002]磷化铟(InP)是一种性能优良的半导体材料，InP双异质结双极型晶体管(Double Heterojunction Bipolar Transistor，DHBT)在高频段的单片放大器和振荡器应用中均有明显的优势。
[0003]现有的InP DHBT通常采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法进行制备或者仅采用湿法腐蚀的方法进行制备。其中，干法刻蚀容易对InP DHBT产生损伤，并且干法刻蚀相比于湿法刻蚀较为昂贵；仅采用湿法腐蚀的方式不会对InP DHBT造成损伤。但是本申请专利技术人发现，当仅采用湿法腐蚀的方式进行小尺寸的InP DHBT时，InP DHBT会出现不充分隔离的情况，限制InP DHBT的最小间距，难以保证InP DHBT的性能和隔离度。
[0004]因此，亟需一种能够提高InP DHBT的性能和隔离度的制备方法。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双异质结双极晶体管制备方法，其特征在于，包括：在待制备的圆片上制作发射区电极，并基于所述发射区电极对所述圆片中的发射区进行湿法腐蚀，以使所述圆片中发射区和基区之间的第一分界层暴露；在所述第一分界层的上表面制作基区电极，并基于所述基区电极，依次对所述第一分界层和所述基区进行湿法腐蚀，以使所述圆片中基区和集电区之间的第二分界层暴露；在所述第二分界层的上表面制作集电区电极，并基于所述集电区电极，依次对第二分界层和所述集电区进行湿法腐蚀，以使所述圆片中集电区和腐蚀终止层之间的第三分界层暴露；依次对所述第三分界层、所述腐蚀终止层和所述圆片的InP衬底进行湿法腐蚀，得到双异质结双极晶体管。2.根据权利要求1所述的双异质结双极晶体管制备方法，其特征在于，所述发射区包括发射区台面帽层和发射区台面InP层；基于所述发射区电极，依次对所述圆片中的发射区进行湿法腐蚀，以使所述圆片中发射区和基区之间的第一分界层暴露，包括：以所述发射区电极作为掩膜层，采用第一腐蚀液对所述发射区台面帽层进行湿法腐蚀；采用第二腐蚀液对所述发射区台面InP层进行湿法腐蚀，并在腐蚀深度达到所述发射区台面InP层的深度时，进行预设时长的过腐蚀处理，以使所述圆片中发射区和基区之间的第一分界层暴露。3.根据权利要求1所述的双异质结双极晶体管制备方法，其特征在于，所述基区包括基区台面帽层和基区台面InP层；基于所述基区电极，依次对所述第一分界层和所述基区进行湿法腐蚀，以使所述圆片中基区和集电区之间的第二分界层暴露，包括：基于所述基区电极涂敷光刻胶，得到第一光刻胶层；以所述第一光刻胶层作为掩膜层，采用第三腐蚀液对所述第一分界层进行湿法腐蚀，并继续腐蚀所述基区台面帽层至预设深度；采用第一腐蚀液对所述基区台面帽层的剩余部分进行湿法腐蚀；采用第二腐蚀液对所述基区台面InP层进行湿法腐蚀，并在腐蚀深度达到所述基区台面InP层的深度时，进行预设时长的过腐蚀处理，以使所述圆片中基区和集电区之间的第二分界层暴露；去除...

【专利技术属性】
技术研发人员：付兴中，陈卓，周国，崔雍，孙虎，胡多凯，高三磊，高昶，王国清，张力江，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：