IGBT器件的制作方法及IGBT器件技术

本发明专利技术提出一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件，制作方法包括：提供一第一硅片和第二硅片；在第一硅片正面制作MOSFET(IGBT正面工艺)、沉积层间介质层；在第二硅片正面沉积第二硬掩膜，将第一硅片正面与第二硅片正面键合。本申请提供的IGBT器件的制作方法，在第一硅片和第二硅片形成键合之后进行第一硅片的背面工艺，此时的第一硅片不再是薄片，IGBT器件可以做到更薄。更薄的IGBT器件可以有效的解决大功率器件的散热问题；同时，在第一硅片背面进行的场终止FS区、集电极P型区制作工艺的稳定性更高。稳定性更高。稳定性更高。

【技术实现步骤摘要】
IGBT器件的制作方法及IGBT器件


[0001]本专利技术属于半导体制作方法
，尤其涉及一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件。

技术介绍

[0002]场终止(Field stop,简称FS)结构的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，导通损耗低、导通压降温度系数为正，使得大功率的器件可并联使用。FS型IGBT具有FS区，其FS区是N型掺杂区，比IGBT中的N
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区掺杂浓度高，其作用是高压下电场强度在该层迅速减少实现电场终止。FS型IGBT包括：IGBT的硅衬底N
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区，FS区，背面P型区，背面金属层以及正面的MOSFET(金属
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氧化物
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半导体场效应晶体管)。目前制作FS型IGBT的方法一般是：首先在硅衬底上制作MOSFET器件，然后用研磨的方法从硅片背面去掉制作MOSFET时留下的残留层和部分硅衬底，然后用离子注入机从硅片的背面注入N型和P型杂质，采用热退火或激光退火激活注入的杂质，形成FS区和集电极区(P型区)；在P型区的下表面淀积金属层。IGBT本身较薄，现有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一第一硅片；在所述第一硅片正面制作MOSFET，在所述MOSFET上沉积层间介质层；在所述层间介质层中形成第一金属连接部；提供一第二硅片；在所述第二硅片正面沉积第二硬掩膜；在所述第二硬掩膜中形成第三金属连接部；将所述第一硅片正面与所述第二硅片正面键合；在所述第一硅片背面制作场终止FS区；在所述第一硅片背面制作集电极P型区；在所述第一硅片背面形成背面金属。2.如权利要求1所述的IGBT器件的制作方法，其特征在于，还包括：对所述第二硅片背面进行化学机械研磨；在所述第二硅片背面形成孔洞，以暴露位于所述第二硬掩膜中的所述第三金属连接部；在所述第二硅片背面及所述孔洞中沉积导电层；在所述导电层上形成一钝化层。3.如权利要求1所述的IGBT器件的制作方法，其特征在于，还包括：对所述第二硅片背面进行化学机械研磨；在所述第二硅片背面形成孔洞，以暴露位于所述第二硬掩膜中的所述第三金属连接部；沿着所述孔洞的侧壁形成阻挡层；移除位于所述孔洞底部的所述阻挡层以暴露所述第三金属连接部；在所述第二硅片背面及所述孔洞中沉积导电层；在所述导电层上形成一钝化层。4.如权利要求2或3所述的IGBT器件的制作方法，其特征在于，所述第二硅片背面研磨至厚度为5
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600μm。5.如权利要求1所述的IGBT器件的制作方法，其特征在于，在所述第一硅片背面制作场终止FS区前，对所述第一硅片背面进行化学机械研磨。6.如权利要求5所述的IGBT器件的制作方法，其特征在于，所述第一硅片背面研磨至厚度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜天才，钟育腾，吕昆谚，黄任生，杨列勇，陈为玉，
申请(专利权)人：物元半导体技术青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：