一种高压IGBT器件的IGBT制备工艺及其IGBT制造技术

本发明专利技术涉及一种高压IGBT器件的IGBT制备工艺以及IGBT、高压IGBT器件。所述制备工艺依次包括：S1、完成IGBT晶圆的正面工艺；其中，终端结构包括多个依次间隔设置的场环，每一场环的宽度均相等并在5.6

【技术实现步骤摘要】
一种高压IGBT器件的IGBT制备工艺及其IGBT


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种高压IGBT器件的IGBT制备工艺及其IGBT。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，又称为绝缘栅双极型晶体管，在其制造工艺中，在晶圆的后侧进行离子注入工艺后，需要通过退火激活所注入的杂质。
[0003]目前，IGBT器件加工工艺中使用的退火工艺普遍采用炉内退火工艺。但是，对于高压(例如3300V)IGBT器件，由于其原材料自身具有较高的电阻，由此导致高压IGBT器件加工工艺中使用炉内退火工艺时存在杂质扩散及晶格退火的限制。例如，在炉内退火工艺中，如果施加正面金属(例如Al)的熔点以上的温度进行炉内退火工艺，则有可能发生金属燃烧的现象，从而使得退火温度无法提高到所需水平，进而导致退火效果不好，进一步影响到所述IGBT器件的特性。
[0004]在现有技术中，IGBT器件的加工工艺中已存在采取激光退火工艺对晶圆背面进行退火，该激光退火工艺由于具有加热时间短、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压IGBT器件的IGBT制备工艺，其特征在于：依次包括如下步骤：S1、完成IGBT晶圆的正面工艺；其中，在所述晶圆的正面形成IGBT的有源区结构和终端结构，所述终端结构包括多个依次间隔设置的场环，每一场环的宽度均相等并在5.6
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6.6um之间，所述场环之间的间隔从靠近有源区结构向远离有源区结构增加；S3、对晶圆背面进行离子注入；S4、对晶圆的背面进行激光退火；S5、在晶圆背面进行金属化处理。2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述场环的数量为21个，所述场环的宽度均为5.6um，所述场环之间的间隔沿着所述IGBT晶圆径向由内向外依次为16.4um、17.4um、18.4um、19.4um、19.4um、20.4um、21.4um、21.9um、23.4um、24.9um、25.4um、26.4um、27.4um、28.4um、29.4um、30.4um、31.4um、32.4um、33.4um、34.4um、35.4um。3.根据权利要求1或2所述的制备工艺，其特征在于：在所述步骤S4中，采取激光波长为1100nm、激光能量密度为2
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【专利技术属性】
技术研发人员：金奉焕，
申请(专利权)人：金奉焕，
类型：发明
国别省市：