温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种高压IGBT器件的IGBT制备工艺以及IGBT、高压IGBT器件。所述制备工艺依次包括：S1、完成IGBT晶圆的正面工艺；其中，终端结构包括多个依次间隔设置的场环，每一场环的宽度均相等并在5.6
...
该专利属于金奉焕所有，仅供学习研究参考，未经过金奉焕授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。