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金奉焕专利技术
金奉焕共有1项专利
一种高压IGBT器件的IGBT制备工艺及其IGBT制造技术
本发明涉及一种高压IGBT器件的IGBT制备工艺以及IGBT、高压IGBT器件。所述制备工艺依次包括:S1、完成IGBT晶圆的正面工艺;其中,终端结构包括多个依次间隔设置的场环,每一场环的宽度均相等并在5.6
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