异质结双极晶体管的制作方法技术

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种异质结双极晶体管的制作方法。该方法包括以下步骤：提供半导体基层；在所述半导体基层上形成基区引出结构，在所述基区引出结构中对应所述集电极区位置处形成第一窗口；在带有所述第一窗口的基区引出结构上形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖在所述基区引出结构的上表面和所述第一窗口的侧面；所述刻蚀阻挡层中氮元素与硅元素之间的比值为5：1；湿法刻蚀未被所述刻蚀阻挡层覆盖的区域形成第二窗口；以所述刻蚀阻挡层为掩膜，选择在所述第二窗口中外延生长形成多晶硅外延层作为基区。本申请通过该异质结双极晶体管的制作方法，可以解决相关技术中掩膜层上会生长形成小丘状的多晶硅的问题。丘状的多晶硅的问题。丘状的多晶硅的问题。

【技术实现步骤摘要】
异质结双极晶体管的制作方法


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种异质结双极晶体管的制作方法。

技术介绍

[0002]由于异质结双极晶体管具有高速、低噪音的特征，其在射频领域有着越来越广泛的应用。
[0003]相关技术中的异质结双极晶体管的基区目前主要采用选择性外延技术或非选择性外延技术形成。其中选择性外延技术是在衬底上的限定区域内进行外延生长的技术，选择性外延技术具有工艺集成简单、工艺完成后的外延层储热较少等优势而被广泛应用。
[0004]但是，相关技术在使用选择性外延技术制作异质结双极晶体管的基区时，出了在限定区域内形成锗化硅外延基区，在用于形成该限定区域的掩膜层上也会生长形成小丘状的锗化硅，不利于器件的性能。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种异质结双极晶体管的制作方法，可以解决相关技术中掩膜层上会生长形成小丘状的多晶硅的问题。
[0006]为了解决
技术介绍
中所述的一种异质结双极晶体管的制作方法，所述异质结双极晶体管的制作方法包括以下步骤：
[0007]提供半导体基层；
[0008]在所述半导体基层上形成基区引出结构，在所述基区引出结构中对应所述集电极区位置处形成第一窗口；
[0009]在带有所述第一窗口的基区引出结构上形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖在所述基区引出结构的上表面和所述第一窗口的侧面；所述刻蚀阻挡层中氮元素与硅元素之间的比值为5：1；
[0010]湿法刻蚀未被所述刻蚀阻挡层覆盖的区域形成第二窗口；
[0011]以所述刻蚀阻挡层为掩膜，选择在所述第二窗口中外延生长形成多晶硅外延层作为基区。
[0012]可选地，所述在带有所述第一窗口的基区引出结构上形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖在所述基区引出结构的上表面和所述第一窗口的侧面；所述刻蚀阻挡层中氮元素与硅元素之间的比值为5：1的步骤包括：
[0013]以80sccm至150sccm的流量通入二氯硅烷气体，以400sccm至750sccm的流量通入氨气，使得在带有所述第一窗口的基区引出结构上形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖在所述基区引出结构的上表面和所述第一窗口的侧面；所述刻蚀阻挡层中氮元素与硅元素之间的比值为5：1。
[0014]可选地，在温度环境600℃至700℃中形成所述刻蚀阻挡层。
[0015]可选地，所述刻蚀阻挡层的厚度范围为200A至300A。
[0016]可选地，所述以所述刻蚀阻挡层为掩膜，选择在所述第二窗口中外延生长形成多晶硅外延层作为基区的步骤，包括：
[0017]在包括45％浓度氯化氢的气体氛围中，以所述刻蚀阻挡层为掩膜，选择在所述第二窗口中外延生长形成多晶硅外延层作为基区。
[0018]可选地，所述半导体基层包括基底层，在所述基底层中通过高掺杂离子注入第一导电类型杂质形成集电极埋层；
[0019]在所述集电区埋层的两侧、连接所述集电区埋层的位置处通过高掺杂离子注入第一导电类型杂质形成集电极引出区，所述集电极引出区从与集电区埋层连接位置处向上延伸；
[0020]在所述集电极埋层上，通过低掺杂离子注入第一导电类型杂质形成集电极区，所述集电极区与集电极埋层接触；
[0021]所述集电极区的两侧形成浅沟槽隔离结构。
[0022]可选地，所述在所述半导体基层上形成基区引出结构，在所述基区引出结构中对应所述集电极区位置处形成第一窗口的步骤中，
[0023]所述基区引出结构包括覆盖在所述半导体基层上的第一介质层、覆盖在所述第一介质层上的基区引出区，以及覆盖在所述基区引出区上的第二介质层；
[0024]所述基区引出结构中对应所述集电极区位置处形成第一窗口，所述第一窗口位置处的基区引出区和第二介质层被刻蚀去除，所述第一介质层从所述第一窗口位置处外露。
[0025]可选地，所述湿法刻蚀未被所述刻蚀阻挡层覆盖的区域形成第二窗口的步骤，包括：湿法刻蚀未被所述刻蚀阻挡层覆盖且从所述第一窗口中外露的第一介质层，在所述第一介质层中形成第二窗口。
[0026]可选地，所述集电极区的上表面从所述第二窗口中外露，所述第二窗口的两侧分别向基所述区引出区底部延伸。
[0027]本申请技术方案，至少包括如下优点：本申请通过使得所述刻蚀阻挡层中氮元素与硅元素之间的比值为5：1以减少该刻蚀阻挡层中悬挂键的数量，使得在进行选择性外延生长基区时，多晶硅无法在刻蚀阻挡层的表面生长。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1示出了的半导体基层的结构；
[0030]图2示出了步骤S2完成后的器件剖视结构示意图；
[0031]图3示出了步骤S3完成后的器件剖视结构示意图；
[0032]图4示出了步骤S4完成后的器件剖视结构示意图；
[0033]图5示出了步骤S5完成后的器件剖视结构示意图；
[0034]图6示出了本申请一实施例提供的异质结双极晶体管制作方法的流程图。
具体实施方式
[0035]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0036]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0037]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0038]此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0039]图6示出了本申请一实施例提供的异质结双极晶体管制作方法的流程图，从图6中可以看出该异质结双极晶体管的制作方法包括以下步骤S1至步骤S6：
[0040]S1：提供半导体基层。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于，所述异质结双极晶体管的制作方法包括以下步骤：提供半导体基层；在所述半导体基层上形成基区引出结构，在所述基区引出结构中对应所述集电极区位置处形成第一窗口；在带有所述第一窗口的基区引出结构上形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖在所述基区引出结构的上表面和所述第一窗口的侧面；所述刻蚀阻挡层中氮元素与硅元素之间的比值为5：1；湿法刻蚀未被所述刻蚀阻挡层覆盖的区域形成第二窗口；以所述刻蚀阻挡层为掩膜，选择在所述第二窗口中外延生长形成多晶硅外延层作为基区。2.如权利要求1所述的异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于，所述在带有所述第一窗口的基区引出结构上形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖在所述基区引出结构的上表面和所述第一窗口的侧面；所述刻蚀阻挡层中氮元素与硅元素之间的比值为5：1的步骤包括：以80sccm至150sccm的流量通入二氯硅烷气体，以400sccm至750sccm的流量通入氨气，使得在带有所述第一窗口的基区引出结构上形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖在所述基区引出结构的上表面和所述第一窗口的侧面；所述刻蚀阻挡层中氮元素与硅元素之间的比值为5：1。3.如权利要求1或2所述的异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于，在温度环境600℃至700℃中形成所述刻蚀阻挡层。4.如权利要求2或3所述的异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度范围为200A至300A。5.如权利要求1所述的异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于，所述以所述刻蚀阻挡层为掩膜，选择在所述第二窗口中外延生长形成多晶硅外延层作为基区的步骤，包括：在包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：马寒骏，高飞，孙伟虎，周康，王勇，彭勇，杨德明，赵正元，张守龙，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：