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本发明提出一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件，制作方法包括：提供一第一硅片和第二硅片；在第一硅片正面制作MOSFET(IGBT正面工艺)、沉积层间介质层；在第二硅片正面沉积第二硬掩膜，将第一硅片正面与第二硅片正面键合。本申请提供的IG...
该专利属于物元半导体技术（青岛）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过物元半导体技术（青岛）有限公司授权不得商用。

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