消除晶圆表面缺陷的方法、装置、介质及晶圆制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种消除晶圆表面缺陷的方法、装置、介质及晶圆制造方法；该消除晶圆表面缺陷的方法包括：获取与直线型缺陷具有数量相关性的关联缺陷类型；从所述关联缺陷类型中确定所述直线型缺陷的成因缺陷；其中，所述成因缺陷为形成所述直线型缺陷的第一产生原因；获取所述直线型缺陷在晶圆加工过程中的第二产生原因；针对所述第一产生原因和第二产生原因，分别生成用于减少所述成因缺陷数量的第一消除措施以及用于指示修改晶圆加工过程中的加工参数的第二消除措施；其中，所述第一消除措施和所述第二消除措施能够减少晶圆表面的直线型缺陷的数量。面的直线型缺陷的数量。面的直线型缺陷的数量。

【技术实现步骤摘要】
消除晶圆表面缺陷的方法、装置、介质及晶圆制造方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体加工
，尤其涉及一种消除晶圆表面缺陷的方法、装置、介质及晶圆制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体制程工艺的不断进步，晶圆上的缺陷对器件性能的影响也越来越大，因此对晶圆的缺陷进行严格的管控变得尤为重要。
[0003]晶圆的表面缺陷会直接影响半导体制程的质量和可靠性，比如半导体制程中的光刻工艺、薄膜沉积、腐蚀和刻蚀工艺以及金属电极制备等。而随着制程工艺的不断发展，已有的晶圆的表面缺陷的管控手段已经变得不够有效，需要采取更加精细和严格的手段控制晶圆表面缺陷。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例期望提供一种消除晶圆表面缺陷的方法、装置、介质及晶圆制造方法；能够降低硅片表面小尺寸缺陷的出现，提高晶圆的质量和可靠性。
[0005]本专利技术实施例的技术方案是这样实现的：
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供了一种消除晶圆表面缺陷的方法，所述方法包括：
[0007]获取与直线型缺陷具有数量相关性的关联缺陷类型；
[0008]从所述关联缺陷类型中确定所述直线型缺陷的成因缺陷；其中，所述成因缺陷为形成所述直线型缺陷的第一产生原因；
[0009]获取所述直线型缺陷在晶圆加工过程中的第二产生原因；
[0010]针对所述第一产生原因和第二产生原因，分别生成用于减少所述成因缺陷数量的第一消除措施以及用于指示修改晶圆加工过程中的加工参数的第二消除措施；其中，所述第一消除措施和所述第二消除措施能够减少晶圆表面的直线型缺陷的数量。
[0011]在一些示例中，在所述缺陷类型对中，所述直线型缺陷的数量与所述成因缺陷的数量呈正相关性。
[0012]在一些示例中，所述成因缺陷为残余物缺陷。
[0013]在一些示例中，所述从所述关联缺陷类型中确定所述直线型缺陷的成因缺陷，包括：
[0014]在晶圆抛光过程中，根据晶圆表面局部位置的微小裂纹内存在的填充物基于抛光产生的高温与所述微小裂纹产生化学、物理反应以形成直线型缺陷，确定所述残余物缺陷为所述直线型缺陷的成因缺陷。
[0015]在一些示例中，所述获取所述直线型缺陷在晶圆加工过程中的第二产生原因，包括：
[0016]在晶圆抛光过程中，将晶圆边缘的抛光颗粒的运动方向与直线型缺陷的方向的一致性确定为所述第二产生原因。
[0017]在一些示例中，所述针对所述第一产生原因和第二产生原因，分别生成用于减少所述成因缺陷数量的第一消除措施以及用于指示修改晶圆加工过程中的加工参数的第二消除措施，包括：
[0018]根据所述第一产生原因，确定所述第一消除措施为通过减少晶圆表面的有机物残余量以减少所述残余物缺陷；
[0019]根据所述第二产生原因，确定所述第二消除措施为改变抛光颗粒在晶圆边缘的运动轨迹。
[0020]在一些示例中，所述第二消除措施，包括：
[0021]在晶圆抛光过程中，采用截球形状的抛光颗粒抛光晶圆表面，以改变抛光颗粒在晶圆边缘的运动轨迹。
[0022]第二方面，本专利技术实施例提供了一种消除晶圆表面缺陷的装置，所述装置包括：
[0023]第一获取部分、确定部分、第二获取部分以及措施生成部分，其中，
[0024]所述第一获取部分，经配置为获取与直线型缺陷具有数量相关性的关联缺陷类型；
[0025]所述确定部分，经配置为从所述关联缺陷类型中确定所述直线型缺陷的成因缺陷；其中，所述成因缺陷为形成所述直线型缺陷的第一产生原因；
[0026]所述第二获取部分，经配置为获取所述直线型缺陷在晶圆加工过程中的第二产生原因；
[0027]所述措施生成部分，经配置为针对所述第一产生原因和第二产生原因，分别生成用于减少所述成因缺陷数量的第一消除措施以及用于指示修改晶圆加工过程中的加工参数的第二消除措施；其中，所述第一消除措施和所述第二消除措施能够减少晶圆表面的直线型缺陷的数量。
[0028]第三方面，本专利技术实施例提供了一种计算设备，所述计算设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现如第一方面以及第一方面中任一示例所述消除晶圆表面缺陷的方法。
[0029]第四方面，本专利技术实施例提供了一种计算机存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现第一方面以及第一方面中任一示例所述的消除晶圆表面缺陷的方法。
[0030]第五方面，本专利技术实施例提供了一种计算机程序产品，该计算机程序产品包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中；电子设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该电子设备执行以实现如第一方面以及第一方面中任一示例所述的消除晶圆表面缺陷的方法。
[0031]第六方面，本专利技术实施例提供了一种晶圆制造方法，所述方法包括：
[0032]根据第一方面以及第一方面中任一示例所述的消除晶圆表面缺陷的方法，确定用于消除直线型缺陷的第一消除措施和第二消除措施；
[0033]在晶圆加工过程中，采用所述第一消除措施和第二消除措施消除所述晶圆表面的直线型缺陷。
[0034]本专利技术实施例提供了一种消除晶圆表面缺陷的方法、装置、介质及晶圆制造方法；基于数量相关性确定直线型缺陷的成因缺陷，通过减少成因缺陷的数量以降低直线型缺陷
数量；并且根据晶圆加工过程中的直线型缺陷的生产机理，修改晶圆加工过程中的加工参数。通过以上两种措施的结合，降低晶圆表面小尺寸缺陷的出现数量，提高晶圆的加工品质。
附图说明
[0035]图1为本专利技术实施例提供的一种消除晶圆表面缺陷的方法流程示意图；
[0036]图2为本专利技术实施例提供的多个抛光晶圆的缺陷合并统计示意图；
[0037]图3为本专利技术实施例提供的两种缺陷的数量相关性示意图；
[0038]图4(A)、(B)为本专利技术实施例提供的残余物缺陷示意图；
[0039]图5为本专利技术实施例提供的直线型缺陷的分布示意图；
[0040]图6为本专利技术实施例提供的抛光设备组成示意图；
[0041]图7为本专利技术实施例提供的抛光颗粒运动方向示意图；
[0042]图8为本专利技术实施例提供的断续的直线型缺陷形貌示意图；
[0043]图9为本专利技术实施例提供的截球形状的抛光颗粒示意图；
[0044]图10为本专利技术实施例提供的一种消除晶圆表面缺陷的装置组成示意图；
[0045]图11为本专利技术实施例提供的一种计算设备的结构示意图；
[0046]图12为本专利技术实施例提供的一种晶圆制造方法流程示意图。
具体实施方式
[0047]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0048]对于晶圆表面的缺陷管控手段能够使得晶圆表面没有存在较大尺寸的缺陷，但是对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种消除晶圆表面缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：获取与直线型缺陷具有数量相关性的关联缺陷类型；从所述关联缺陷类型中确定所述直线型缺陷的成因缺陷；其中，所述成因缺陷为形成所述直线型缺陷的第一产生原因；获取所述直线型缺陷在晶圆加工过程中的第二产生原因；针对所述第一产生原因和第二产生原因，分别生成用于减少所述成因缺陷数量的第一消除措施以及用于指示修改晶圆加工过程中的加工参数的第二消除措施；其中，所述第一消除措施和所述第二消除措施能够减少晶圆表面的直线型缺陷的数量。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述直线型缺陷的数量与所述成因缺陷的数量呈正相关性。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述成因缺陷为残余物缺陷。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述从所述关联缺陷类型中确定所述直线型缺陷的成因缺陷，包括：在晶圆抛光过程中，根据晶圆表面局部位置的微小裂纹内存在的填充物基于抛光产生的高温与所述微小裂纹产生化学、物理反应以形成直线型缺陷，确定所述残余物缺陷为所述直线型缺陷的成因缺陷。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述获取所述直线型缺陷在晶圆加工过程中的第二产生原因，包括：在晶圆抛光过程中，将晶圆边缘的抛光颗粒的运动方向与直线型缺陷的方向的一致性确定为所述第二产生原因。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述针对所述第一产生原因和第二产生原因，分别生成用于减少所述成因缺陷数量的第一消除措施以及用于指示修改晶圆加工过程中的加工参数的第二消除措施，包括：根据所述第一产生原因，确定所述第一消除措施为通过减少晶圆表面的有机物残余量以减少所述残余物缺陷；根据所述第二产生原因，确定所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李安杰，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：