一种晶圆键合设备的压接装置制造方法及图纸

技术编号:39236521 阅读:28 留言:0更新日期:2023-10-30 11:40
本实用新型专利技术涉及晶圆压接键合技术领域,提供了一种晶圆键合设备的压接装置,包括能够沿竖直方向运动的压接轴,压接轴的底面沿其径向由内至外的依次设置有多个压接区,多个压接区均环绕压接轴的周向设置;多个压接区内均设有吸附通道,吸附通道处能够形成负压以吸附待键合的晶圆。本实用新型专利技术通过对压接轴进行改进,在实际键合阶段,第一晶圆和第二晶圆的键合面能够以压接轴的底面中心为起点并沿压接轴的径向由内至外的依次压接键合在一起,基于此种压接键合方式在第一晶圆和第二晶圆的键合面之间形成的键合波将沿压接轴的径向由内至外的依次传递,因此能够有效避免第一晶圆和第二晶圆的键合面之间产生气泡。晶圆的键合面之间产生气泡。晶圆的键合面之间产生气泡。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆键合设备的压接装置


[0001]本技术涉及晶圆压接键合
,具体而言,涉及一种晶圆键合设备的压接装置。

技术介绍

[0002]现有部分SOI键合技术在键合上下两片晶圆时使用的是常温常压键合,所采用的键合设备通常包括承载台、对位机构以及压接轴,其中,承载台用于承载并吸附第一晶圆(即键合时位于下方的晶圆),对位机构则用于对第一晶圆和第二晶圆(即键合时位于上方的晶圆)进行对位,待第一晶圆和第二晶圆对位后,压接轴沿竖直方向向下运动并吸附住第二晶圆,此后对位机构退出,压接轴继续带动第二晶圆沿竖直方向朝第一晶圆所在方向运动,直至第二晶圆的键合面(即键合过程中第一晶圆和第二晶圆接触贴合的一面)与第一晶圆的键合面接触贴合后,压接轴取消对第二晶圆的吸附并向第二晶圆施加一定的压力,以实现在第一晶圆和第二晶圆的键合面之间形成键合波,通过该键合波即可使得第一晶圆和第二晶圆的键合面压接键合在一起。
[0003]然而,采用常温常压键合,在常压状态下,当晶圆的键合面不是理想的平整状态时,若压接轴同时向第二晶圆的所有区域施加一定的压力,在第一晶圆和第二晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合设备的压接装置,包括能够沿竖直方向运动的压接轴,其特征在于,所述压接轴的底面沿其径向由内至外的依次设置有多个压接区,所述多个压接区均环绕所述压接轴的周向设置;所述多个压接区内均设有吸附通道,所述吸附通道处能够形成负压以吸附待键合的晶圆;其中,在键合阶段,沿所述压接轴的径向由内至外,所述多个压接区内的所述吸附通道依次解除对所述待键合的晶圆的吸附。2.根据权利要求1所述的晶圆键合设备的压接装置,其特征在于,所述压接轴的内部还设有与所述压接区一一对应的吸附腔,所述压接区内的所述吸附通道与对应的所述吸附腔连通。3.根据权利要求2所述的晶圆键合设备的压接装置,其特征在于,还包括与吸附腔一一对应的气体管路...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘林何军林镇樟解家剑
申请(专利权)人:环诚智能装备成都有限公司
类型:新型
国别省市:

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