多芯片的封装方法以及封装体技术

本发明专利技术公开了多芯片的封装方法以及封装体，其中，多芯片的封装方法包括：获取到金属框架，利用金属框架对至少两个芯片进行双面贴装以及双面塑封，得到加工板件；分别在加工板件的相对两侧进行线路制备，以制备得到封装体。通过上述方式，本发明专利技术能够实现封装体的小型化与轻便化。提高板级封装的集成度，降低封装内阻，提升产品的可靠性。提升产品的可靠性。提升产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
多芯片的封装方法以及封装体


[0001]本专利技术应用于芯片封装的
，特别是多芯片的封装方法以及封装体。

技术介绍

[0002]芯片封装起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用。
[0003]现有的芯片封装方案比较常规，布线复杂，导致产品尺寸无法做小，同时布线空间受限导致载流能力下降。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了多芯片的封装方法以及封装体，以解决多芯片封装难以减小产品尺寸的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种多芯片的封装方法，包括：获取到金属框架，利用金属框架对至少两个芯片进行双面贴装以及双面塑封，得到加工板件；分别在加工板件的相对两侧进行线路制备，以制备得到封装体。
[0006]其中，分别在加工板件的相对两侧进行线路制备，以制备得到封装体的步骤包括：分别对加工板件的相对两侧进行钻孔，以裸露对应的芯片以及金属框架；对加工板件的相对两侧进行金属化处理，直至在加工板件的相对两侧形成导电金属层；分别对加工板件的相对两侧的导电金属层进行蚀刻，形成第一导电线路，得到主体板件；在主体板件上制备得到封装体。
[0007]其中，在主体板件上制备得到封装体的步骤包括：在主体板件的相对两侧分别压合绝缘层；依次对主体板件至少一侧的绝缘层进行钻孔、电镀以及蚀刻处理，以在主体板件至少一侧制备得到外层板件，以得到封装体。
[0008]其中，获取到金属框架，利用金属框架对至少两个芯片进行双面贴装以及双面塑封，得到加工板件的步骤包括：获取到金属框架；将部分芯片贴装在金属框架的第一侧，并对金属框架的第一侧进行塑封；将剩余部分的芯片贴装在金属框架的第二侧，并对金属框架的第二侧进行塑封，得到加工板件；其中，第二侧为第一侧的相对侧。
[0009]其中，获取到金属框架的步骤还包括：对金属框架进行部分去除，以在金属框架上形成第二导电线路。
[0010]其中，获取到金属框架，利用金属框架对至少两个芯片进行双面贴装以及双面塑封，得到加工板件的步骤还包括：获取到金属框架，并在金属框架上制备多个通孔；从金属框架的第一侧将部分芯片安装在对应的通孔内，并对金属框架的第一侧进行塑封；基于通孔内的芯片的位置在金属框架的第二侧制备导电打底层；其中，第二侧为第一侧的相对侧；将剩余部分芯片安装在导电打底层远离金属框架的一侧，并对金属框架的第二侧进行塑封，得到加工板件。
[0011]其中，从金属框架的一侧将部分芯片安装在对应的通孔内，并对金属框架的一侧进行塑封的步骤包括：在金属框架的第二侧整板贴覆离型膜；从金属框架的第一侧将部分
芯片分别安装至对应的通孔内；其中，芯片的底部与离型膜接触；对金属框架的第一侧进行塑封，并去除离型膜。
[0012]其中，在金属框架上制备多个通孔还包括：对金属框架进行部分去除，以在金属框架上形成第二导电线路；基于通孔内的芯片的位置在金属框架的第二侧制备导电打底层的步骤包括：对金属框架的第二侧进行整板金属化，直至形成导电金属层；基于第二导电线路的位置对导电金属层进行蚀刻，并保留通孔内芯片对应的导电金属层，得到导电打底层。
[0013]其中，获取到金属框架，利用金属框架对至少两个芯片进行双面贴装以及双面塑封，得到加工板件的步骤还包括：获取到金属框架，在金属框架的第一侧制备多个凹槽；将部分芯片安装在对应的凹槽内，并对金属框架的第一侧进行塑封；将剩余部分芯片安装在金属框架的第二侧，并对金属框架的第二侧进行塑封，得到加工板件；其中，第二侧为第一侧的相对侧。
[0014]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种封装体，封装体由上述任一项的多芯片的封装方法制备得到，包括：金属框架；至少两个芯片，至少两个芯片基于金属框架相对设置；塑封层，塑封层塑封金属框架相对两侧，并包裹至少两个芯片。
[0015]为解决上述技术问题，本专利技术的多芯片的封装方法通过获取到金属框架，利用金属框架对至少两个芯片进行双面贴装以及双面塑封，得到加工板件；分别在加工板件的相对两侧进行线路制备，以制备得到封装体，从而通过对多芯片进行双面贴装以及双面塑封，实现多芯片的层叠且竖向重合设置，进而减小最终形成的封装体的尺寸，实现封装体的小型化与轻便化。提高板级封装的集成度，降低封装内阻，提升产品的可靠性。
附图说明
[0016]图1是本专利技术提供的多芯片的封装方法第一实施例的流程示意图；
[0017]图2是本专利技术提供的多芯片的封装方法第二实施例的流程示意图；
[0018]图3是图2实施例中封装体的制备流程图；
[0019]图4是本专利技术提供的加工板件的制备方法一实施例的流程示意图；
[0020]图5是图4实施例中加工板件的制备流程图；
[0021]图6是本专利技术提供的加工板件的制备方法另一实施例的流程示意图；
[0022]图7是图6实施例中加工板件的制备流程图；
[0023]图8是本专利技术提供的封装体第一实施例的结构示意图；
[0024]图9是本专利技术提供的封装体第二实施例的结构示意图；
[0025]图10是本专利技术提供的封装体第三实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0026]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本专利技术保护的范围。
[0027]需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、
运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0028]另外，若本专利技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。
[0029]请参阅图1，图1是本专利技术提供的多芯片的封装方法第一实施例的流程示意图。
[0030]步骤S11：获取到金属框架，利用金属框架对至少两个芯片进行双面贴装以及双面塑封，得到加工板件。
[0031]获取到金属框架，在一个具体的应用场景中，金属框架可以包括铜框架、铝框架、银框架、合金框架或其他金属导电框架。在另一个具体的应用场景中，金属框架还可以包括具有电气功能的PCB(印制线路板)基板，以实现双面贴装的芯片之间的电连接。
[0032]利用金属框架对至少两个芯片进行双面贴装以及双面塑封，得到加工板件。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多芯片的封装方法，其特征在于，所述多芯片的封装方法包括：获取到金属框架，利用所述金属框架对至少两个芯片进行双面贴装以及双面塑封，得到加工板件；分别在所述加工板件的相对两侧进行线路制备，以制备得到封装体。2.根据权利要求1所述的多芯片的封装方法，其特征在于，所述分别在所述加工板件的相对两侧进行线路制备，以制备得到封装体的步骤包括：分别对所述加工板件的相对两侧进行钻孔，以裸露对应的芯片以及金属框架；对所述加工板件的相对两侧进行金属化处理，直至在所述加工板件的相对两侧形成导电金属层；分别对所述加工板件的相对两侧的导电金属层进行蚀刻，形成第一导电线路，得到主体板件；在所述主体板件上制备得到封装体。3.根据权利要求2所述的多芯片的封装方法，其特征在于，所述在所述主体板件上制备得到封装体的步骤包括：在所述主体板件的相对两侧分别压合绝缘层；依次对所述主体板件至少一侧的绝缘层进行钻孔、电镀以及蚀刻处理，以在所述主体板件至少一侧制备得到外层板件，以得到封装体。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的多芯片的封装方法，其特征在于，所述获取到金属框架，利用所述金属框架对至少两个芯片进行双面贴装以及双面塑封，得到加工板件的步骤包括：获取到金属框架；将部分所述芯片贴装在所述金属框架的第一侧，并对所述金属框架的第一侧进行塑封；将剩余部分的所述芯片贴装在所述金属框架的第二侧，并对所述金属框架的第二侧进行塑封，得到所述加工板件；其中，所述第二侧为第一侧的相对侧。5.根据权利要求4所述的多芯片的封装方法，其特征在于，所述获取到金属框架的步骤还包括：对所述金属框架进行部分去除，以在所述金属框架上形成第二导电线路。6.根据权利要求1
‑
3任一项所述的多芯片的封装方法，其特征在于，所述获取到金属框架，利用所述金属框架对至少两个芯片进行双面贴装以及双面塑封，得到加工板件的步骤还包括：获取到金属框架，并在所述金属框架上制备多个通孔；从金属框架的第一侧将部分所述芯片安装在对应的所述通...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟仕杰，宋关强，周亚军，李俞虹，雷云，
申请(专利权)人：天芯互联科技有限公司，
类型：发明
国别省市：