真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法及传送装置、存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法及传送装置、存储介质，晶圆传送方法应用于晶圆传送装置，晶圆传送装置包括机械手，机械手具有中心线；晶圆传送方法包括：控制机械手夹持第一晶圆和第二晶圆，并使第一晶圆和第二晶圆各自到机械手的中心线的距离相同，且第一晶圆和第二晶圆在平行中心线的方向上的位置不同；控制机械手驱使第一晶圆和第二晶圆均围绕中心线转动，并使第一晶圆和第二晶圆在平行中心线的方向上无交叠。本发明专利技术通过控制使机械手夹持的两片晶圆在平行机械手中心线的方向上无交叠，来避免其中一片晶圆的夹持结构掉落颗粒物到另一片晶圆的表面，以保证晶圆的洁净度。的洁净度。的洁净度。

【技术实现步骤摘要】
真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法及传送装置、存储介质


[0001]本专利技术涉及晶圆加工设备
，特别涉及一种真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法及传送装置、存储介质。

技术介绍

[0002]物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。PVD沉积工艺在半导体制造中常用于为各种逻辑器件和存储器件制作超薄、超纯金属和过渡金属氮化物薄膜，PVD沉积工艺是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术之一。现在有利用PVD技术对各种逻辑器件和存储器件进行镀膜的真空镀膜机，真空镀膜机主要是在较高真空度下进行镀膜，镀的材料为靶材，对零件进行镀膜。物理气相沉积的主要方法有真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀膜、离子镀膜和分子束外延等，相应的真空镀膜设备包括真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机。其中，真空溅射镀膜机的基本原理是:将反应气体输送至反应腔室内，并对靶材施加电偏压，以形成高能粒子轰击靶材，从而被溅射出的材料沉积在衬底上形成工艺所需的薄膜。
[0003]目前有多腔体的真空溅射镀膜机，由于可以提高工作效率，应用十分广泛。多腔体的真空溅射镀膜机中设有多个工作腔室以及传送机构，传送机构用于输送物料(比如晶圆等)，将物料从一个工作腔室传送到另一个工作腔室。传送机构通常包括机械手，通过机械手来夹持物料。一个机械手一般夹持两片晶圆，机械手具有中心线，两片晶圆在中心线上的垂向投影的位置不同，通常是一上一下，且两片晶圆可围绕中心线自由旋转。以铜互连工艺为例，铜互连工艺中常常也使用到多腔体的真空溅射镀膜机，真空溅射镀膜机通过机械手夹持晶圆从而在多个工作腔室之间运送，在运送过程中保护晶圆不受颗粒物的影响是非常重要的。而在机械手对晶圆进行传输的过程中，两片晶圆是可以围绕机械手的中心线自由旋转的，因此两片晶圆难免有上下交叠的时候，当两片晶圆上下有交叠时，由于重力原因，上方晶圆的夹持结构容易掉落颗粒物到下方晶圆的表面，使得下方的晶圆的洁净度受到影响，从而影响晶圆加工后的质量甚至使晶圆报废，导致产品的良率降低，产品的生产成本难以控制。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法及传送装置、存储介质，目的在于避免其中一片晶圆的夹持结构掉落颗粒物到另一片晶圆的表面，以保证晶圆的洁净度。
[0005]为了达到上述目的，基于本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法，其包括：
[0006]控制机械手夹持第一晶圆和第二晶圆，并使所述第一晶圆和所述第二晶圆各自到
所述机械手的中心线的距离相同，且所述第一晶圆和所述第二晶圆在平行所述中心线的方向上的位置不同；
[0007]控制所述机械手驱使所述第一晶圆和所述第二晶圆均围绕所述中心线转动，并使所述第一晶圆和所述第二晶圆在平行所述中心线的方向上无交叠。
[0008]可选的，所述机械手包括围绕所述中心线排布的第一机械臂和第二机械臂，所述方法包括：利用所述第一机械臂夹持所述第一晶圆以及利用所述第一机械臂带动所述第一晶圆转动，利用所述第二机械臂夹持所述第二晶圆以及利用所述第二机械臂带动所述第二晶圆转动。
[0009]可选的，所述第一晶圆和所述第二晶圆围绕所述中心线的夹角大于90
°
。
[0010]可选的，所述第一晶圆和所述第二晶圆围绕所述中心线的夹角保持不变；或者，所述第一晶圆和所述第二晶圆围绕所述中心线的夹角可变。
[0011]基于本专利技术的另一个方面，本专利技术还提供一种真空溅射镀膜机台的晶圆传送装置，其包括：
[0012]机械手，其用于夹持第一晶圆和第二晶圆，并使所述第一晶圆和所述第二晶圆各自到所述机械手的中心线的距离相同，且所述第一晶圆和所述第二晶圆在平行所述中心线的方向上的位置不同；
[0013]控制器，其用于控制所述机械手驱使所述第一晶圆和所述第二晶圆均围绕所述中心线转动，并使所述第一晶圆和所述第二晶圆在平行所述中心线的方向上无交叠。
[0014]可选的，所述机械手包括第一机械臂和第二机械臂，所述第一机械臂和所述第二机械臂各自的一端均在所述中心线上，所述第一机械臂的另一端用于夹持所述第一晶圆，所述第二机械臂的另一端用于夹持所述第二晶圆，所述第一机械臂和所述第二机械臂均可围绕所述中心线转动。
[0015]可选的，所述晶圆传送装置至少具有两套所述机械手。
[0016]可选的，所述控制器控制所述机械手以使所述第一晶圆和所述第二晶圆围绕所述中心线的夹角大于90
°
。
[0017]可选的，所述控制器控制所述机械手以使所述第一晶圆和所述第二晶圆围绕所述中心线的夹角保持不变；或者，所述控制器控制所述机械手以使所述第一晶圆和所述第二晶圆围绕所述中心线的夹角可变。
[0018]基于本专利技术的再一个方面，本专利技术还提供一种存储介质，所述存储介质上存储有可被读写的程序，所述程序被执行时晶圆传送装置能够实现如上所述的晶圆传送方法。
[0019]如上配置，在晶圆传送过程中，比如在真空溅射镀膜机台的各个工作腔室之间传送，通过控制晶圆传送装置的机械手，使机械手夹持的第一晶圆和第二晶圆在平行机械手中心线的方向上无交叠，来避免其中一片晶圆的夹持结构掉落颗粒物到另一片晶圆的表面。本专利技术可以保护晶圆在被机械手运送过程中不被颗粒物污染，以保证晶圆的洁净度，进而使晶圆加工后的质量得到提升，提高产品的良率，产品的生产成本得以控制。
[0020]需要说明的是，真空溅射镀膜机台的晶圆传送装置和晶圆传送方法属于同一个专利技术构思，具有相同或者相应的特定技术特征，所以晶圆传送装置也具有晶圆传送方法的技术效果，这里不再重复说明。
附图说明
[0021]本领域的普通技术人员应当理解，提供的附图用于更好地理解本专利技术，而不对本专利技术的范围构成任何限定。其中：
[0022]图1为本专利技术一实施例的真空溅射镀膜机台的晶圆传送装置的示意图；
[0023]图2为本专利技术一实施例的真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法的示意图。
[0024]其中，附图标记如下：
[0025]10
‑
真空溅射镀膜机台；20
‑
机械手；21
‑
第一机械臂；22
‑
第二机械臂；31
‑
第一晶圆；32
‑
第二晶圆；A
‑
中心线。
具体实施方式
[0026]在本文中，除非另有说明，术语“上”“下”“左”“右”“内”“外”“前”“后”“顶”“底”等用于基于附图指示方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特点的方位和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0027]下面将结合示意图对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法，其特征在于，包括：控制机械手夹持第一晶圆和第二晶圆，并使所述第一晶圆和所述第二晶圆各自到所述机械手的中心线的距离相同，且所述第一晶圆和所述第二晶圆在平行所述中心线的方向上的位置不同；控制所述机械手驱使所述第一晶圆和所述第二晶圆均围绕所述中心线转动，并使所述第一晶圆和所述第二晶圆在平行所述中心线的方向上无交叠。2.如权利要求1所述的真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法，其特征在于，所述机械手包括围绕所述中心线排布的第一机械臂和第二机械臂，所述晶圆传送方法包括：利用所述第一机械臂夹持所述第一晶圆以及利用所述第一机械臂带动所述第一晶圆转动，利用所述第二机械臂夹持所述第二晶圆以及利用所述第二机械臂带动所述第二晶圆转动。3.如权利要求1所述的真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法，其特征在于，所述第一晶圆和所述第二晶圆围绕所述中心线的夹角大于90
°
。4.如权利要求1所述的真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法，其特征在于，所述第一晶圆和所述第二晶圆围绕所述中心线的夹角保持不变；或者，所述第一晶圆和所述第二晶圆围绕所述中心线的夹角可变。5.一种真空溅射镀膜机台的晶圆传送装置，其特征在于，包括：机械手，其用于夹持第一晶圆和第二晶圆，并使所述第一晶圆和所述第二晶圆各自到所述机械手的中心线的距离相同，且所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张小舟，胡彬彬，顾云，吴青山，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：