一种电子级六氟化钨纯化装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电子级六氟化钨纯化装置，包括：加热管，用于将六氟化钨混合气加热至150℃

【技术实现步骤摘要】
一种电子级六氟化钨纯化装置


[0001]本专利技术涉及提纯
，具体是一种电子级六氟化钨纯化装置。

技术介绍

[0002]目前合成的WF6内往往含有较多杂质，其杂质成分根据其挥发性质分为可挥发杂质和不可挥发杂质。不可挥发杂质诸如钾、钠、铬等金属杂质，将制取的初级WF6通入填制精馏塔进行精馏去除不可挥发杂质。可挥发杂质如二氧化碳、氮气、一氧化碳，氢化氟等气体，可根据气体沸点不同，去除可挥发气体杂质。
[0003]而目前国内WF6工业化生产纯度低，产量小，满足不了日益增长的高纯度WF6需求的问题，因此需重点进行WF6合成工艺研发及产品纯化等技术的研究，以及难去除的Mo金属杂质的分离技术研究，制备出高纯度的电子级WF6产品；
[0004]究其原因，Mo金属杂质在WF6的生产工艺中，是最具挑战的部分，因为这类金属离子和氟离子结合之后，生成的化合物往往为MoF6，其熔点为17.5℃，沸点为34℃，且它在熔点附近有较高的蒸汽压，而WF6的熔点为2.3℃，沸点为17.5℃，因此，二者很难分离，并且分离处理效果一般。
[0005]因此，有必要提供一种电子级六氟化钨纯化装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

技术实现思路

[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种电子级六氟化钨纯化装置，包括：
[0007]加热管，用于将六氟化钨混合气加热至150℃
‑
400℃；
[0008]缓冲罐，其一端与所述加热管相连通，另一端设置有连通管；
[0009]还原塔，其底部与所述连通管相连通，顶部设置有排气管；以及
[0010]填料管，且设置于所述还原塔中，且为透气结构并使得六氟化钨混合气仅能够穿过填料管从排气管排出，所述填料管中填充有钨粒，所述填料管能够根据六氟化钨混合气的进气量自动排出已使用的钨粒并填充补充新的钨粒。
[0011]进一步，作为优选，所述填料管的上方开口采用进料管与填料供给仓相连，所述填料管的下方开口采用排料管与收集仓相连通，所述收集仓的底部设置有拦截膜，用于拦截固体颗粒，所述收集仓的底部采用回流管与还原塔相连通。
[0012]进一步，作为优选，所述填料管为蛇形，其包括多个依次交替串联的近水平管体和弯管，位于最底部的近水平管体采用弯管与水平管体相连，其中所述近水平管体与水平面之间的夹角为3
°‑
12
°
。
[0013]进一步，作为优选，所述近水平管体和水平管体中均转动设置有绞龙，所述绞龙的长度占近水平管体或水平管体长度的1/6
‑
1/3。
[0014]进一步，作为优选，所述还原塔的内侧设置有动力仓，所述绞龙的轴体伸入至动力
仓中且固定有从动轮，所述还原塔中还转动设置有靠近于连通管出气口的风轮，所述风轮由所述连通管排出的气体驱动，所述风轮上固定有转轴，所述转轴伸入动力仓中且固定有主动轮，所述主动轮采用链条与多个从动轮传动相连。
[0015]进一步，作为优选，所述主动轮能够驱动所述从动轮做减速运动。
[0016]进一步，作为优选，所述近水平管体和水平管体均被分隔为至少两段，相邻两段近水平管体之间、相邻两段水平管体之间均连接有弹性管。
[0017]进一步，作为优选，所述还原塔中转动设置有对应于所述弹性管的敲击轮。
[0018]与现有技术相比，本专利技术提供了一种电子级六氟化钨纯化装置，具备以下
[0019]有益效果：
[0020]本专利技术实施例中，在150℃
‑
400℃下通入WF6，在该温度范围内，WF6不被还原，MoF6被还原为MoF3，而MoF3具有高的熔点和低的蒸汽压，它们可被吸附于钨粒的表面，从而达到分离MoF6的目的；其中，通过配置蛇形的填料管可以保证钨粒移动的连续性，保证其能够有效的实现对于杂质的还原吸附处理，并且所述填料管能够根据六氟化钨混合气的进气量自动排出已使用的钨粒并填充补充新的钨粒，从而保证钨粒还原杂质的有效性，并且蛇形的填料管还能够起到阻碍气体流动的效果，从而保证气体充分的与钨粒接触反应。
附图说明
[0021]图1为一种电子级六氟化钨纯化装置的结构示意图；
[0022]图2为一种电子级六氟化钨纯化装置中还原塔的结构示意图；
[0023]图中：1、加热管；2、缓冲罐；3、还原塔；4、连通管；5、排气管；6、填料管；61、近水平管体；62、弯管；63、水平管体；7、填料供给仓；8、收集仓；9、回流管；10、拦截膜；11、风轮；12、转轴；13、主动轮；14、从动轮；15、链条；16、绞龙；17、弹性管；19、排料管；20、进料管。
具体实施方式
[0024]实施例：请参阅图1～2，本专利技术实施例中，一种电子级六氟化钨纯化装置，包括：
[0025]加热管1，用于将六氟化钨混合气加热至150℃
‑
400℃，需要解释的是，本实施例中，所述的六氟化钨混合气指的六氟化钨气体中含有Mo离子杂质，所述的Mo离子在六氟化钨气体中的存在形式往往表现为MoF6，其特点是：其熔点为17.5℃，沸点为34℃，且它在熔点附近有较高的蒸汽压；
[0026]缓冲罐2，其一端与所述加热管1相连通，另一端设置有连通管4；
[0027]还原塔3，其底部与所述连通管4相连通，顶部设置有排气管5；以及
[0028]填料管6，且设置于所述还原塔3中，且为透气结构并使得六氟化钨混合气仅能够穿过填料管6从排气管5排出，所述填料管6中填充有钨粒，所述填料管6能够根据六氟化钨混合气的进气量自动排出已使用的钨粒并填充补充新的钨粒。
[0029]其中，MoF6的熔点与WF6的沸点接近，且MoF6在熔点附近有较高的蒸汽压，因此较难与WF6分离。本实施例中，在150℃
‑
400℃下通入WF6，在该温度范围内，WF6不被还原，而MoF6被还原为MoF3，并且由于MoF3具有高的熔点和低的蒸汽压，因此它们可被吸附于钨粒的表面，如此则能够达到分离MoF6的目的。
[0030]更具体的讲，所述填料管6的上方开口采用进料管20与填料供给仓7相连，所述填
料管6的下方开口采用排料管19与收集仓8相连通，所述收集仓8的底部设置有拦截膜10，用于拦截固体颗粒，所述收集仓8的底部采用回流管9与还原塔3相连通。其中，通过供料仓7能够持续供给新的钨粒，而收集仓8则能够持续收集已使用过的钨粒，从而实现对于钨粒的不间断更新，保证其能够有效的实现对于杂质的还原吸附处理，另外，所述填料管6为蛇形，其包括多个依次交替串联的近水平管体61和弯管62，位于最底部的近水平管体61采用弯管与水平管体63相连，其中所述近水平管体61与水平面之间的夹角为3
°‑
12
°
。
[0031]需要特别注意的是，由于所述填料管6为蛇形，因此六氟化钨混合气可经过填料管6的层层处理才能够从排气管5排出，也就是说，将填料管6配置为蛇形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子级六氟化钨纯化装置，其特征在于：包括：加热管(1)，用于将六氟化钨混合气加热至150℃
‑
400℃；缓冲罐(2)，其一端与所述加热管(1)相连通，另一端设置有连通管(4)；还原塔(3)，其底部与所述连通管(4)相连通，顶部设置有排气管(5)；以及填料管(6)，且设置于所述还原塔(3)中，且为透气结构并使得六氟化钨混合气仅能够穿过填料管(6)从排气管(5)排出，所述填料管(6)中填充有钨粒，所述填料管(6)能够根据六氟化钨混合气的进气量自动排出已使用的钨粒并填充补充新的钨粒。2.根据权利要求1所述的一种电子级六氟化钨纯化装置，其特征在于：所述填料管(6)的上方开口采用进料管(20)与填料供给仓(7)相连，所述填料管(6)的下方开口采用排料管(19)与收集仓(8)相连通，所述收集仓(8)的底部设置有拦截膜(10)，用于拦截固体颗粒，所述收集仓(8)的底部采用回流管(9)与还原塔(3)相连通。3.根据权利要求1所述的一种电子级六氟化钨纯化装置，其特征在于：所述填料管(6)为蛇形，其包括多个依次交替串联的近水平管体(61)和弯管(62)，位于最底部的近水平管体(61)采用弯管与水平管体(63)相连，其中所述近水平管体(61)与水平面之间的夹角为3
°‑
12
°

【专利技术属性】
技术研发人员：王新喜，王杰，温娜，温海涛，曲昆，孙布尔，张志鹏，薛志明，
申请(专利权)人：南大光电乌兰察布有限公司，
类型：发明
国别省市：