内存模组测试方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

技术编号:39060545 阅读:19 留言:0更新日期:2023-10-12 19:53
本公开提供一种内存模组测试方法、装置、电子设备及存储介质,属于半导体技术领域。该内存模组测试方法包括:对每个芯片进行m次映射关系测试,以使芯片中的每个数据线均被配置一次第一电压,每次映射关系测试包括:在待测试芯片的数据线中确定一个待测试数据线;将待测试数据线的电压配置为第一电压,剩余数据线的电压配置为第二电压,第一电压与第二电压不同;通过CPU对内存模组进行数据读取,得到读取结果;基于读取结果确定CPU的数据线与待测试数据线之间的数据映射关系。本公开可以确定出内存模组上芯片的数据线和CPU的数据线之间的映射关系。映射关系。映射关系。

【技术实现步骤摘要】
内存模组测试方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本公开涉及半导体
,具体而言,涉及一种内存模组测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]数据映射关系指的是中央处理器(Central Processing Unit,CPU)的数据线到内存模组上芯片的数据线的映射关系。在内存模组的设计中,需要将CPU的数据线映射到正确的芯片的数据线上,以确保内存模组能够正确地读写数据。内存模组通常通过插槽与CPU(比如主板上的内存控制器)相连接,从而实现芯片与CPU之间的数据传输。数据映射关系的目的是确保CPU可以正确地读写存储在内存模组中的数据。映射关系的正确性对内存的速度和稳定性都有重要的影响。
[0003]CPU的数据线通过内存模组的插槽连接到芯片的数据线时,某些数据线可能会被映射到不同的芯片的数据线上。数据映射关系的作用是将数据传输到正确的芯片的数据线上,以确保数据的稳定性和正确性。因此,获取数据映射关系是确保数据稳定性与正确性的关键因素。
[0004]如何确定内存模组上芯片的数据线和CPU的数据线之间的映射关系,是一个亟待解决的问题。
[0005]需要说明的是,在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0006]本公开的目的在于提供一种内存模组测试方法、装置、电子设备及存储介质,能够确定内存模组上芯片的数据线和CPU的数据线之间的映射关系。
[0007]根据本公开的一个方面,提供了一种内存模组测试方法,所述方法用于测试所述内存模组上芯片的数据线和CPU的数据线之间的映射关系,所述内存模组包括n个所述芯片,每个芯片包括m个数据线,n和m均为正整数,所述方法包括:对每个所述芯片进行m次映射关系测试,以使所述芯片中的每个数据线均被配置一次第一电压,每次映射关系测试包括:在待测试芯片的数据线中确定一个待测试数据线,所述待测试芯片为所述内存模组中的一个所述芯片;将所述待测试数据线的电压配置为所述第一电压,剩余数据线的电压配置为第二电压,所述第一电压与所述第二电压不同,其中,所述剩余数据线为所述待测试芯片中除所述待测试数据线以外的数据线;通过所述CPU对所述内存模组进行数据读取,得到读取结果;基于所述读取结果确定所述CPU的数据线与待测试数据线之间的数据映射关系。
[0008]在本公开的一些示例性实施例中,所述内存模组包括多个物理存储体,所述物理存储体包括多个芯片;在对每个所述芯片进行m次映射关系测试之前,所述方法还包括:通过PDA从多个所述物理存储体中确定目标物理存储体;通过PDA从所述目标物理存储体中确定待测试芯片。
[0009]在本公开的一些示例性实施例中,所述将所述待测试数据线的电压配置为所述第一电压,剩余数据线的电压配置为第二电压,包括:在RTP或MPR测试模式下,将所述待测试数据线的电压配置为所述第一电压,剩余数据线的电压配置为第二电压。
[0010]在本公开的一些示例性实施例中,所述第一电压为第一值,所述第二电压为第二值;其中,所述在RTP或MPR测试模式下,将所述待测试数据线的电压配置为所述第一电压,剩余数据线的电压配置为第二电压,包括:在所述RTP或所述MPR测试模式下,将所述待测试数据线的电压拉高至所述第一值,将所述剩余数据线的电压拉低至所述第二值。
[0011]在本公开的一些示例性实施例中,所述第一电压为第二值,所述第二电压为第一值;其中,所述在RTP或MPR测试模式下,将所述待测试数据线的电压配置为所述第一电压,剩余数据线的电压配置为第二电压,包括:在所述RTP或所述MPR测试模式下,将所述待测试数据线的电压拉低至所述第二值,将所述剩余数据线的电压拉高至所述第一值。
[0012]在本公开的一些示例性实施例中,所述在RTP或MPR测试模式下,将所述待测试数据线的电压配置为所述第一电压,剩余数据线的电压配置为第二电压,包括:在所述RTP或MPR测试模式为串行模式,且模式寄存器为读取模式的情况下,将所述待测试数据线的电压配置为所述第一电压,剩余数据线的电压配置为第二电压。
[0013]在本公开的一些示例性实施例中,基于所述读取结果确定所述CPU的数据线与待测试数据线之间的数据映射关系,包括:从所述读取结果中确定与所述第一电压对应的目标比特位;确定所述目标比特位对应的所述CPU的数据线与所述待测试数据线之间的数据映射关系。
[0014]根据本公开的另一个方面,提供一种内存模组测试装置,所述装置用于测试所述内存模组上芯片的数据线和CPU的数据线之间的映射关系,所述内存模组包括n个所述芯片,每个芯片包括m个数据线,n和m均为正整数,所述装置包括:测试模块,用于对每个所述芯片进行m次映射关系测试,以使所述芯片中的每个数据线均被配置一次第一电压,所述测试模块包括确定模块、配置模块和读取模块,其中,每次映射关系测试包括:所述确定模块,用于在待测试芯片的数据线中确定一个待测试数据线,所述待测试芯片为所述内存模组中的一个所述芯片;所述配置模块,用于将所述待测试数据线的电压配置为所述第一电压,剩余数据线的电压配置为第二电压,所述第一电压与所述第二电压不同,其中,所述剩余数据线为所述待测试芯片中除所述待测试数据线以外的数据线;所述读取模块,用于通过所述CPU对所述内存模组进行数据读取,得到读取结果;所述确定模块,还用于基于所述读取结果确定所述CPU的数据线与待测试数据线之间的数据映射关系。
[0015]根据本公开的再一个方面,提供一种电子设备,包括:处理器;以及存储器,用于存储处理器的可执行指令;其中,处理器配置为经由执行可执行指令来执行上述的内存模组测试方法。
[0016]根据本公开的再一个方面,提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现上述的内存模组测试方法。
[0017]根据本公开的再一个方面,提供一种计算机程序产品,包括计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现上述的内存模组测试方法。
[0018]本公开实施例所提供的内存模组测试方法、装置、电子设备及存储介质,本公开对每个芯片进行m次映射关系测试,以使芯片中的每个数据线均被配置一次第一电压,每次映
射关系测试包括:在待测试芯片的数据线中确定一个待测试数据线,待测试芯片为内存模组中的一个芯片;将待测试数据线的电压配置为第一电压,剩余数据线的电压配置为第二电压,第一电压与第二电压不同,通过CPU对内存模组进行数据读取,得到读取结果;基于读取结果确定CPU的数据线与待测试数据线之间的数据映射关系。本公开通过在待测试数据线上配置第一电压,在剩余数据线上配置第二电压,并通过CPU进行数据的读取,从读取结果确定出与待测试数据线对应的CPU的数据线,从而确定出内存模组上芯片的数据线和CPU的数据线之间的映射关系。
[0019]应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内存模组测试方法,其特征在于,所述方法用于测试所述内存模组上芯片的数据线和CPU的数据线之间的映射关系,所述内存模组包括n个所述芯片,每个芯片包括m个数据线,n和m均为正整数,所述方法包括:对每个所述芯片进行m次映射关系测试,以使所述芯片中的每个数据线均被配置一次第一电压,每次映射关系测试包括:在待测试芯片的数据线中确定一个待测试数据线,所述待测试芯片为所述内存模组中的一个所述芯片;将所述待测试数据线的电压配置为所述第一电压,剩余数据线的电压配置为第二电压,所述第一电压与所述第二电压不同,其中,所述剩余数据线为所述待测试芯片中除所述待测试数据线以外的数据线;通过所述CPU对所述内存模组进行数据读取,得到读取结果;基于所述读取结果确定所述CPU的数据线与待测试数据线之间的数据映射关系。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述内存模组包括多个物理存储体,所述物理存储体包括多个芯片;在对每个所述芯片进行m次映射关系测试之前,所述方法还包括:通过PDA从多个所述物理存储体中确定目标物理存储体;通过PDA从所述目标物理存储体中确定待测试芯片。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述待测试数据线的电压配置为所述第一电压,剩余数据线的电压配置为第二电压,包括:在RTP或MPR测试模式下,将所述待测试数据线的电压配置为所述第一电压,剩余数据线的电压配置为第二电压。4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第一电压为第一值,所述第二电压为第二值;其中,所述在RTP或MPR测试模式下,将所述待测试数据线的电压配置为所述第一电压,剩余数据线的电压配置为第二电压,包括:在所述RTP或所述MPR测试模式下,将所述待测试数据线的电压拉高至所述第一值,将所述剩余数据线的电压拉低至所述第二值。5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第一电压为第二值,所述第二电压为第一值;其中,所述在RTP或MPR测试模式下,将所述待测试数据线的电压配置为所述第一电压,剩余数据线的电压配置为第二电压,包括:在所述RTP或所述MPR测试模式下,将所述待测试数据线的电压拉低至所述第二值,将所述剩余数据线的电压拉高至所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:张乾坤邹武
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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