一种改善SiC外延片浓度均匀性的制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体公开了一种改善SiC外延片浓度均匀性的制备方法，包括以下步骤：抽真空；升温至1550～1770℃，原位刻蚀；沉积N

【技术实现步骤摘要】
一种改善SiC外延片浓度均匀性的制备方法


[0001]本专利技术属于半导体
，具体涉及一种改善SiC外延片浓度均匀性的制备方法。

技术介绍

[0002]SiC是一种
Ⅳ‑Ⅳ
族化合物半导体材料，属于第三代半导体，具有大的禁带宽度，约为Si的3倍，以及良好的热稳定性，保证了SiC器件具有更高的工作结温，SiC具有高的击穿电场强度(2.5MV/cm)，是Si的8～10倍，极大地提高了SiC器件耐压容量和开关速度，SiC具有高的饱和电子漂移速度决定了SiC器件的高频、高速工作性能，高热导率有助于SiC器件的散热，可以大大提高功率密度和电路的集成度，基于4H
‑
SiC优异的材料性能优势，高压大功率SiC电力电子器件拥有更高的阻断电压，更大的输出功率、更高工作频率及更高的工作温度等性能优势。
[0003]半导体材料的载流子浓度是材料的基本电学参数之一，这一参数可以通过材料掺杂控制来实现。影响材料杂质水平的因素很多，例如：衬底及SiC原材料的杂质水平、生长室内气压及气流的均匀性分布、掺杂元素引入的方式及其在生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善SiC外延片浓度均匀性的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、抽真空；S2、升温至1550～1770℃，原位刻蚀；S3、沉积N
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SiC缓冲层，厚度0.3～1.5μm；S4、沉积U
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SiC外延层，厚度10μm～15μm；S5、冷却降温至850～930℃，取出碳化硅外延片。2.根据权利要求1所述的一种改善SiC外延片浓度均匀性的制备方法，其特征在于：所述S1中将N+
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SiC导电型衬底放置在水平热壁式的外延炉内，腔室抽至真空，先抽至低真空3～4mbar，再抽至高真空0.0002～0.002mbar。3.根据权利要求1所述的一种改善SiC外延片浓度均匀性的制备方法，其特征在于：所述S2中调节反应腔室压力为100～120mbar，反应腔室温度稳定在1550℃～1700℃，氢气气浮流量为1.5～4slm，氢气载气流量为100～130slm，刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：张梦龙，雷剑鹏，韩理想，王小周，李京波，郑筌升，
申请(专利权)人：浙江芯科半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：