一种基于混频超声的硅片表面颗粒去除方法技术

本申请公开了一种基于混频超声的硅片表面颗粒去除方法，包括调配混合清洗药液，非离子表面活性剂浓度0.01％～0.1％；执行低频清洗时段以及高频清洗时段，本申请实施例中，采用上述的基于混频超声的硅片表面颗粒去除方法，针对1～10微米和10～20微米两种粒径的颗粒，利用混合频率下音波波长不同的特性，锁定不同粒径的颗粒并利用超声空化泡将其去除，保证了清洁的全面性，有效增强硅片表面颗粒的去除效果，同时在混合清洗药液内引入混合非离子表面活性剂，提高硅片表面在液体中的浸润程度，降低颗粒的去除难度，从而进一步提高清洁效果。效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
一种基于混频超声的硅片表面颗粒去除方法


[0001]本专利技术涉及硅片加工
，尤其涉及一种基于混频超声的硅片表面颗粒去除方法。

技术介绍

[0002]采用喷砂法使硅片背面形成软损伤，从而实现其金属吸除性能。背面损伤是通过对硅片背面的机械损伤，使硅片具有非本证的吸杂能力，这些损伤可以在IC工艺中作为吸除杂质的陷阱。
[0003]喷砂法是一种较常见的背面软损伤工艺，采用一定粒径的颗粒与水混合形成砂浆，利用气压带动砂浆对移动中的硅片进行喷砂，以达到在硅片背面形成“软”损伤的方法。基于小尺寸硅片产品，背损伤吸杂工艺具有成本低、加工工艺稳定、制备产量大等优点，至今仍是小尺寸硅片产品的主流吸杂工艺之一。
[0004]但是喷砂工艺带来的问题是人为增加硅片表面的颗粒污染，这些颗粒以喷砂颗粒以及打碎的表面硅颗粒为主，主要影响到硅片的背面成膜均一性，硅片正面的洁净度，从而影响器件的表面的导电性、氧化物的完整性和其他器件稳定性参数,这是造成器件失效的主要原因。在生产线上，来自上工序的硅片表面污染，会对下工序产生实际的二级污染。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于混频超声的硅片表面颗粒去除方法，其特征在于，包括：调配混合清洗药液，HF浓度10％，非离子表面活性剂浓度0.01％～0.1％；执行低频清洗时段，清洗过程中超声频率采用30～60HZ；执行高频清洗时段，清洗过程中超声频率采用100～150HZ；其中，低频清洗时段的执行时长大于高频清洗时段的执行时长。2.根据权利要求1所述的基于混频超声的硅片表面颗粒去除方法，其特征在于，所述非离子表面活性剂采用壬基酚的聚氧乙烯醚、辛基酚的聚氧乙烯醚、月桂醇聚氧乙烯醚、仲醇聚氧乙烯醚中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的基于混频超声的硅片表面颗粒去除方法，其特征在于，先执行第一低频清洗时段，于第一低频清洗时段终止下执行高频清洗时段，于所述高频清洗时段终止下执行第二低清洗时段；其中，所述第一低频清洗时段与第二低频清洗时段的执行时长之和大于高频清洗时段的执行时长。4.根据权利要求1所述的基于混频超声的硅片表面颗粒去除方法，其特征在于，于所示高频清洗时段的执行过程中，执行所述低频清洗时段。5.根据权利要求1至4任一项所述的基于混频超声的硅片表面颗粒去除方法，其特征在于，所述低频清洗时段中采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏利军，洪漪，王建华，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：