【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
[0001]本申请是申请日为2018年8月31日、专利技术名称为“半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质”的中国专利技术专利申请No.201811015099.7的分案申请。
[0002]本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质。
技术介绍
[0003]作为半导体器件的制造工序中的一个工序，有时进行在衬底上形成膜的处理(例如，参见专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2010
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118462号公报
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的课题
[0008]本专利技术的目的在于，提供能够控制在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布的技术。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]根据本专利技术的一个方式，提供一种技术，其具有通过将非同时地进行下述工序的循环进行规定次数，从而在衬底上形成膜的工序：工序(a)，对衬...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.衬底处理方法，其具有通过将包含下述工序(a)和工序(b)的循环进行规定次数，从而在衬底上形成膜的工序：工序(a)，对衬底供给原料；工序(b)，对所述衬底供给反应体，其中，在工序(a)中，依次进行下述工序(a
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1)和工序(a
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2)：工序(a
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1)，对所述衬底，从第一供给部以第一流量供给非活性气体且同时供给所述原料，并且从与所述第一供给部不同的第二供给部以第二流量供给非活性气体；工序(a
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2)，对所述衬底，从所述第一供给部以比所述第一流量小的第三流量供给非活性气体且同时供给所述原料，并且从所述第二供给部以第四流量供给非活性气体；或者，对所述衬底在停止从所述第一供给部供给非活性气体的状态下从所述第一供给部供给所述原料，并且从所述第二供给部以第四流量供给非活性气体，其中，使所述第二流量及所述第四流量的各自与所述第三流量不同。2.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，使工序(a
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1)的实施时间短于工序(a
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2)的实施时间。3.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，使工序(a
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1)中的所述原料的分压小于工序(a
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2)中的所述原料的分压。4.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在使工序(a)中的所述原料的供给流量小于所述第一流量的状态下，使工序(a
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1)中的所述原料的分压小于工序(a
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2)中的所述原料的分压。5.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在所述原料中包含的构成所述膜的主元素的吸附状态为伪不饱和状态的期间进行工序(a
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1)。6.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在所述原料中包含的构成所述膜的主元素的吸附状态为伪饱和状态的期间进行工序(a
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2)。7.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在工序(a)中形成第一层，在所述第一层的形成速率由第一速率向比所述第一速率小的第二速率变化的期间进行工序(a
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1)。8.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在工序(a)中形成第一层，在所述第一层的形成速率由第一速率向比所述第一速率小的第二速率变化后的期间进行工序(a
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2)。9.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，使工序(a
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1)中的所述原料向所述衬底的中央部的到达量多于工序(a
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2)中的所述原料向所述衬底的中央部的到达量。10.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在工序(a
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1)中，使所述原料向所述衬底的中央部的到达量多于所述原料向所述衬底的外周部的到达量。11.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，使工序(a
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1)中的所述衬底的中央部处的所述原料的浓度高于工序(a
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2)中的所述衬底的中央部处的所述原料的浓度。12.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在工序(a
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1)中，使所述衬底的中央部处的所述原料的浓度高于所述衬底的外周部处的所述原料的浓度。13.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，通过调节所述第四流量，从而对在所述衬底上形成的所述膜在所述衬底的面内的膜厚分布进行微调。14.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在工序(a
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1)中，使从所述第一供给部的非活性气体的供给比所述原料的供给先开始。
15.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第二供给部具有多个供给部，它们夹着所述第一供给部而配置在所述第一供给部的两侧。16.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，使所述第一流量及所述第二流量的各自大于工序(a
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1)中的所述...
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