减薄方法技术

本发明专利技术揭示了一种减薄方法，将不能被真空吸附台吸附的工件贴附在尺寸能够被真空吸附台吸附的吸附膜上，可以有效在工件不能被真空吸附台吸附时，通过真空吸附台吸附吸附膜从而实现工件在真空吸附台上的固定，为工件的加工提供了基础条件，在不改动设备已有结构的情况下，能够实现不同尺寸、不同形状的零件加工，使用的灵活性更好。在采用顶面具有胶层的吸附膜后，通过第一测量组件实时测得工件顶面的高度，结合事先吸附膜预先确定的吸附膜顶面基准高度来计算工件厚度，而无需在减薄过程中通过第二测量组件与吸附膜保持接触状态，改变了惯用测高方式，从而有效地保证了测量机构的安全。全。全。

【技术实现步骤摘要】
减薄方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件加工领域，尤其是减薄方法。

技术介绍

[0002]在减薄加工时，通常会通过真空吸附台来将工件进行吸附固定，但是，在实际加工时，存在一些工件由于无法覆盖真空吸附台上的真空吸附孔从而无法被已有减薄设备中的真空吸附台吸附的情况。例如，用于12寸工件加工的真空吸附台100的台面处的真空吸附孔110可能会采用如附图1所示的结构，但是，对于4
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8寸的工件或者一些异形零件，这种真空吸附台将无法实现工件的吸附固定，也就无法进行后续的加工。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种减薄方法。
[0004]本专利技术的目的通过以下技术方案来实现：减薄方法，包括如下步骤：将不能被真空吸附台吸附的工件贴附于吸附膜上，所述吸附膜的尺寸满足其可被所述真空吸附台吸附；将贴附于吸附膜上的工件放置于真空吸附台上并通过真空吸附固定；通过减薄机构对所述真空吸附台上吸附固定的工件进行减薄；在确定经过减薄机构减薄的所述工件的厚度是否达到目标值时，是根据测量机构的第一测量组件实时测得的所述工件的顶面高度及吸附膜预先确定的吸附膜顶面基准高度来确定。
[0005]优选的，所述吸附膜顶面基准高度通过以下过程来确定：将贴附于吸附膜上的工件放置于真空吸附台上；在所述第一测量组件的第一测头和第二测量组件的第二测头的底部平齐的状态下，使第一测量组件和第二测量组件均下移至测量位置以使所述第一测头与所述工件的顶面抵接以及所述第二测头与所述工件外侧的吸附膜的顶面抵接，确定此时第二测量组件的测值并存储为所述吸附膜顶面基准高度。
[0006]优选的，所述第二测量组件在测量位置时测得的所述吸附膜顶面基准高度不超过100微米。
[0007]优选的，在获得所述吸附膜顶面基准高度后，将所述第二测头或第二测杆取从第二测量组件上取下；或将所述第二测头调节到预定高度，所述第二测头调节到预定高度后，当所述第二测量组件下移至测量位置时，所述第二测头与吸附膜保持间距；在后续减薄时，通过取下第二测头或第二测杆或将第二测头调整到预定高度的测量机构实时测量晶圆顶面的厚度。
[0008]优选的，所述测量机构的第一测量组件的第一测头可水平移动。
[0009]优选的，所述吸附膜上贴附有多个均分圆周的工件；
所述吸附膜吸附在所述真空吸附台上时，多个所述工件围绕真空吸附台的圆心分布且工件的中心到所述圆心的距离相同；减薄时，所述真空吸附台使工件依次转动到减薄机构的磨盘下方进行一段时间的减薄，所述磨盘覆盖位于其下方的所述工件；当工件转动到磨盘外侧后，通过第一测量组件测得所述工件的顶面高度。
[0010]优选的，所述测量机构测量即将转动到磨盘下方进行减薄的工件的顶面高度。
[0011]优选的，所述吸附膜上贴附有一个工件；所述吸附膜吸附在所述真空吸附台上时，所述工件与真空吸附台共轴；减薄时，所述减薄机构的磨盘的侧边缘过所述工件的中心，所述真空吸附台驱动所述工件自转；在减薄过程中，通过所述第一测量组件实时测量所述工件的顶面高度，且所述测量机构的第二测量组件与吸附膜的顶面无接触。
[0012]优选的，所述第一测量组件的第一测头靠近所述工件的中心且不干涉所述磨盘的作业。
[0013]优选的，在确定所述工件的厚度达到目标值后，确定所述磨盘的磨损量，当确定磨损量达到更换条件时，发出更换磨盘的信号。
[0014]本专利技术技术方案的优点主要体现在：本专利技术的方法将工件贴附在尺寸能够被真空吸附台吸附的吸附膜上，可以有效在工件不能被真空吸附台吸附时，通过真空吸附台吸附吸附膜从而实现工件在真空吸附台上的固定，为工件的加工提供了基础条件，在不改动设备已有结构的情况下，能够实现不同尺寸、不同形状的零件加工，使用的灵活性更好。在采用顶面具有胶层的吸附膜后，通过第一测量组件实时测得工件顶面的高度，结合事先吸附膜预先确定的吸附膜顶面基准高度来计算工件厚度，而无需在减薄过程中通过第二测量组件与吸附膜保持接触状态，改变了惯用测高方式，从而有效地保证了测量机构的安全。
[0015]本专利技术的测量机构的第一测头能够水平移动，从而能够有效地适应不同位置、不同尺寸的工件的高度测量需要，改善了测量的灵活性和适用性。
[0016]本专利技术在对自转的工件进行测量时，使第一测头靠近工件的中心，能够有效地减少工件自转时第一测头在工件上的相对移动行程，有利于提高测量时的安全性。
[0017]本专利技术通过对吸附膜顶面基准高度的限定，有利于保证计算的准确性。
[0018]本专利技术的方法能够在每次减薄后自动进行磨盘的磨损量的高精度计算，能够有效地保证磨盘准确、及时地更换。
附图说明
[0019]图1是
技术介绍
中描述的工作台的俯视图；图2是本专利技术的加工方法进行工件减薄的示意图；图3是本专利技术通过测量机构进行吸附膜顶面基准高度确定的位置示意图；图4是本专利技术的方法通过第一测量组件进行工件顶面测量的示意图；图5是本专利技术的方法在一个吸附膜上贴附多个工件并进行减薄的示意图。
具体实施方式
[0020]本专利技术的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本专利技术技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本专利技术要求保护的范围之内。
[0021]在方案的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
实施例1
[0022]下面结合附图对本专利技术揭示的减薄方法进行阐述，其包括如下步骤：将不能被真空吸附台100吸附的工件200贴附于吸附膜300上，所述吸附膜300的尺寸满足其可被所述真空吸附台100吸附；将贴附于吸附膜300上的工件200放置于真空吸附台100上并通过真空吸附固定；通过减薄机构500对所述真空吸附台100上吸附固定的工件200进行减薄，如附图2所示。
[0023]实际加工时，所述工件200可以是各种需要减薄的零件，例如是晶圆、玻璃、陶瓷片等。所述吸附膜300可以是具有一定承载性的塑料片、金属片等，所述吸附膜300的尺寸满足其放置在所述真空吸附台上时能够覆盖真空吸附台100上的真空吸附孔110，如附图2所示，所述吸附膜300的顶面具有胶层310，从而可以直接将工件200粘在胶层处。
[0024]在减薄过程中，需要测量所述工件200的厚度是否达到目标值，具体的，如附图3、附图4所示，可以通过一测量机构400来实现，所述测量机构400包括第一测量组件410和第二测量组件420，所述第一测量组件410和第二测量组件420的结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.减薄方法，其特征在于，包括如下步骤：将不能被真空吸附台吸附的工件贴附于吸附膜上，所述吸附膜的顶面覆盖有胶层，所述吸附膜的尺寸满足其可被所述真空吸附台吸附；将贴附于吸附膜上的工件放置于真空吸附台上并通过真空吸附固定；通过减薄机构对所述真空吸附台上吸附固定的工件进行减薄；在确定经过减薄机构减薄的所述工件的厚度是否达到目标值时，是根据测量机构的第一测量组件实时测得的所述工件的顶面高度及吸附膜预先确定的吸附膜顶面基准高度来确定。2.根据权利要求1所述的减薄方法，其特征在于：所述吸附膜顶面基准高度通过以下过程来确定：将贴附于吸附膜上的工件放置于真空吸附台上；在所述第一测量组件的第一测头和第二测量组件的第二测头的底部平齐的状态下，使第一测量组件和第二测量组件均下移至测量位置以使所述第一测头与所述工件的顶面抵接以及所述第二测头与所述工件外侧的吸附膜的顶面抵接，确定此时第二测量组件的测值并存储为所述吸附膜顶面基准高度。3.根据权利要求2所述的减薄方法，其特征在于：所述第二测量组件在测量位置时测得的所述吸附膜顶面基准高度不超过100微米。4.根据权利要求2所述的减薄方法，其特征在于：在获得所述吸附膜顶面基准高度后，将所述第二测头或第二测杆取从第二测量组件上取下；或将所述第二测头调节到预定高度，所述第二测头调节到预定高度后，当所述第二测量组件下移至测量位置时，所述第二测头与吸附膜保持间距；在后续减薄时，通过取下第二测头或第二测杆或将第二测头调整到预定高度...

【专利技术属性】
技术研发人员：高阳，沈海丽，孙志超，周旭平，徐基应，朱慧家，
申请(专利权)人：江苏京创先进电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：