进行半导体处理装置(等离子处理装置)的诊断的装置诊断装置通过使用从具有基准腔室的半导体装置制造装置取得的数据进行运算处理，来将特征量映射到以多个参数为轴的二维以上的图表，作成基准腔室特征量映射数据(D107)。此外，装置诊断装置通过使用从具有修正对象腔室的半导体装置制造装置取得的数据进行运算处理，来将特征量映射到以多个参数为轴的二维以上的图表，从而作成修正对象腔室特征量映射数据(D112)。装置诊断装置根据在基准腔室特征量映射数据和修正对象腔室特征量映射数据中出现的模式来鉴别不同的腔室间的性能差、或相同腔室的与随时间变化相伴的性能差、或相同腔室的与部件更换或部件清洗相伴的性能差。性能差。性能差。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】装置诊断装置、半导体制造装置系统以及半导体装置制造系统
[0001]本专利技术涉及进行半导体处理装置的诊断的装置诊断装置、半导体制造装置系统以及半导体装置制造系统。本专利技术特别涉及装置诊断装置所进行的半导体处理装置(半导体装置制造装置)的状态监视以及预测系统，能运用到通过使用从半导体装置制造装置取得的数据进行运算处理来鉴别相同处理室(称作腔室)的与随时间变化相伴的性能差、相同腔室的与部件更换或部件清洗相伴的性能差、或不同腔室间的性能差的技术、或对这些进行鉴别以及修正的技术中。
技术介绍
[0002]在半导体装置的制造装置中，由于随时间的要因而产生半导体装置的性能变动。此外，制造装置的消耗品部件的更换、部件的清洗也会成为腔室的状态变化的要因，从而引起半导体装置的性能变动。
[0003]作为对上述课题的解决对策，提出JP特表2018
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533196号公报、JP特开2014
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22695号公报、JP特开2009
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295658号公报等。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：JP特表2018
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533196号公报
[0007]专利文献2：JP特开2009
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295658号公报
[0008]专利文献3：JP特开2014
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22695号公报
技术实现思路
[0009]专利技术要解决的课题
[0010]JP特表2018
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533196号公报成为腔室间差的修正系统的提案，并未提及具体的修正算法。JP特开2009
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295658号公报提出利用了等离子发光强度、等离子密度的修正方法，但并未提及实际的腔室间差的鉴别手法。在JP特开2014
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22695号公报中，提出利用了等离子发光强度、高频电源峰值间电压Vpp的修正方法，但在对多个参数进行修正的情况下，需要同时鉴别多个参数下的腔室间差，对于这点并未提及。此外，修正中使用的传感器的种类由于有基于熟练者的经验法则的要因，因此，不能说是最优解。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]关于半导体装置制造装置的状态监视以及预测系统，装置诊断装置鉴别不同的腔室间的性能差、或相同腔室的与随时间变化相伴的性能差、或相同腔室的与部件更换或部件清洗相伴的性能差，所述装置诊断装置通过具备如下步骤的算法来诊断所述第2半导体装置制造装置的装置状态：
[0013]a)在设为基准腔室的第1半导体装置制造装置或第2半导体装置制造装置中，
[0014]第1步骤，在使多个制造条件的参数变化来使等离子产生时，使用搭载于具有所述
基准腔室的第1半导体装置制造装置或所述第2半导体装置制造装置的各种传感器来收集与等离子产生状况相关的数据；
[0015]第2步骤，对所收集的数据运用运算处理，来计算所述多个制造条件的参数的条件下的等离子产生状况的多个代表值；
[0016]第3步骤，使用所述多个代表值进行运算处理，计算特征量；
[0017]第4步骤，将所述特征量映射到以所述多个制造条件的参数为轴的二维以上的图表来作成基准腔室特征量映射数据(D107)；
[0018]b)在具有成为所述不同的腔室间的性能差的修正对象的腔室、或成为所述相同腔室的与随时间变化相伴的性能差的修正对象的随时间变化后的所述基准腔室、或成为所述相同腔室的与部件更换或部件清洗相伴的性能差的修正对象的部件更换或部件清洗后的所述基准腔室的所述第2半导体装置制造装置中，
[0019]第5步骤，在使多个制造条件的参数变化来使等离子产生时，使用搭载于具有成为所述修正对象的腔室或发生了随时间变化的所述基准腔室的所述第2半导体装置制造装置的各种传感器来收集与等离子产生状况相关的数据；
[0020]第6步骤，对所收集的数据运用运算处理，来计算所述多个制造条件的参数的条件下的等离子产生状况的多个代表值；
[0021]第7步骤，使用所述多个代表值进行运算处理，计算特征量；
[0022]第8步骤，将所述特征量映射到以所述多个制造条件的参数为轴的二维以上的图表来作成修正对象腔室特征量映射数据(D112)；
[0023]c)第9步骤，根据所述在基准腔室特征量映射数据和所述修正对象腔室特征量映射数据中出现的模式，来鉴别所述不同的腔室间的性能差、或所述相同腔室的与随时间变化相伴的性能差、或所述相同腔室的与部件更换或部件清洗相伴的性能差。
[0024]专利技术的效果
[0025]通过上述手段，能将为了鉴别以及修正相同腔室的与随时间变化相伴的性能差、相同腔室的与部件更换或部件清洗相伴的性能差或不同的腔室间的性能差所需的信息最优化，并且能同时鉴别以及修正多个制造条件的参数下的腔室间差。由此，能抑制由半导体装置制造装置制造的半导体装置的性能变动，从而实现半导体装置的性能的均匀化。
附图说明
[0026]图1是将本专利技术运用于进行利用了图像处理领域的模板匹配的腔室间差的鉴别以及修正的等离子处理装置诊断装置的情况的流程图。
[0027]图2是包含与实施例1相关的等离子处理装置和等离子处理装置诊断装置的半导体装置制造装置系统的硬件结构图。
[0028]图3是与实施例1相关的等离子处理装置诊断装置的功能框图。
[0029]图4是表示从与实施例1相关的等离子处理装置取得的各传感器值的时间序列数据的一例的图。
[0030]图5是表示本专利技术所涉及的特征量映射数据形式的一例的图。
[0031]图6是表示存放于本专利技术所涉及的特征量映射数据的各单元(cell)的数据的一例的图。
[0032]图7是表示从与实施例1相关的修正对象腔室特征量映射数据的子映射提取的一例的图。
[0033]图8是表示使用与实施例1相关的基准腔室特征量映射数据和子映射实施了模板匹配时的结果的一例的图。
[0034]图9是与实施例1相关的半导体装置制造系统的整体的结构图，是半导体装置制造系统中所含的等离子处理装置、等离子处理装置诊断装置和预测结果汇集装置的网络结构图。
[0035]图10是表示在与实施例2相关的模板匹配中使用的特征量的最优化的流程图。
[0036]图11是比较了与实施例2相关的根据虚拟偏移计算出修正量和通过模板匹配而鉴别的修正量的图表。
具体实施方式
[0037]以下使用附图来说明实施例。其中，在以下的说明中，对相同构成要素标注相同附图标记，有时省略重复的说明。另外，图面为了使说明更加明确，有时与实际的方式相比而更为示意性地表征，但只是一例，并不限定本专利技术的解释。
[0038]实施例1
[0039]实施例1所涉及的装置诊断装置(302：参考图3)与半导体处理装置(半导体装置制造装置201)的状态监视以及预测系统相关，能将为了鉴别以及修正不同的处理室(以下称作腔室)间本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置诊断装置，鉴别半导体制造装置的处理室间的性能差，所述装置诊断装置的特征在于，求取针对从所述半导体制造装置收集的数据的特征量，通过将所述特征量映射到以所述半导体制造装置的制造条件的参数为轴的二维以上的图表，来作成特征量映射数据，根据所作成的特征量映射数据来鉴别所述性能差。2.根据权利要求1所述的装置诊断装置，其特征在于，通过对所述特征量映射数据运用模板匹配，来鉴别所述性能差。3.根据权利要求1所述的装置诊断装置，其特征在于，所述性能差包含不同的处理室间的性能差、相同处理室的与随时间变化相伴的性能差和相同处理室的与部件更换或部件清洗相伴的性能差。4.根据权利要求1所述的装置诊断装置，其特征在于，求取与所鉴别的性能差对应的所述参数的修正量。5.根据权利要求1所述的装置诊断装置，其特征在于，所述半导体制造装置是等离子蚀刻装置。6.一种半导体制造装置系统，其特征在于，具备经由网络连接半导体制造装置的权利要求1所述的装置诊断装置。7.一种半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：松仓圣，釜地义人，玉利南菜子，鹿子岛昭，角屋诚浩，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：
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