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本申请公开了一种基于混频超声的硅片表面颗粒去除方法，包括调配混合清洗药液，非离子表面活性剂浓度0.01％～0.1％；执行低频清洗时段以及高频清洗时段，本申请实施例中，采用上述的基于混频超声的硅片表面颗粒去除方法，针对1～10微米和10～20...
该专利属于上海中欣晶圆半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海中欣晶圆半导体科技有限公司授权不得商用。

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