【技术实现步骤摘要】
芯片堆叠结构清洗方法及清洗设备
[0001]本专利技术涉及半导体清洗
,特别是涉及一种芯片堆叠结构清洗方法及清洗设备。
技术介绍
[0002]近年来,随着摩尔定律的放缓,传统的芯片面临设计复杂化和制造成本上升的难题。业界提出通过功能分割、异构集成来实现定制化和降本的chiplet设计理念,并已经在苹果、英特尔等公司获得了验证和成功。
[0003]Chiplet技术中,将芯片设计拆分成多个功能独立的模块进行制造,然后集成在一起实现异构集成芯片,实现了更灵活、更高效的芯片设计。然而,由于不同功能模块来源于不同的晶圆,涉及晶圆制造工艺、材料、结构等方面的差异,也大大增加了芯片制造工艺的复杂度。
[0004]其中,对于清洗工艺来说,传统使用超声波/兆声波等机械力来去除槽或微孔中的微粒的方案,存在以下缺点:(1)由于不同模块可能采用不同的制程节点,不同的制程节点所需的清洗的超声波频率/能量可能不同,这样,在进行超声波/兆声波清洗时,能够很好清洗某个制程节点的模块的超声波频率/能量,可能对另一种模块来说不足以清洗干 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片堆叠结构清洗方法,其特征在于,包括:S1、根据所述芯片堆叠结构的缝隙参数,确定所述清洗腔内的工作压力;开启真空泵,抽取清洗腔内的气体,以使所述清洗腔处于负压状态;其中,所述清洗腔内容纳有芯片堆叠结构;S2、在所述清洗腔处于负压状态下,并在无超声及无兆声下,控制喷嘴朝向所述芯片堆叠结构喷淋清洗液。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S2还包括:对流向喷嘴的清洗液进行去泡处理。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述去泡处理包括:将存储所述清洗液的药液箱进行抽气处理。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述缝隙参数包括缝隙深度和/或缝隙宽度;根据所述芯片堆叠结构的缝隙参数,确定所述清洗腔内的工作压力,包括:响应于所述缝隙参数为第一值,确定所述工作压力为第一工作压力;响应于所述缝隙参数为第二值,确定所述工作压力为第二工作压力;响应于所述缝隙参数为第三值,确定所述工作压力为第三工作压力;其中,所述第一值<所述第二值<所述第三值;所述第一工作压力>所述第二工作压力>所述第三工作压力。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述第一值≤2μm,12000pa≤所述第一工作压力<15000pa;和/或,所述第二值为5
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20μm,8000pa≤所述第二工作压力<12000pa;和/或,所述第三值为50
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200μm,5000pa≤所述第三工作压力<8000pa。6.根据权利要求1
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5中任意一项所述的方法,其特征在于,所述喷嘴的喷射压力为0.3
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0.6mpa。7.根据权利要求1
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5中任意一项所述的方法,其特征在于,所述步骤S2还包括:控制夹持组件带动所述芯片堆叠结构转动;其中,所述夹持组件用于固定所述芯片堆叠结构,所述夹持组件至少部分地位于...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋超伟,廖周芳,马玉峰,吴疆,鲍雨,
申请(专利权)人:江苏芯梦半导体设备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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