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本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种改善SiC外延片浓度均匀性的制备方法，包括以下步骤：抽真空；升温至1550～1770℃，原位刻蚀；沉积N
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该专利属于浙江芯科半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江芯科半导体有限公司授权不得商用。

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