MOS管的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种MOS管的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成多个子多晶硅层，相邻子多晶硅层之间具有一定的距离，子多晶硅层用于形成PPLUS和NPLUS；在用于形成PPLUS的子多晶硅层的两侧形成侧墙；在多个子多晶硅层的两侧的衬底内均分别形成源极和漏极；在用于形成PPLUS的子多晶硅层和侧墙上形成牺牲氧化层；通过牺牲氧化层向子多晶硅层注入P型离子，以形成PPLUS。本发明专利技术通过在子多晶硅层的表面和侧墙的表面形成牺牲氧化层，通过牺牲氧化层向子多晶硅层内注入P型离子，降低了P型离子的注入深度，从而不会有P型离子穿通到衬底内，从而减少了PMOS管漏电的情况，提高了MOS管的良率。提高了MOS管的良率。提高了MOS管的良率。

【技术实现步骤摘要】
MOS管的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种MOS管的形成方法。

技术介绍

[0002]MOS管在半导体
中使用非常广泛。
[0003]现有技术的MOS管的形成方法的形成方法为，首先，请参照图1，提供一衬底100，在衬底100的表面形成场氧化层101，可以用热氧化工艺形成场氧化层101。在场氧化层101的表面形成多晶硅层102。接着，请参照图2，刻蚀多晶硅层102形成多个子多晶硅层，每个子多晶硅层之间露出场氧化层101的表面。刻蚀多晶硅层102形成多个子多晶硅层的方法，可以是在多晶硅层102的表面形成图案化的硬掩膜层103，去除部分多晶硅层102，以将多晶硅层102分为若干个子多晶硅层，形成若干个所述子多晶硅层后，可以采用湿法刻蚀工艺去除所述图案化的硬掩膜层103。子多晶硅层分为用于形成NPLUS的子多晶硅层104和用于形成PPLUS的子多晶硅层105。NPLUS通过向用于形成NPLUS的子多晶硅层104注入N型离子注入形成，PPLUS通过向用于形成PPLUS的子多晶硅层105注入P型离子注入形成，NPLUS和PPLUS用于分别形成NMOS管和PMOS管。接着，在子多晶硅层的两侧形成侧墙106，侧墙106可以是二氧化硅。接着，在子多晶硅层两侧的侧墙外的衬底100内形成源极107和漏极108。接着，对用于形成NPLUS的子多晶硅层104进行N型离子注入，以形成NPLUS。进行N型离子注入时可以用掩膜遮住其他区域，形成NPLUS之后去除掩膜。对用于形成PPLUS的子多晶硅层105进行P型离子注入，以形成PPLUS。进行P型离子注入时可以用掩膜遮住其他区域，P型离子包括硼离子。
[0004]然而，现有技术在对要形成PPLUS的子多晶硅层进行P型离子注入，以形成PPLUS时，由于硼离子的穿通效应，硼离子会通过场氧化层进入PPLUS下方的衬底内，从而在衬底内形成了一定浓度的P型离子，在沟道内的P型离子，会导致PMOS管会出现漏电的情况。现有技术中，通过降低PPLUS中硼离子注入的能量，可以降低硼离子注入深度，但是当注入能量过低达到机台极限时仍然无法减少PMOS管出现漏电的情况。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种MOS管的形成方法，在不降低PPLUS中硼离子注入的能量的情况下，也可以减少PMOS管漏电的情况，从而提高PMOS管的良率。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种MOS管的形成方法，包括：
[0007]提供衬底；
[0008]在所述衬底上形成多个子多晶硅层，相邻所述子多晶硅层之间具有一定的距离，所述子多晶硅层用于形成PPLUS和NPLUS；
[0009]在用于形成PPLUS的子多晶硅层的两侧形成侧墙；
[0010]在多个所述子多晶硅层的两侧的衬底内均分别形成源极和漏极；
[0011]在用于形成PPLUS的子多晶硅层和所述侧墙上形成牺牲氧化层；
[0012]通过所述牺牲氧化层向所述子多晶硅层注入P型离子，以形成PPLUS。
[0013]可选的，在所述的MOS管的形成方法中，在所述衬底上形成多个子多晶硅层之前，还包括：
[0014]在所述衬底上形成场氧化层。
[0015]可选的，在所述的MOS管的形成方法中，在所述子多晶硅层和所述侧墙上形成牺牲氧化层之前，还包括：
[0016]在用于形成NPLUS的子多晶硅层的两侧形成侧墙；
[0017]向用于形成NMOS管的子多晶硅层注入N型离子，以形成NPLUS。
[0018]可选的，在所述的MOS管的形成方法中，通过所述牺牲氧化层向所述子多晶硅层注入P型离子之后，还包括：
[0019]对PPLUS进行热退火工艺。
[0020]可选的，在所述的MOS管的形成方法中，对PPLUS进行热退火工艺之后，还包括：
[0021]去除牺牲氧化层。
[0022]可选的，在所述的MOS管的形成方法中，所述牺牲氧化层的厚度为100埃～500埃。
[0023]可选的，在所述的MOS管的形成方法中，在所述衬底上形成多个子多晶硅层，相邻所述子多晶硅层之间具有一定的距离的方法包括：
[0024]在所述衬底上形成一层多晶硅层，刻蚀所述多晶硅层形成多个子多晶硅层，相邻所述子多晶硅层之间具有一定的距离。
[0025]可选的，在所述的MOS管的形成方法中，在用于形成PPLUS的子多晶硅层和所述侧墙上沉积氧化物，以形成牺牲氧化层。
[0026]可选的，在所述的MOS管的形成方法中，所述P型离子包括硼离子。
[0027]可选的，在所述的MOS管的形成方法中，通过用于形成PMOS管的子多晶硅层的表面的所述牺牲氧化层向所述子多晶硅层注入P型离子，以形成PPLUS。
[0028]在本专利技术提供的MOS管的形成方法中，包括：提供衬底；在衬底上形成多个子多晶硅层，相邻子多晶硅层之间具有一定的距离，子多晶硅层用于形成PMOS管和NMOS管；在用于形成PPLUS的子多晶硅层的两侧形成侧墙；在用于形成PPLUS的子多晶硅层和侧墙上形成牺牲氧化层；通过牺牲氧化层向子多晶硅层注入P型离子，以形成PPLUS。本专利技术通过在子多晶硅层的表面和侧墙的表面形成牺牲氧化层，通过牺牲氧化层向子多晶硅层内注入P型离子，降低了P型离子的注入深度，从而不会有P型离子穿通到衬底内，从而减少了PMOS管漏电的情况，提高了MOS管的良率。
附图说明
[0029]图1是现有技术的形成图案化的硬掩膜层后的MOS管的示意图；
[0030]图2是现有技术的形成NPLUS和PPLUS后的MOS管的示意图；
[0031]图3是本专利技术实施例的MOS管的形成方法的流程图；
[0032]图4是本专利技术实施例的形成图案化的硬掩膜层后的MOS管的形成方法的示意图；
[0033]图5是本专利技术实施例的形成NPLUS和PPLUS后的MOS管的示意图；
[0034]图6是本专利技术实施例的形成牺牲氧化层后的MOS管的示意图；
[0035]图中：100
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衬底、101
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场氧化层、102
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多晶硅层、103
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图案化的硬掩膜层、104
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用于形成NPLUS的子多晶硅层、105
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用于形成PPLUS的子多晶硅层、106
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侧墙、107
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源极、108
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漏
极、200
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衬底、201
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场氧化层、202
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多晶硅层、203
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图案化的硬掩膜层、204
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用于形成NPLUS的子多晶硅层、205
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用于形成PPLUS的子多晶硅层、206
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侧墙、207
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源极、208
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漏极、209<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多个子多晶硅层，相邻所述子多晶硅层之间具有一定的距离，所述子多晶硅层用于形成PPLUS和NPLUS；在用于形成PPLUS的子多晶硅层的两侧形成侧墙；在多个所述子多晶硅层的两侧的衬底内均分别形成源极和漏极；在用于形成PPLUS的子多晶硅层和所述侧墙上形成牺牲氧化层；通过所述牺牲氧化层向所述子多晶硅层注入P型离子，以形成PPLUS。2.如权利要求1所述的MOS管的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成多个子多晶硅层之前，还包括：在所述衬底上形成场氧化层。3.如权利要求1所述的MOS管的形成方法，其特征在于，在所述子多晶硅层和所述侧墙上形成牺牲氧化层之前，还包括：在用于形成NPLUS的子多晶硅层的两侧形成侧墙；向用于形成NMOS管的子多晶硅层注入N型离子，以形成NPLUS。4.如权利要求1所述的MOS管的形成方法，其特征在于，通过所述牺牲氧化层向所述子多晶硅层注入P型离子之后，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：于涛，孙琪，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：