碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置制造方法及图纸

实施方式涉及碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置。实施方式的碳化硅半导体装置的制造方法，在包含碳化硅的基板上形成半导体层；向所述半导体层注入第一导电型的杂质，形成具有第一浓度的第一导电型的第一半导体区域；向所述第一半导体区域的多个部位注入第二导电型的杂质，与所述第一导电型的第一半导体柱部分一起形成与所述第一半导体柱部分相邻的具有第二浓度的第二导电型的第二半导体柱部分；反复进行所述半导体层的形成、所述第一半导体区域的形成、所述第一半导体柱部分及所述第二半导体柱部分的形成。及所述第二半导体柱部分的形成。及所述第二半导体柱部分的形成。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置
[0001]相关申请
[0002]本申请享受以日本专利申请2022－47832号(申请日：2022年3月24日)为基础申请的优先权。本申请通过参照此基础申请包括基础申请的全部内容。


[0003]实施方式涉及碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置。

技术介绍

[0004]已知有使用了碳化硅的半导体装置。

技术实现思路

[0005]本专利技术的实施方式提供一种能够提高耐压的碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置。
[0006]实施方式的碳化硅半导体装置的制造方法，在包含碳化硅的基板上形成半导体层；向所述半导体层注入第一导电型的杂质，形成具有第一浓度的第一导电型的第一半导体区域；向所述第一半导体区域的多个部位注入第二导电型的杂质，与所述第一导电型的第一半导体柱部分一起形成与所述第一半导体柱部分相邻的具有第二浓度的第二导电型的第二半导体柱部分；反复进行所述半导体层的形成、所述第一半导体区域的形成、所述第一半导体柱部分及所述第二半导体柱部分的形成。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，在包含碳化硅的基板上形成半导体层；向所述半导体层注入第一导电型的杂质，形成具有第一浓度的第一导电型的第一半导体区域；向所述第一半导体区域的多个部位注入第二导电型的杂质，与所述第一导电型的第一半导体柱部分一起，形成与所述第一半导体柱部分相邻的具有第二浓度的第二导电型的第二半导体柱部分；反复进行所述半导体层的形成、所述第一半导体区域的形成、所述第一半导体柱部分及所述第二半导体柱部分的形成。2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，所述第二浓度是比所述第一浓度高的浓度。3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，所述第二浓度是所述第一浓度的两倍。4.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，还包括：形成与所述半导体层连接的第一主电极；在所述第一半导体柱部分之上及所述第二半导体柱部分之上形成第二导电型的第二半导体区域；与所述第二半导体区域相接地形成第二主电极；以及在所述第一半导体区域之上及所述第一半导体柱部分之上隔着绝缘膜而形成控制电极。5.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，所述第一半导体柱部分的宽度和所述第二半导体柱部分的宽度在所述第一半导体柱部分与所述第二半导体柱部分相邻的方向上是相同的宽度。6.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，所述第一半导体柱部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木拓马，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：