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实施方式涉及碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置。实施方式的碳化硅半导体装置的制造方法，在包含碳化硅的基板上形成半导体层；向所述半导体层注入第一导电型的杂质，形成具有第一浓度的第一导电型的第一半导体区域；向所述第一半导体区域的多个部...
该专利属于东芝电子元件及存储装置株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝电子元件及存储装置株式会社授权不得商用。

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