一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供多批铝基板并抽检，将抽检合格批次的铝基板的背面进行激光蚀刻，将蚀刻后的铝基板进行清洗；将清洗后的铝基板进行锡膏印刷后贴设芯片；将贴设芯片的铝基板的预设位置处贴设阻容件；将贴设有阻容件的铝基板进行回流焊接；将回流焊接后的铝基板进行AOI全检，对AOI全检合格的铝基板清洗并进行第一次烘烤；将第一次烘烤后的铝基板进行预烘烤后焊接金属线；对金属线焊接完成的铝基板进行AOI全检，将检测合格的铝基板进行第二次预烘烤；将第二次预烘烤后的铝基板进行封装并打标；将打标后的铝基板进行后固化整平处理并切筋成型形成半导体器件。本发明专利技术的制造方法对铝基板的清洗力度强，产品的可靠性高。产品的可靠性高。产品的可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体应用
，尤其涉及一种半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]基于IMS基板架构的全包封功率模块，生产工序之一的铝基覆铜板清洗工序，其主要目的就是清洗基板上的有机污染物，避免由于蚀刻板厂清洗不干净或运输过程的二次污染导致的品质缺陷。
[0003]然而，目前的清洗方式为有机溶剂正溴丙烷
‑
C3H7Br和Plasma清洗。而由于铝基覆铜板材料在原厂制作完成时，为了铝基铝面不被污染或划伤，在铝面贴上保护膜出货给蚀刻厂，蚀刻厂在加工完成时候，由于保护膜有一定的粘度，退膜时候会有硅胶残留在铝基板背面，硅胶渗透在铝基板面的氧化孔里，而有机溶剂和Plasma清洗能力有限，也不能完全清洗干净，有硅胶残留在铝面上，在模块塑封时候，影响塑封料与铝基板结合，出现塑封分层情况，影响产品的可靠性。
[0004]因此，需提供一种新半导体器件的制造方法来解决上述问题。

技术实现思路

[0005]针对以上相关技术的不足，本专利技术提出一种半导体器件的制造方法。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种半导体器件的制造方法，包括：
[0007]S10，提供多批铝基板，对所述铝基板进行抽检，将抽检合格批次的铝基板的背面进行激光蚀刻，将激光蚀刻后的所述铝基板用等离子水进行清洗；
[0008]S20，将清洗后的所述铝基板进行锡膏印刷；
[0009]S30，将锡膏印刷后的所述铝基板的特定位置处贴设IGBT芯片、FRD芯片以及HVIC芯片；
[0010]S40，将贴设有所述IGBT芯片、所述FRD芯片以及所述HVIC芯片的所述铝基板的预设位置处贴设阻容件；
[0011]S50，将贴设有所述阻容件的所述铝基板进行SMT回流焊接；
[0012]S60，将回流焊接后的所述铝基板进行AOI全检，并将AOI全检合格的铝基板进行清洗，并将清洗后的所述铝基板进行第一次烘烤；
[0013]S70，将第一次烘烤后的所述铝基板进行预烘烤，并将预烘烤完成后的所述铝基板焊接金属线；
[0014]S80，对金属线焊接完成的所述铝基板进行AOI全检，将检测合格的所述铝基板进行第二次预烘烤；
[0015]S90，将第二次预烘烤后的所述铝基板进行封装，并将封装后的所述铝基板进行激光打标；
[0016]S100，将打标后的所述铝基板进行后固化整平处理，并将后固化整平处理后的铝基板放入至成型模具中进行切筋成型形成半导体器件；
[0017]S110，对所述半导体器件进行电参数测试，将电参数测试合格的所述半导体器件进行外观检测，并将检测合格的所述半导体器件包装、贴标、盖合格检验章入库。
[0018]优选的，在所述S10中将抽检合格批次的铝基板的背面进行激光蚀刻，并将激光蚀刻后的所述铝基板用等离子水进行清洗，其步骤具体包括：
[0019]S1，将抽检合格批次的铝基板放置到载具上，再把所述载具输送至激光设备待检区，打开所述激光设备的侧门，并将所述载具固定在所述激光设备的照射平台上，所述载具固定在所述照射平台后关闭侧门；
[0020]S2，开启所述激光设备的电源并调好工作参数，使所述激光设备根据预设的程序对铝基板的背面进行照射蚀刻，同时，所述激光设备的吸渣管对所述激光设备的照射区域进行铝渣吸除；
[0021]S3，将蚀刻完成后关闭所述激光设备的电源，并将蚀刻好的所述铝基板进行清洗。
[0022]优选的，在所述S3中将蚀刻好的所述铝基板进行清洗，其步骤具体包括：
[0023]S31，将蚀刻好的所述铝基板放入清洗篮的小卡槽里面，再将所述清洗篮输送到清洗设备的待洗区；
[0024]S32，启动所述清洗设备自动识别、固定所述清洗篮，并将所述清洗篮依次输送至所述清洗设备的三个精洗槽进行逐级精洗并烘干；
[0025]S33，将烘干后的所述清洗篮中的所述铝基板取出，将所述铝基板输送至锡膏印刷设备。
[0026]优选的，在所述S70中并预烘烤完成后的所述铝基板焊接金属线包括：
[0027]S71，将预烘烤完成后的所述铝基板的预设位置处焊接粗铝线；
[0028]S72，将焊接粗铝线后的所述铝基板的预设位置处焊接细铝线。
[0029]优选的，所述激光设备包括激光设备主体、用于放置所述铝基板的载具、固定于所述激光设备主体内侧底部的照射平台、固定于激光设备主体内侧顶部且与所述照射平台相对设置的电源激发器，且所述电源激发器通过活动轨道与所述激光设备主体形成滑动连接、固定于所述电源激发器底部的能量发射头、安装在所述激光设备主体侧面的激光设备侧门以及位于所述激光设备主体内部用于铝渣吸除的吸渣管。
[0030]与相关技术相比，本专利技术提供的一种半导体器件的制造方法，通过在铝基板清洗之前对铝基板的背面进行激光蚀刻，利用激光设备在铝基板的背面进行激光扫瞄蚀刻，使得铝基板的铝面去除一层薄薄的铝层，然后通过等离子水清洗干净，可以完全把铝基板铝面的硅胶等污染物清除干净，从而可以有效保证铝基板铝面的硅胶清除，以增加铝基板的铝面粗糙度和洁净度，进而提高铝面与塑封料的结合力。另外，用等离子水清洗，可以减少对环境的污染。
附图说明
[0031]下面结合附图详细说明本专利技术。通过结合以下附图所作的详细描述，本专利技术的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中：
[0032]图1为本专利技术一种半导体器件的制造方法的流程示意图；
[0033]图2为本专利技术中铝基板进行激光蚀刻的流程示意图；
[0034]图3为本专利技术S3中铝基板进行清洗的流程示意图；
[0035]图4为本专利技术中激光设备的结构示意图。
具体实施方式
[0036]下面结合附图详细说明本专利技术的具体实施方式。
[0037]在此记载的具体实施方式\实施例为本专利技术的特定的具体实施方式，用于说明本专利技术的构思，均是解释性和示例性的，不应解释为对本专利技术实施方式及本专利技术范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案，都在本专利技术的保护范围之内。
[0038]请参考图1
‑
4所示，本专利技术提供一种半导体器件的制造方法，其包括：
[0039]S10，提供多批铝基板，对所述铝基板进行抽检，将抽检合格批次的铝基板的背面进行激光蚀刻，将激光蚀刻后的所述铝基板用等离子水进行清洗；
[0040]S20，将清洗后的所述铝基板进行锡膏印刷；
[0041]S30，将锡膏印刷后的所述铝基板的特定位置处贴设IGBT芯片、FRD芯片以及HVIC芯片；
[0042]S40，将贴设有所述IGBT芯片、所述FRD芯片以及所述HVIC芯片的所述铝基板的预设位置处贴设阻容件；
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法包括：S10，提供多批铝基板，对所述铝基板进行抽检，将抽检合格批次的铝基板的背面进行激光蚀刻，将激光蚀刻后的所述铝基板用等离子水进行清洗；S20，将清洗后的所述铝基板进行锡膏印刷；S30，将锡膏印刷后的所述铝基板的特定位置处贴设IGBT芯片、FRD芯片以及HVIC芯片；S40，将贴设有所述IGBT芯片、所述FRD芯片以及所述HVIC芯片的所述铝基板的预设位置处贴设阻容件；S50，将贴设有所述阻容件的所述铝基板进行SMT回流焊接；S60，将回流焊接后的所述铝基板进行AOI全检，并将AOI全检合格的铝基板进行清洗，并将清洗后的所述铝基板进行第一次烘烤；S70，将第一次烘烤后的所述铝基板进行预烘烤，并将预烘烤完成后的所述铝基板焊接金属线；S80，对金属线焊接完成的所述铝基板进行AOI全检，将检测合格的所述铝基板进行第二次预烘烤；S90，将第二次预烘烤后的所述铝基板进行封装，并将封装后的所述铝基板进行激光打标；S100，将打标后的所述铝基板进行后固化整平处理，并将后固化整平处理后的铝基板放入至成型模具中进行切筋成型形成半导体器件；S110，对所述半导体器件进行电参数测试，将电参数测试合格的所述半导体器件进行外观检测，并将检测合格的所述半导体器件包装、贴标、盖合格检验章入库。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述S10中将抽检合格批次的铝基板的背面进行激光蚀刻，并将激光蚀刻后的所述铝基板用等离子水进行清洗，其步骤具体包括：S1，将抽检合格批次的铝基板放置到载具上，再把所述载具输送至激光设备待检区，打开...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，张土明，黄浩，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：