本公开提供了一种晶圆承载装置及晶圆加工设备，晶圆承载装置包括承载台和导气管路，承载台具有承载面，承载面上设有多个环形凹槽；导气管路具有多个吸气口，吸气口设置在环形凹槽内，且导气管路连接有抽真空组件、以在环形凹槽内形成负压使晶圆吸附在承载面上；其中，沿承载台的外周径向朝内，吸气口与承载面之间的距离逐渐增大至固定不变。本公开的晶圆承载装置便于提供更好的吸附力，提高了承载台边缘的抽真空强度以应对晶圆边缘翘曲，并且对无翘曲晶圆也会有良好的吸附能力，大大减少了晶圆加工设备的宕机次数，提高了正常运行时间。间。间。
【技术实现步骤摘要】
晶圆承载装置及晶圆加工设备
[0001]本公开涉及半导体制备
，尤其涉及一种晶圆承载装置及晶圆加工设备。
技术介绍
[0002]近年来，随着半导体产业迅速发展，对于晶圆的质量要求也不断提升。然而，在半导体的加工制造过程中，晶圆不可避免地会受到应力作用，尤其是当晶圆经过研磨等工艺加工后，厚度会发生变化，晶圆的平坦度会变差，晶圆的边缘部分容易翘曲。当翘曲的晶圆放置于承载台上时，对晶圆的吸附可靠性降低，晶圆边缘会发生真空逸散，导致晶圆加工设备发生真空报错或晶圆的位置偏移，进而影响晶圆的质量。
技术实现思路
[0003]本公开提供了一种晶圆承载装置及晶圆加工设备，以至少解决现有技术中存在的部分技术问题，技术方案如下。
[0004]根据本公开的晶圆承载装置，包括承载台以及导气管路，承载台具有承载面，承载面上设有多个环形凹槽；导气管路具有多个吸气口，吸气口设置在环形凹槽内，且导气管路连接有抽真空组件、以在环形凹槽内形成负压使晶圆吸附在承载面上；其中，沿承载台的外周径向朝内，吸气口与承载面之间的距离逐渐增大至固定不变。
[0005]在一可实施方式中，多个环形凹槽在承载台的径向方向上分为外圈凹槽和内圈凹槽，外圈凹槽的槽底为斜面，且沿承载台的外周径向朝内，斜面逐渐朝远离承载面方向倾斜，外圈凹槽内的吸气口设置在外圈凹槽的槽底上；内圈凹槽的槽底与承载面满足平行条件，内圈凹槽内的吸气口设置在内圈凹槽的槽底上。
[0006]在一可实施方式中，外圈凹槽为多个。
[0007]在一可实施方式中，多个外圈凹槽的槽底在同一斜坡面上。
[0008]在一可实施方式中，斜坡面相对内圈凹槽的槽底倾斜0.4度～1.91度。
[0009]在一可实施方式中，位于最外圈环形凹槽上的吸气口与承载面之间的距离是0.046mm～0.5mm。
[0010]在一可实施方式中，内圈凹槽为多个。
[0011]在一可实施方式中，多个内圈凹槽的槽底在同一平面上。
[0012]在一可实施方式中，每个环形凹槽内具有多个吸气口，多个吸气口沿对应的环形凹槽周向均匀分布。
[0013]在一可实施方式中，导气管路还具有抽气口，承载台具有与承载面相对的远离面，抽气口设置在远离面上，抽真空组件连接在抽气口上。
[0014]在一可实施方式中，导气管路包括第一管路、中间管路和多个第二管路，多个第二管路通过中间管路与第一管路连通，抽气口设置在第一管路的远离中间管路的一端上，吸气口设置在第二管路的远离中间管路的一端上。
[0015]根据本公开的晶圆加工设备，包括机架和上述的晶圆承载装置，晶圆承载装置设
置在机架上。
[0016]本公开中，晶圆承载装置包括承载台，使晶圆能够放置于承载面上；由于导气管路具有多个吸气口，吸气口设置在承载面上的环形凹槽内，且靠近承载台外周的吸气口更加接近放置于承载面上的晶圆，因此晶圆与吸气口之间的空间小，存在的气体更少，便于抽真空组件更快的将两者间的空气吸走，提供更好的吸附力。由此，晶圆承载装置提高了承载台边缘的抽真空强度以应对晶圆边缘翘曲，并且对无翘曲晶圆也会有良好的吸附能力，大大减少了晶圆加工设备的宕机次数，提高了正常运行时间。
[0017]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本公开的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0018]通过参考附图阅读下文的详细描述，本公开示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本公开的若干实施方式，其中：
[0019]在附图中，相同或对应的标号表示相同或对应的部分。
[0020]图1示出了本公开一个示例性实施例晶圆承载装置的立体图；
[0021]图2示出了本公开一个示例性实施例晶圆承载装置的剖面视图(环形凹槽的槽底至承载面的距离均相同)；
[0022]图3示出了本公开一个示例性实施例晶圆承载装置的俯视图(环形凹槽同心设置)；
[0023]图4示出了本公开另一个示例性实施例晶圆承载装置的俯视图(环形凹槽非同心设置)；
[0024]图5示出了本公开再一个示例性实施例晶圆承载装置的立体剖视图；
[0025]图6示出了图5中晶圆承载装置的剖面视图(外圈凹槽的槽底为斜面)。
[0026]图中标号说明：1、承载台；11、承载面；12、远离面；13、环形凹槽；131、第一凹槽；132、第二凹槽；133、第三凹槽；134、第四凹槽；135、第五凹槽；136、第六凹槽；14、中心凹槽；2、导气管路；21、第一管路；211、抽气口；22、中间管路；23、第二管路；24、气管；201、吸气口；3、晶圆。
具体实施方式
[0027]为使本公开的目的、特征、优点用于更加的明显和易懂，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而非全部实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0028]为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等，用来描述图中所示的一个或多个部件或特征与其他部件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语不但包含部件在图中所描述的方位，还包括使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的部件被整体倒置，则部件“在其他部件或特征上方”或“在其他部件或特征之上”的将包括部件“在其他部件或构造下方”或“在其
他部件或构造之下”的情况。因而，示例性术语“在
……
上方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。此外，这些部件或特征也可以其他不同角度来定0位(例如旋转90度或其他角度)，本文意在包含所有这些情况。
[0029]需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本公开的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、部件、组件和/或它们的组合。
[0030]需要说明的是，本公开的说明书和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本公开的实施方式用于以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
[0031]本公开的描述中，需要理解的是，方位词所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括：承载台(1)，具有承载面(11)，所述承载面(11)上设有多个环形凹槽(13)；以及导气管路(2)，具有多个吸气口(201)，所述吸气口(201)设置在所述环形凹槽(13)内，且所述导气管路(2)连接有抽真空组件、以在所述环形凹槽(13)内形成负压使晶圆(3)吸附在所述承载面(11)上；其中，沿所述承载台(1)的外周径向朝内，所述吸气口(201)与所述承载面(11)之间的距离逐渐增大至固定不变。2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，多个所述环形凹槽(13)在所述承载台(1)的径向方向上分为外圈凹槽和内圈凹槽，所述外圈凹槽的槽底为斜面，且沿所述承载台(1)的外周径向朝内，所述斜面逐渐朝远离所述承载面(11)方向倾斜，所述外圈凹槽内的吸气口(201)设置在所述外圈凹槽的槽底上；所述内圈凹槽的槽底与所述承载面(11)满足平行条件，所述内圈凹槽内的吸气口(201)设置在所述内圈凹槽的槽底上。3.根据权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述外圈凹槽为多个。4.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，多个所述外圈凹槽的槽底在同一斜坡面上。5.根据权利要求4所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述斜坡面相对所述内圈凹槽的槽底倾斜0.4度～1.91度。6.根据权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，位于最外圈所述环形凹槽(13)上的所述吸...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵国瑞，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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