带电粒子束描绘方法及带电粒子束描绘装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够以高准确度计算因带电效应导致的射束位置偏移量分布的带电粒子束描绘方法及带电粒子束描绘装置。将图案密度分布ρ（ｘ，ｙ）和利用该图案密度分布ρ（ｘ，ｙ）计算出的剂量分布Ｄ（ｘ，ｙ）相乘，来计算照射量分布Ｅ（ｘ，ｙ）（Ｓ１０４）。使用照射量分布Ｅ（ｘ，ｙ）和描述雾扩散分布的函数ｇ（ｘ，ｙ），来计算雾电子量分布Ｆ（ｘ，ｙ，σ）（Ｓ１０６）。利用照射量分布Ｅ（ｘ，ｙ）和雾电子量分布Ｆ（ｘ，ｙ，σ），来计算照射区域及非照射区域的带电量分布Ｃ（ｘ，ｙ）（Ｓ１０８）。使用带电量分布Ｃ（ｘ，ｙ）和将带电量变换为位置偏移误差的响应函数ｒ（ｘ，ｙ），来计算位置偏移量分布ｐ（ｘ，ｙ）（Ｓ１１０）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及带电粒子束描绘方法及带电粒子束描绘装置。更为详细而言，本专利技术涉及因试样的带电效应导致的带电粒子束的位置偏移量的计算及校正。
技术介绍
由于两次图案曝光技术的导入，因而人们要求光掩模的位置准确度的提高。与之相伴，一般要求光掩模内的图案配置准确度的提高，但是众所周知，当使用电子束描绘装置来描绘光掩模的图案时，因抗蚀剂带电效应而使射束照射位置产生偏移。 作为校正该射束照射位置偏移的方法之一，在抗蚀剂层上形成带电防止膜(CDLCharge Dissipation Layer)来防止抗蚀剂表面带电的方法，已为众所周知。但是，该带电防止膜因为基本上具有酸的特性，所以和化学放大型抗蚀剂之间的相合性不佳。另外，为了形成带电防止膜需要设置新的设备，光掩模的制造成本进一步增大。因此，人们希望在不使用带电防止膜的状况下，进行带电效应校正(CECcharging effect correction)。 例如，在下述专利文献1中，提出了一种根据电场强度来计算射束照射位置的校正量，并根据该校正量来照射射束的描绘装置。根据该描绘装置，假定为在照射量分布和带电量分布之间线性比例关系成立，从照射量分布通过线性响应函数来计算位置偏移量分布。 然而，根据本专利技术人的进一步研究，得知若假定为在照射量分布和位置偏移量分布之间线性比例关系成立，则无法以高准确度计算位置偏移量分布。因此，产生了建立新模型的必要性，该新模型不使用此线性比例关系，以高准确度求取位置偏移量分布。 专利文献1日本特开2007-324175号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于，鉴于上述课题，提供一种能够以高准确度计算因带电效应导致的射束位置偏移量分布的带电粒子束描绘方法及带电粒子束描绘装置。 为了解决上述课题，本专利技术的第1方式是一种带电粒子束描绘方法，使带电粒子束偏转，对载物台上的试样描绘图案，其特征在于，包括利用照射在试样上的带电粒子束的照射量分布、以及雾电子量分布，来计算带电粒子束的照射区域的带电量分布和非照射区域的带电量分布的工序；根据照射区域及非照射区域的带电量分布，计算试样上的上述带电粒子束的位置偏移量的分布的工序；以及根据位置偏移量的分布使带电粒子束偏转，对试样描绘图案的工序。 在该第1方式中，也可以还包括根据照射量分布和试样的从被照射带电粒子束的照射区域向非照射区域扩散的雾电子的扩散分布，计算雾电子量分布的工序。 在该第1方式中，也可以还包括根据试样的每个规定区域的图案密度分布，计算剂量分布的工序；以及根据图案密度分布和剂量分布，计算照射量分布的工序。 在该第1方式中，可以使用由下式(a)表达的函数CF(F)计算上述非照射区域的带电量分布。 CF(F)＝—c1×Fα …(a) (在上式(a)中，F是雾电子量分布，c1是常数，并且0<α<1。) 另外，可以使用由下式(b)表达的函数CE(E，F)计算上述照射区域的带电量分布。 CE(E，F)＝CE(E)+CFe(F)＝c0—c1×Fα …(b) (在上式(b)中，E是照射量分布，F是雾电子量分布，c0、c1是常数，并且0<α<1。) 另外，在该第1方式中优选的是，使用照射量分布及雾电子量分布的多项式函数来计算照射区域的带电量分布，使用雾电子量分布的多项式函数来计算非照射区域的带电量分布。 更为具体而言，优选的是，使用由下式(c)表达的多项式函数来计算照射区域的带电量分布。 C(E，F)＝(d0+d1×ρ+d2×D+d3×E)+(e1×F+e2×F2+e3×F3) …(c) (在上式(c)中，ρ是图案密度分布，D是剂量分布，E是照射量分布，F是雾电子量分布，d0、d1、d2、d3、e1、e2、e3是常数。) 另外，优选的是，使用由下式(d)表达的多项式函数来计算非照射部区域的带电量分布。 CF(F)＝f1×F+f2×F2+f3×F3 …(d) (在上式(d)中，F是雾电子量分布，f1、f2、f3是常数。) 为了解决上述课题，本专利技术的第2方式是一种带电粒子束描绘装置，由偏转器使带电粒子束偏转，对载物台上的试样描绘图案，其特征在于，具备位置偏移量分布计算构件，根据试样的被照射带电粒子束的照射区域的带电量分布、以及不被照射带电粒子束的非照射区域的带电量分布，计算试样上的带电粒子束的位置偏移量的分布；以及偏转器控制构件，根据位置偏移量的分布，控制上述偏转器。 在该第2方式中，也可以还具备带电量分布计算构件，利用照射于试样上的带电粒子束的照射量分布和雾电子量分布，来计算照射区域及非照射区域的带电量分布。 在该第2方式中，也可以还具备雾电子量分布计算构件，根据照射量分布和从照射区域向上述非照射区域扩散的雾电子扩散分布，来计算雾电子量分布。 另外，在该第2方式中，也可以还具备剂量分布计算构件，根据试样的每个规定区域的图案密度分布，来计算剂量分布；以及照射量分布计算构件，根据图案密度分布及剂量分布，来计算照射量分布。 根据第1方式，因为不是根据照射量分布通过线性响应函数直接导出位置偏移量分布，而是利用照射量分布和雾电子量分布，计算照射区域及非照射区域的带电量分布，并根据该带电量分布来计算位置偏移量分布，所以能够计算在考虑线性比例关系时没有计算的试样上射束的位置偏移。从而，可以以高准确度校正因带电效应导致的射束位置偏移。 根据该第2方式，因为根据照射区域及非照射区域的带电量分布，来计算试样上带电粒子束的位置偏移量的分布，并根据该位置偏移的分布来控制偏转器，所以能够以高准确度校正因带电效应导致的射束位置偏移。 附图说明 图1是本专利技术实施方式中电子束描绘装置100的概略结构图。 图2是表示图案描绘时试样2移动方向的附图。 图3A是说明根据本专利技术实施方式的描绘方法所用的流程图。 图3B是说明根据本专利技术实施方式的描绘方法所用的流程图。 图4是表示按照图案密度使剂量产生变化的情形和与图案密度无关而固定剂量的情形的附图。 图5是说明栅格匹配的流程所用的概略图。 图6是说明根据相对于本专利技术实施方式的比较例的位置偏移量分布的计算方法所用的附图。 图7是表示描述扩散分布的函数g′(x，y)的附图。 图8是表示为了计算响应函数所假定的模型的附图。 图9A是表示比较例的验证时所提供的1次阶梯函数的附图。 图9B是表示根据比较例求出的位置偏移量分布p(x)的附图。 图10是表示比较例的验证时求出的线性响应函数R1(x)和理想的响应函数R2(x)的附图。 图11是表示用来测量抗蚀剂带电效应的测试布局的附图。 图12是放大表示第1及第2方框阵列的附图。 图13A是表示图案密度为100％的照射垫(irradiation pad)的附图。 图13B是表示图案密度为75％的照射垫的附图。 图13C是表示图案密度为50％的照射垫的附图。 图13D是表示图案密度为25％的照射垫的附图。 图14A是表示对于化学放大型抗蚀剂A的位置偏移的测量结果的概略图。 图14B是表示对于化学放大型抗蚀剂B的位置偏移的测量结果的概略图。 图14C是表示对于化学放大型抗蚀剂C的位置偏移的测量结果的概略图。 图15A是图示抗蚀剂A、图案密度25％时的X方向的位置偏移量的附图。 图15B是图示抗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带电粒子束描绘方法，使带电粒子束偏转，在载物台上的试样上描绘图案，其特征在于，包括：　利用照射在试样上的带电粒子束的照射量分布、以及雾电子量分布，计算带电粒子束的照射区域的带电量分布和非照射区域的带电量分布的工序；　根据上述 照射区域及非照射区域的带电量分布，计算上述试样上的上述带电粒子束的位置偏移量的分布的工序；以及　根据上述位置偏移量的分布使上述带电粒子束偏转，在上述试样上描绘图案的工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中山田宪昭，和气清二，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]