一种TO共晶机制造技术

技术编号:38930969 阅读:12 留言:0更新日期:2023-09-25 09:35
本申请涉及芯片共晶技术的领域,尤其涉及一种TO共晶机,包括共晶机主体,共晶机主体上表面设置有支撑架、双晶环供料组件以及单晶环供料组件,在本申请实施例中,双晶环供料组件与单晶环供料组件相对设置,双晶环供料组件与单晶环供料组件之间设置有共晶加热台,并且共晶机主体还设置有管座上料组件,管座上料组件与共晶加热台相对设置,支撑架设置于共晶加热台远离管座上料组件的一侧,本申请具有提高共晶效率的效果。晶效率的效果。晶效率的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种TO共晶机


[0001]本申请涉及芯片共晶技术的领域,尤其是涉及一种TO共晶机。

技术介绍

[0002]激光三极管是一种光电转换晶体管,常应用于先进制造、医疗、航空航天、光纤通信等各种高科技领域的电路控制,包括管座以及共晶于管座顶部的芯片模块,当需组装激光三极管时,需将管座与芯片模块共晶(To技术)。激光三极管中的芯片模块由上至下依次为激光芯片、保护芯片以及热沉芯片(及载体母片),激光芯片是一种可以激光感应物体距离和大小并反馈光信号的一种微型感应元件;热沉芯片(即载体母片)是一种既可传递电流,又可冷却散热以稳定整体工作温度的一种微型散热元件;保护芯片可使激光三极管稳定适配大功率的工作环境。CoC技术及CoS技术属芯片模块中的共晶加工技术,仅需共晶热沉芯片(即载体母片)及激光芯片。
[0003]现有手段中的双工位共晶机只能满足于共晶两种芯片:一边上热沉芯片,一边上激光芯片,加保护芯片后,仅能用两台共晶机,第一台完成两种芯片的共晶,而后第二台完成最后第三层芯片的共晶,采用这种模式进行共晶,成本比较高并且共晶效率低。

技术实现思路

[0004]为了降低成本同时提高共晶效率,本申请提供一种TO共晶机。
[0005]本申请提供的一种TO共晶机采用如下的技术方案:一种TO共晶机,包括共晶机主体;所述共晶机主体上表面设置有双晶环供料组件以及单晶环供料组件;所述双晶环供料组件与所述单晶环供料组件相对设置;所述双晶环供料组件与所述单晶环供料组件之间设置有共晶加热台,用于对热沉芯片、激光芯片以及保护芯片进行共晶;所述共晶机主体还设置有管座上料组件;所述管座上料组件与所述共晶加热台相对设置。
[0006]通过采用上述技术方案,将热沉芯片和保护芯片放置于双晶环供料组件,将激光芯片放置于单晶环供料组件,然后双晶环供料组件和单晶环供料组件利用转运过程的时间差将对应的芯片运输至共晶加热台,管座上料组件将管座运输至共晶加热台,将芯片进行共晶,省时省力,提高了共晶效率。
[0007]优选的,所述双晶环供料组件包括第一滑轨和第二滑轨;所述第一滑轨安装于所述共晶机主体上表面;所述第二滑轨嵌装于所述第一滑轨;所述第一滑轨设置有第一电机,用于控制所述第二滑轨的移动;所述第二滑轨沿所述第一滑轨的长度方向滑移设置;所述第二滑轨上方嵌装有第一滑台;所述第二滑轨设置有第二电机,用于控制所述第一滑台的移动;所述第一滑台沿所述第二滑轨的长度方向滑移设置;所述第一滑台靠近所述共晶加热台的一侧连接有双晶片工作台。
[0008]通过采用上述技术方案,将热沉芯片和保护芯片放置于双晶片工作台,然后第一电机和第二电机启动,第一电机带动第二滑轨沿第一滑轨的长度方向进行滑移,第二电机
带动第一滑台沿第二滑轨的长度方向进行滑移,便于快速调节热沉芯片和保护芯片的位置从而能够快速将热沉芯片和保护芯片转运至共晶加热台,省时省力,提高共晶效率。
[0009]优选的,所述单晶环供料组件包括第三滑轨和第四滑轨;所述第三滑轨安装于所述共晶机主体上表面;所述第四滑轨嵌装于所述第三滑轨;所述第三滑轨设置有第三电机,用于控制所述第四滑轨的移动;所述第四滑轨沿所述第三滑轨的长度方向滑移设置;所述第四滑轨上方嵌装有第二滑台;所述第四滑轨设置有第四电机,用于控制所述第二滑台的移动;所述第二滑台沿所述第四滑台的长度方向滑移设置;所述第二滑台靠近所述共晶加热台的一侧连接有单晶片工作台。
[0010]通过采用上述技术方案,将激光芯片放置于单晶片工作台,然后第三电机和第四电机启动,第三电机带动第四滑轨沿第三滑轨的长度方向进行滑移,第四电机带动第二滑台沿第四滑轨的长度方向进行滑移,便于快速调节激光芯片的位置从而能够快速将激光芯片转运至共晶加热台,省时省力,提高共晶效率。
[0011]优选的,所述共晶机主体上表面设置有支撑架;所述共晶加热台安装于所述支撑架靠近所述管座上料组件的一侧;所述共晶机主体上表面安装有第一角度校正台;所述第一角度校正台设置于所述共晶加热台靠近所述双晶环供料组件的一侧;所述支撑架安装有第一转运焊头和第一转运手;所述第一转运焊头设置于所述双晶环供料组件与所述第一角度校正台之间;所述第一转运手设置于所述第一角度校正台与所述共晶加热台之间;所述第一转运焊头旋转设置;所述第一转运手沿所述支撑架的长度方向滑移设置。
[0012]通过采用上述技术方案,第一转运焊头能够夹取双晶环供料组件上的热沉芯片或保护芯片,然后第一转运焊头进行旋转,将热沉芯片或保护芯片运送至第一角度校正台,对热沉芯片或保护芯片的角度进行调整,然后第一转运手将热沉芯片或保护芯片运送至共晶加热台,在此过程中,TO共晶机能够利用转运的时间差进行热沉芯片和保护芯片的运输,省时省力,提高共晶效率。
[0013]优选的,所述共晶机主体上表面安装有第二角度校正台;所述第二角度校正台设置于所述共晶加热台靠近所述单晶环供料组件的一侧;所述支撑架安装有第二转运焊头和第二转运手;所述第二转运焊头设置于所述单晶环供料组件与所述第二角度校正台之间;所述第二转运手设置于所述第二角度校正台与所述共晶加热台之间;所述第二转运焊头旋转设置;所述第二转运手沿所述支撑架的长度方向滑移设置。
[0014]通过采用上述技术方案,第二转运焊头能够夹取单晶环供料组件上的激光芯片,然后第二转运焊头进行旋转,将激光芯片运送至第二角度校正台,对激光芯片的角度进行调整,然后第二转运手将激光芯片运送至共晶加热台,在此过程中,TO共晶机能够利用转运的时间差进行热沉芯片、保护芯片以及激光芯片的运输,省时省力,进一步提高共晶效率。
[0015]优选的,所述支撑架设置有第一共晶镜筒和第二共晶镜筒;所述第一共晶镜筒设置于所述第一转运焊头远离所述第一转运手的一侧;所述第二共晶镜筒设置于所述第二转运焊头远离所述第二转运手的一侧;所述第一共晶镜筒用于识别所述双晶环供料组件的上料位置;所述第二共晶镜筒用于识别所述单晶环供料组件的上料位置。
[0016]通过采用上述技术方案,设置第一共晶镜筒和第二共晶镜筒,第一共晶镜筒用于识别双晶环供料组件的上料位置,第二共晶镜筒用于识别单晶环供料组件的上料位置,提高TO共晶机夹取芯片的精准性和稳定性,减少TO共晶机转运过程中出现夹取不到芯片的可
能性,进一步提高TO共晶机工作的稳定性从而提高共晶效率。
[0017]优选的,所述支撑架设置有第三共晶镜筒和第四共晶镜筒;所述第三共晶镜筒设置于所述第一角度校正台的上方;所述第四共晶镜筒设置于所述第二角度校正台的上方。
[0018]通过采用上述技术方案,设置第三共晶镜筒和第四共晶镜筒,第三共晶镜筒用于观察第一转运焊头的下料位置,监控第一角度校正台的角度校准精确度,第四共晶镜筒用于观察第二转运焊头的下料位置,监控第二角度校正台的角度校准精确度提高芯片的角度精准性和稳定性,减少共晶位置不精准的可能性,进一步提高TO共晶机工作的稳定性从而提高共晶效率。
[0019]优选的,所述支撑架设置有第五共晶镜筒;所述第五共晶镜筒设本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TO共晶机,其特征在于:包括共晶机主体(1);所述共晶机主体(1)上表面设置有双晶环供料组件(2)以及单晶环供料组件(3);所述双晶环供料组件(2)与所述单晶环供料组件(3)相对设置;所述双晶环供料组件(2)与所述单晶环供料组件(3)之间设置有共晶加热台(4),用于对热沉芯片、激光芯片以及保护芯片进行共晶;所述共晶机主体(1)还设置有管座上料组件(5);所述管座上料组件(5)与所述共晶加热台(4)相对设置。2.根据权利要求1所述的一种TO共晶机,其特征在于:所述双晶环供料组件(2)包括第一滑轨(21)和第二滑轨(22);所述第一滑轨(21)安装于所述共晶机主体(1)上表面;所述第二滑轨(22)嵌装于所述第一滑轨(21);所述第一滑轨(21)设置有第一电机(23),用于控制所述第二滑轨(22)的移动;所述第二滑轨(22)沿所述第一滑轨(21)的长度方向滑移设置;所述第二滑轨(22)上方嵌装有第一滑台(24);所述第二滑轨(22)设置有第二电机(25),用于控制所述第一滑台(24)的移动;所述第一滑台(24)沿所述第二滑轨(22)的长度方向滑移设置;所述第一滑台(24)靠近所述共晶加热台(4)的一侧连接有双晶片工作台(26)。3.根据权利要求1所述的一种TO共晶机,其特征在于:所述单晶环供料组件(3)包括第三滑轨(31)和第四滑轨(32);所述第三滑轨(31)安装于所述共晶机主体(1)上表面;所述第四滑轨(32)嵌装于所述第三滑轨(31);所述第三滑轨(31)设置有第三电机(33),用于控制所述第四滑轨(32)的移动;所述第四滑轨(32)沿所述第三滑轨(31)的长度方向滑移设置;所述第四滑轨(32)上方嵌装有第二滑台(34);所述第四滑轨(32)设置有第四电机(35),用于控制所述第二滑台(34)的移动;所述第二滑台(34)沿所述第四滑台的长度方向滑移设置;所述第二滑台(34)靠近所述共晶加热台(4)的一侧连接有单晶片工作台(36)。4.根据权利要求1所述的一种TO共晶机,其特征在于:所述共晶机主体(1)上表面设置有支撑架(6);所述共晶加热台(4)安装于所述支撑架(6)靠近所述管座上料组件(5)的一侧;所述共晶机主体(1)上表面安装有第一角度校正台(7);所述第一角度校正台(7)设置于所述共晶加热台(4)靠近所述双晶环供料组件(2)的一侧;所述支撑架(6)安装有第一转运焊头(61)和第一转运手(62);所述第一转运焊头(61)设置于所述双晶环供料组件(2)与所述第一角度校正台(7)之间;所述第一转运手(6...

【专利技术属性】
技术研发人员:李金龙李德荣
申请(专利权)人:佑光智能半导体科技深圳有限公司
类型:发明
国别省市:

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