一种双模式兼容共晶机制造技术

本申请涉及一种双模式兼容共晶机，属于芯片共晶领域，主要应用于兼容两种工作模式并高效率、高精度共晶激光三极管或芯片模块，其包括机架主体、选择性工作的管座供料模块以及用于对芯片供料并转运的第一供料模块及第二供料模块。机架主体设置有用于共晶激光三极管的恒温共晶台以及用于共晶加工芯片模块的变温共晶台，第一供料模块可供应并转运激光芯片，第二供料模块在实现热沉芯片的供料并转运的同时，可通过第三供料位选择性供应保护芯片。当恒温共晶台工作时，管座供料模块及第三供料位同步动作以切换至To工作环境共晶激光三极管；当变温共晶台工作时，管座供料模块及第三供料位不工作，以切换CoS工作环境共晶加工芯片模块。片模块。片模块。

【技术实现步骤摘要】
一种双模式兼容共晶机


[0001]本申请涉及芯片共晶领域，尤其是涉及一种双模式兼容共晶机。

技术介绍

[0002]芯片是微型电路中的核心，芯片模块包括堆叠设置的多层芯片。芯片模块的加工通常采用TSV技术，TSV(through silicon via)技术是穿透硅通孔技术的缩写，一般简称硅通孔技术，是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种技术解决方案，但需对芯片加工通孔。
[0003]为了简化芯片模块加工的工序及进一步优化芯片模块的性能，市面上推出了CoC技术，CoC技术以小于 100 微米的面对面小间距倒装芯片互连，无需穿硅通孔 (TSV) 就能以电气方式连接多个芯片，两个（或更多）晶片能以更快的速度更高效地传输，采用更高频率带宽，并减小电阻 (R)、电感 (L) 和电容电阻，而成本比 TSV 更低。CoS技术是CoC技术的升级，即在芯片底部加装载体母片（即热沉芯片）以提高散热能力、简化后续组装工序、电性全检出货并电性分类出货。
[0004]激光三极管是一种光电转换晶体管，常应用于先进制造、医疗、航空航天、光纤通信等各种高科技领本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双模式兼容共晶机，其特征在于，包括：机架主体(100)，所述机架主体(100)设置有恒温共晶台(110)以及变温共晶台(120)；管座供料模块(200)，安装于所述机架主体(100)并用于将管座上料至所述恒温共晶台(110)及对所述恒温共晶台(110)共晶完成产品进行抓取下料；当所述恒温共晶台(110)工作时所述管座供料模块(200)同步动作，用于切换To工作环境共晶激光三极管；第一供料模块(300)，安装于所述机架主体(100)；所述第一供料模块(300)包括用于对激光芯片供料的第一供料位(310)以及将激光芯片选择性转运至所述恒温共晶台(110)或变温共晶台(120)进行共晶的第一转运件(320)；第二供料模块(400)，安装于所述机架主体(100)；所述第二供料模块(400)包括用于对热沉芯片供料的第二供料位(411)、用于选择性对保护芯片供料的第三供料位(412)以及可依次进行芯片转运的第二转运件(421)；当所述变温共晶台(120)工作时所述管座供料模块(200)及所述第三供料位(412)不工作，用于切换CoS工作环境共晶加工芯片模块。2.根据权利要求1所述的双模式兼容共晶机，其特征在于，所述第二供料模块(400)包括用于供应芯片的芯片供料组件(410)，所述芯片供料组件(410)包括设置于所述机架主体(100)的XY滑台件(413)，所述XY滑台件(413)的滑台固定设置有料盘底板(414)，所述第二供料位(411)及所述第三供料位(412)皆固定设置于所述料盘底板(414)。3.根据权利要求2所述的双模式兼容共晶机，其特征在于，所述机架主体(100)固定设置有支撑架(130)，所述第二供料模块(400)还包括芯片转运组件(420)；所述芯片转运组件(420)包括所述第二转运件(421)、用于校准芯片角度的芯片校准件(423)以及用于抓取芯片并将其转运至芯片校准件(423)的摇臂转运件(422)；所述芯片校准件...

【专利技术属性】
技术研发人员：李德荣，李金龙，李银拴，
申请(专利权)人：佑光智能半导体科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：