【技术实现步骤摘要】
一种硅晶圆片酸腐蚀装置及使用方法
[0001]本申请涉及半导体加工
,具体地涉及一种硅晶圆片酸腐蚀装置及使用方法。
技术介绍
[0002]在晶圆加工过程中,晶圆经过切片、研磨等机械加工后,其表面因机械加工产生的应力而形成一定深度的损伤层。通常采用化学腐蚀的方法来消除机械损伤层。其中,硅晶圆片的化学蚀刻工艺通常分为碱蚀刻工艺与酸蚀刻工艺,碱蚀刻是各向异性蚀刻过程,蚀刻速率相对较慢,硅晶圆片表面粗糙度较大,酸蚀刻是各向同性蚀刻过程,蚀刻速率快,尤其是硅晶圆中心蚀刻速率更快,表面粗糙度小,但硅晶圆片形貌不宜控制。由于酸腐蚀工艺技术的复杂性,各家设备制造厂商设计出一些特殊的腐蚀设备。而现有的酸腐蚀设备存在以下技术问题:
[0003]1、缺乏快速转运功能:现有技术中的酸腐蚀设备在硅片转运方面存在不足,转运速度较慢,无法满足高效率的加工需求。
[0004]2、缺乏多功能单元:现有技术中的酸腐蚀设备通常功能单一,无法满足不同工艺需求下的清洗和腐蚀处理。
[0005]3、清洗效果和质量不佳:现有技术中的清洗功能有限,无法对硅片进行高效清洗,导致清洗效果和质量不稳定。
[0006]4、缺乏实时检测和自动控制功能:现有技术中的酸腐蚀设备缺乏药液浓度的实时检测和自动补液功能,需要人工操作并容易造成误差。
技术实现思路
[0007]为了克服以上的技术缺陷,本申请提供一种硅晶圆片酸腐蚀装置及使用方法,其具有结构设计合理、设备运行安全、可靠、稳定,有效防止溶液扩散至环境中以及防止人体接触腐蚀 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅晶圆片酸腐蚀装置,包括箱体(8)以及设置在箱体(8)内的腐蚀笼(10),其特征在于,所述箱体(8)的内部设有安装架,所述安装架上设有快速转运机构(1)、水洗槽(2)、快排缓冲箱(3)、酸腐蚀槽(4)、恒温箱体(5)以及药液浓度检测系统(6),所述水洗槽(2)与酸腐蚀槽(4)并排设置在安装架上方且快速转运机构(1)能够将腐蚀笼(10)在水洗槽(2)与酸腐蚀槽(4)之间来回转运,所述快排缓冲箱(3)设置在水洗槽(2)下方且水洗槽(2)的排放口与快排缓冲箱(3)连通,所述恒温箱体(5)设置在酸腐蚀槽(4)的下方且酸腐蚀槽(4)的下端通过循环管与恒温箱体(5)连通,所述恒温箱体(5)内的药液能够通过计量泵补入到酸腐蚀槽(4),所述药液浓度检测系统(6)与酸腐蚀槽(4)连接并用于实时检测酸腐蚀槽(4)内的药液浓度信息。2.根据权利要求1所述的一种硅晶圆片酸腐蚀装置,其特征在于,所述快速转运机构(1)包括翻转摆动箱(1
‑
1)、限位臂架(1
‑
2)以及相对设置的两个安装座,所述腐蚀笼(10)的两端可转动连接在翻转摆动箱(1
‑
1)上,所述翻转摆动箱(1
‑
1)内嵌且滑动设置在限位臂架(1
‑
2)内,两个所述安装座上均通过转轴连接有摆动臂(1
‑
3)且两个所述摆动臂(1
‑
3)的另一端分别与翻转摆动箱(1
‑
1)的两侧铰接,其中一侧的安装座上设有驱动电机(1
‑
4),所述驱动电机(1
‑
4)的输出轴设有主动齿轮(1
‑
5)且同侧所述转轴的一端设有与主动齿轮(1
‑
5)啮合的从动齿轮(1
‑
6)。3.根据权利要求2所述的一种硅晶圆片酸腐蚀装置,其特征在于,所述限位臂架(1
‑
2)由限位架体(1
‑
21)和多组限位导轮(1
‑
22)装配而成,所述限位导轮(1
‑
22)有引导沟且翻转摆动箱(1
‑
1)上的滑动板内衬在限位导轮(1
‑
22)上的引导沟内。4.根据权利要求2所述的一种硅晶圆片酸腐蚀装置,其特征在于,所述腐蚀笼(10)由设置在翻转摆动箱(1
‑
1)内部的翻转电机进行驱动。5.根据权利要求1所述的一种硅晶圆片酸腐蚀装置,其特征在于,所述水洗槽(2)包括外槽(2
‑
1)和设置在外槽(2
‑
1)内的内槽(2
‑
2),所述内槽(2
‑
2)上端四周均设有锯齿形溢流结构(2
‑
3),所述水洗槽(2)的底部设有进液管(2
‑
4)和两路排液管(2
‑
5),两路排液管(2
‑
5)上均设有电磁阀且两路排液管(2
‑
5)的下端均与快排缓冲箱(3)连通,所述外槽(2
‑
1)两侧上方均配备有喷淋管(2
‑
6)且外槽(2
‑
...
【专利技术属性】
技术研发人员:王云飞,贾世杰,李天兵,魏守冲,
申请(专利权)人:磐石创新江苏电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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