一种半导体设备制造技术

本申请实施例提供一种半导体设备，该半导体设备包括：机台，至少包括反应腔；冷却装置，与反应腔连接，用于对反应腔中的废气进行冷却处理；废气处理装置，通过输送管路与冷却装置连接，用于对冷却后的废气进行处理；气体流动增速装置，设置于输送管路中，用于加速冷却后的废气传输至废气处理装置。的废气传输至废气处理装置。的废气传输至废气处理装置。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备


[0001]本申请涉及半导体
，涉及但不限于一种半导体设备。

技术介绍

[0002]在半导体制程中，扩散炉是半导体生产线前段工序的重要工艺设备之一。扩散炉用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。固态热扩散工艺形成结需要两步，第一步称为淀积(Deposition)目的是将掺杂剂引入晶圆表面，第二步称为推进氧化(Drive
‑
in
‑
oxidation)，目的是将掺杂剂推进(散布)到期望的深度。
[0003]低压化学气相沉积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)是在低压下，经由气体或蒸汽的化学反应，形成一固态反应沉积物在晶圆表面，形成所需的薄膜的过程，因此在这个过程中稳定低压就显得格外重要。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例提供一种半导体设备。
[0005]本申请实施例提供一种半导体设备，包括：
[0006]机台，至少包括反应腔；
[0007]冷却装置，与所述反应腔连接，用于对所述反应腔中的废气进行冷却处理；
[0008]废气处理装置，通过输送管路与冷却装置连接，用于对冷却后的所述废气进行处理；
[0009]气体流动增速装置，设置于所述输送管路中，用于加速所述冷却后的废气传输至所述废气处理装置。
[0010]在一些实施例中，所述气体流动增速装置包括轴承和固定在所述轴承上的叶片；
[0011]其中，所述叶片的顶部边缘与所述输送管路的内壁之间的距离小于第一预设距离。
[0012]在一些实施例中，所述叶片远离所述轴承一侧的边缘具有尖角、锐边或者毛刺。
[0013]在一些实施例中，还包括：尖锐结构；
[0014]所述尖锐结构设置于所述叶片远离所述轴承的一侧，且与所述叶片固定连接。
[0015]在一些实施例中，所述尖锐结构的边缘与所述输送管路的内壁之间的距离小于第二预设距离；
[0016]所述尖锐结构包括：尖嘴刀片、弧形刀片、锯齿形刀片、尖嘴刮板、弧形刮板或者锯齿形刮板。
[0017]在一些实施例中，所述叶片和所述轴承表面均具有镀层，所述镀层用于防止所述冷却后的废气在所述叶片和所述轴承表面沉积；和/或，
[0018]所述输送管路内壁具有镀层，所述镀层用于防止所述冷却后的废气在所述输送管路内壁沉积。
[0019]在一些实施例中，还包括：
[0020]控制单元，与所述机台和所述气体流动增速装置连接，用于控制所述气体流动增速装置进行工作。
[0021]在一些实施例中，还包括：至少一个第一检测单元，与所述控制单元连接；
[0022]所述第一检测单元设置于所述气体流动增速装置上，用于对所述气体流动增速装置的转速进行检测；
[0023]所述控制单元还用于在任意一个所述第一检测单元检测到的所述转速小于预设转速时，控制所述机台停止工作。
[0024]在一些实施例中，还包括：至少一个第二检测单元，与所述控制单元连接；
[0025]所述第二检测单元设置于所述输送管路的内壁，用于对所述输送管路内的气体流动速度进行检测；
[0026]所述控制单元还用于在任意一个所述第二检测单元检测到的所述气体流动速度小于预设气体流动速度时，控制所述机台停止工作。
[0027]在一些实施例中，还包括：
[0028]真空泵，包括抽气管和排气管，其中，所述抽气管与所述反应腔连接，所述排气管与所述冷却装置连接；所述真空泵用于对所述反应腔进行抽真空处理，并将所述反应腔的废气传输至所述冷却装置。
[0029]本申请实施例提供一种半导体设备，该半导体设备包括：机台，至少包括反应腔；冷却装置，与反应腔连接，用于对反应腔中的废气进行冷却处理；废气处理装置，通过输送管路与冷却装置连接，用于对冷却后的废气进行处理；气体流动增速装置，设置于输送管路中，用于加速冷却后的废气传输至废气处理装置。由于本申请实施例中的半导体设备包括气体流动增速装置，这样可以通过气体流动增速装置加速输送管路中的废气向废气处理装置传输，从而不会造成输送管路的堵塞，进而能够降低生产成本，提成产品的良率。
附图说明
[0030]在附图(其不一定是按比例绘制的)中，相似的附图标记可在不同的视图中描述相似的部件。具有不同字母后缀的相似附图标记可表示相似部件的不同示例。附图以示例而非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个实施例。
[0031]图1为本申请实施例提供的半导体设备的结构示意图一；
[0032]图2为本申请实施例提供的气体流动增速装置的结构示意图一；
[0033]图3为本申请实施例提供的气体流动增速装置的结构示意图二；
[0034]图4为本申请实施例提供的气体流动增速装置的结构示意图三；
[0035]图5为本申请实施例提供的气体流动增速装置的结构示意图四；
[0036]图6为本申请实施例提供的尖锐结构的结构示意图；
[0037]图7为本申请实施例提供的半导体设备的结构示意图二；
[0038]图8为本申请实施例提供的半导体设备的结构示意图三；
[0039]图9为本申请实施例提供的半导体设备的结构示意图四；
[0040]图10为本申请实施例提供的半导体设备的结构示意图五；
[0041]图11为本申请实施例提供的半导体设备的输送管路内部的结构设计图。
具体实施方式
[0042]下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0043]在下文的描述中，给出了大量的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。
[0044]在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0045]应当明白，当元件或层被称为“在
……
上”、“与
……
相邻”、“连接到”或“耦合到”其他元件或层时，其可以直接地在其他元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其他元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
……
上”、“与
……
直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其他元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：机台，至少包括反应腔；冷却装置，与所述反应腔连接，用于对所述反应腔中的废气进行冷却处理；废气处理装置，通过输送管路与冷却装置连接，用于对冷却后的所述废气进行处理；气体流动增速装置，设置于所述输送管路中，用于加速所述冷却后的废气传输至所述废气处理装置。2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述气体流动增速装置包括轴承和固定在所述轴承上的叶片；其中，所述叶片远离所述轴承一侧的边缘与所述输送管路的内壁之间的距离小于第一预设距离。3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述叶片远离所述轴承一侧的边缘具有尖角、锐边或者毛刺。4.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，还包括：尖锐结构；所述尖锐结构设置于所述叶片远离所述轴承的一侧，且与所述叶片固定连接。5.根据权利要求4所述的半导体设备，其特征在于，所述尖锐结构的边缘与所述输送管路的内壁之间的距离小于第二预设距离；所述尖锐结构包括：尖嘴刀片、弧形刀片、锯齿形刀片、尖嘴刮板、弧形刮板或者锯齿形刮板。6.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述叶片和所述轴承表面均具有镀层，所述镀层用于防止所述冷却后的废气在所述叶片和所述轴承表面沉积；和/或，所述输送管...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘锦，
申请(专利权)人：湖北江城芯片中试服务有限公司，
类型：发明
国别省市：