【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种晶圆承载装置及其控制方法以及蚀刻机台。
技术介绍
1、在一些半导体制作机台中，例如蚀刻机台或者气体沉积机台中，在这些半导体制作机台中一般会集成或者装配晶圆承载装置来固定、承载晶圆，以对晶圆进行不同的制程。在晶圆进行制程流转或者传递的过程中，也可使用晶圆承载装置对晶圆进行固定。随着半导体制作工艺越发精细和严苛，对晶圆承载装置的工艺要求也越来越高，当前晶圆承载装置还存在改进空间。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种晶圆承载装置及其控制方法以及蚀刻机台。
2、根据本公开实施例的一些方面，提供一种晶圆承载装置，包括：
3、晶圆承载台，具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面用于承载晶圆；
4、多个顶杆，接触所述晶圆，沿垂直于所述第一表面的第一方向位移；
5、多个背压室，位于所述晶圆承载台的第二表面的一侧；与所述多个背压室一一对应连通的多个压力传感器；
6、与多个所述背压室一一对应相连通的多个喷嘴；所述多个喷嘴位于与其对应的顶杆的相邻位置，所述多个喷嘴的出口端的水平高度相等；
7、控制模块，被用于控制所述多个顶杆远离所述第一表面位移，使所述晶圆远离所述第一表面，所述多个喷嘴的出口端的水平高度低于所述多个顶杆与所述晶圆的接触端的水平高度；控制多个所述喷嘴朝向所述晶圆表面喷气，根据所述多个压力传感器反馈的数值控制所述多个顶杆凸出所述第一表面的多个第一距离。
9、在一些实施例中，当所述第一距离处于所述第一预设范围时，所述压力传感器的数值与所述第一距离具有单调对应关系。
10、在一些实施例中，所述多个喷嘴的出口端与所述晶圆承载台的第一表面平齐。
11、在一些实施例中，所述背压室包括气源口、喷气口以及测试口；
12、所述气源口用于外接气源，所述喷气口用于连通对应的所述喷嘴；
13、所述测试口用于连通对应的压力传感器。
14、在一些实施例中，所述测试口位于所述喷气口正对的一侧内壁上；所述气源口位于所述测试口相邻的一侧内壁上。
15、在一些实施例中，所述晶圆承载装置包括至少3个所述顶杆。
16、根据本公开实施例的一些方面，提供一种蚀刻机台，包括上述晶圆承载装置，所述晶圆承载装置位于所述蚀刻腔内。
17、在一些实施例中，所述蚀刻机台还包括：
18、水平测量装置，位于所述蚀刻腔内，用于测量所述第一距离；当所述第一距离处于第一预设范围时，控制至少一个所述顶杆沿所述第一方向位移，调整所述第一距离。
19、根据本公开实施例的一些方面，提供一种晶圆承载装置的控制方法，包括：
20、将晶圆放置于晶圆承载台的第一表面；
21、使多个顶杆沿垂直于所述第一表面的第一方向、远离所述第一表面位移，使所述晶圆远离所述第一表面，多个喷嘴的出口端的水平高度低于所述多个顶杆与所述晶圆的接触端的水平高度；其中，所述多个喷嘴与所述多个背压室一一对应连通，所述多个喷嘴位于与其对应的顶杆的相邻位置，所述多个喷嘴的出口端的水平高度相等；
22、使所述多个喷嘴朝向所述晶圆表面喷气；根据所述多个背压室一一对应连通的多个压力传感器反馈的数值控制所述多个顶杆凸出所述第一表面的多个第一距离。
23、在一些实施例中，所述控制方法还包括：
24、确定所述第一距离，当所述第一距离处于第一预设范围时，控制至少一个所述顶杆沿所述第一方向位移，调整所述第一距离。
25、在一些实施例中，当所述第一距离处于所述第一预设范围时，所述压力传感器的数值与所述第一距离具有单调对应关系。
26、本公开实施例提供一种晶圆承载装置，包括晶圆承载台，具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面用于承载晶圆；多个顶杆，用于接触晶圆，沿垂直于第一表面的第一方向位移；多个背压室，位于晶圆承载台的第二表面的一侧；每一个背压室包括；与多个背压室一一对应连通的多个压力传感器；与多个背压室对应相连通的多个喷嘴；多个喷嘴位于与其对应的顶杆的相邻位置，多个喷嘴的出口端的水平高度相等；控制模块，被用于控制多个顶杆远离第一表面位移，使晶圆远离所述第一表面，多个喷嘴的出口端的水平高度低于多个顶杆与晶圆的接触端的水平高度；控制多个喷嘴朝向所述晶圆表面喷气，根据多个压力传感器反馈的数值控制多个顶杆凸出第一表面的多个第一距离，以实现对每一个顶杆凸出第一表面(晶圆承载面)的自动调节，在调整晶圆水平减少破片提高制程良率的同时，还可减少停机人工手动调水平的情形，提高设备流片制程效率。
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1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述控制模块还被用于确定所述第一距离，当所述第一距离处于第一预设范围时，控制至少一个所述顶杆沿所述第一方向位移，调整所述第一距离。
3.根据权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，当所述第一距离处于所述第一预设范围时，所述压力传感器的数值与所述第一距离具有单调对应关系。
4.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述多个喷嘴的出口端与所述晶圆承载台的第一表面平齐。
5.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述背压室包括气源口、喷气口以及测试口；
6.根据权利要求5所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述测试口位于所述喷气口正对的一侧内壁上；所述气源口位于所述测试口相邻的一侧内壁上。
7.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆承载装置包括至少3个所述顶杆。
8.一种蚀刻机台，其特征在于，包括权利要求1至7任意一项所述的晶圆承载装置，所述晶圆承载装置位于蚀刻腔内。
9
10.一种晶圆承载装置的控制方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的控制方法，其特征在于，所述控制方法还包括：
12.根据权利要求11所述的控制方法，其特征在于，当所述第一距离处于所述第一预设范围时，所述压力传感器的数值与所述第一距离具有单调对应关系。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述控制模块还被用于确定所述第一距离，当所述第一距离处于第一预设范围时，控制至少一个所述顶杆沿所述第一方向位移，调整所述第一距离。
3.根据权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，当所述第一距离处于所述第一预设范围时，所述压力传感器的数值与所述第一距离具有单调对应关系。
4.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述多个喷嘴的出口端与所述晶圆承载台的第一表面平齐。
5.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述背压室包括气源口、喷气口以及测试口；
6.根据权利要求5所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述测试口...
【专利技术属性】
技术研发人员：张积，刘瑶，
申请(专利权)人：湖北江城芯片中试服务有限公司，
类型：发明
国别省市：
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