一种锯齿波和时钟信号生成电路制造技术

技术编号:3889305 阅读:409 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开一种锯齿波和时钟信号生成电路,包括锯齿波生成电路和锯齿波方波转换电路,所述锯齿波生成电路利用恒定电流对电容的充放电来生成固定频率的锯齿波;所述锯齿波方波转换电路用于将所述锯齿波转换为相同频率的方波并锁存。本发明专利技术的电路结构简单,不需要生成基准电压的带隙基准电路,这样减少了电路中的器件数目,减小了静态功耗,缩小了集成电路芯片的有效面积,节约了成本。本发明专利技术采用恒定的电流对电容充放电来生成锯齿波,保证了锯齿波的高线性度。同时本发明专利技术还采用了低温度系数控制结构,保证了时钟频率的高精度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种锯齿波和时钟信号生成电路,包括,用于生成锯齿波的锯齿波生成电路,以及,用于将所述锯齿波转换为方波从而生成时钟信号的锯齿波方波转换电路,其特征在于,所述锯齿波生成电路包括: 顺序地连接于电源与地之间的第一电阻、第一NPN晶体管、第二电阻和第二NPN晶体管,所述第一NPN晶体管的基极和集电极相连; 第一PMOS晶体管,其源极接电源,其栅极和漏极相连; 第二PMOS晶体管,其源极接电源,其栅极接所述第一PMOS晶体管的栅极; 第三PMOS晶体管,其源极接所述第一PMOS晶体管的漏极,其栅极被提供有所述时钟信号; 第四NMOS晶体管,其漏极接所述第二PMOS晶体管的漏极,其源极接所述第三PMOS晶体管的漏极,其栅极被提供有所述时钟信号; 顺序地连接于所述第三PMOS晶体管的漏极与地之间的第三NPN晶体管和第三电阻,所述第三NPN晶体管的基极接所述第二NPN晶体管的集电极,所述第三NPN晶体管的发射极接所述第二NPN晶体管的基极; 第一电容,连接于所述第二NMOS晶体管的漏极与地之间,通过对所述第一电容的充放电来生成锯齿波。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:夏云凯李建锋刘洪涛
申请(专利权)人:西安民展微电子有限公司
类型:发明
国别省市:87[中国|西安]

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