CMOS芯片和包括CMOS芯片的电子装置制造方法及图纸

提供CMOS芯片和包括CMOS芯片的电子装置。所述CMOS芯片包括：信号转换电路，被配置为转换基带信号和射频信号；多个端口，射频信号通过所述多个端口被发送或接收，所述多个端口分别包括在第一发送路径、第二发送路径和接收路径中；以及多个匹配网络，连接到信号转换电路，所述多个匹配网络分别连接到所述多个端口，所述多个匹配网络之中的第一匹配网络包括外部匹配网络，并且外部匹配网络被配置为执行化合物半导体装置的阻抗匹配。物半导体装置的阻抗匹配。物半导体装置的阻抗匹配。

【技术实现步骤摘要】
CMOS芯片和包括CMOS芯片的电子装置
[0001]本申请要求于2022年3月10日提交到韩国知识产权局的第10
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2022
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0029899号韩国专利申请和于2022年5月30日提交到韩国知识产权局的第10
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2022
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0066122号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。


[0002]本公开的实施例涉及互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片和包括CMOS芯片的电子装置，更具体地，涉及能够同时或同期地支持不同类型的终端的CMOS芯片和包括CMOS芯片的电子装置。

技术介绍

[0003]无线保真(Wi
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Fi)终端可被分类为要求更高性能的旗舰终端和走量终端(volume terminal)(例如，其不要求更高性能)。旗舰终端通过使用基于化合物(例如，GaAs、SiGe等)的更高成本前端模块(FEM)来实现聚焦于更高性能的前端解决方案。相比之下，走量终端不使用用于更高性能的更高成本FEM。
[0004]然而，对走量终端中的Wi
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Fi发送(TX)性能/效率提高的需求继续存在，并且附加地，除了现有频带(<5.9GHz)之外，对Wi
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Fi 6E规范(～7.2GHz)的频率扩展也被要求。另外，即使旗舰终端在Wi
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Fi性能上遭受一定程度的劣化，对使用更高成本FEM的替代解决方案也在不断地被审视。

技术实现思路
/>[0005]本公开的实施例提供能够支持混合型收发器的CMOS芯片和包括CMOS芯片的电子装置，在混合型收发器中，基于化合物装置的功率单元(PC)和基于互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的无源设计被组合。
[0006]根据本公开的实施例，一种CMOS芯片包括：信号转换电路，被配置为转换基带信号和RF信号；多个端口，RF信号通过所述多个端口被发送或接收，所述多个端口分别包括在第一发送路径、第二发送路径和接收路径中；以及多个匹配网络，连接到信号转换电路，所述多个匹配网络分别连接到所述多个端口，所述多个匹配网络之中的第一匹配网络包括外部匹配网络，并且外部匹配网络被配置为执行化合物半导体装置的阻抗匹配。
[0007]根据本公开的实施例，一种电子装置包括：处理电路系统，被配置为生成第一基带信号；RF芯片，被配置为，基于第一基带信号来生成发送RF信号，或者处理接收RF信号以获得第二基带信号；FEM，被配置为，将发送RF信号引导到第一发送路径或第二发送路径中的一个，并且将接收RF信号引导到接收路径；以及天线，被配置为发送发送RF信号或者接收接收RF信号，其中，RF芯片包括：CMOS芯片，包括信号转换电路、第一多个端口和多个匹配网络，信号转换电路被配置为生成发送RF信号或者处理接收RF信号，所述第一多个端口分别包括在第一发送路径、第二发送路径和接收路径中，所述多个匹配网络连接到信号转换电路，所述多个匹配网络分别连接到所述第一多个端口；第二多个端口，连接到FEM，所述第二
多个端口分别包括在第一发送路径、第二发送路径和接收路径中；以及功率单元，在第一端口与第二端口之间，所述第一多个端口包括第一端口，所述第二多个端口包括第二端口，并且功率单元包括化合物半导体装置，并且所述多个匹配网络之中的第一匹配网络包括外部匹配网络，外部匹配网络被配置为执行化合物半导体装置的阻抗匹配。
[0008]根据本公开的实施例，一种电子装置包括：处理电路系统，被配置为生成第一基带信号；RF芯片，被配置为：基于第一基带信号来生成发送RF信号，或者处理接收RF信号以获得第二基带信号；FEM，被配置为：放大发送RF信号以获得放大后的发送RF信号，并且将放大后的发送RF信号引导到第一发送路径，以及放大接收RF信号以获得放大后的接收RF信号，并且将放大后的发送RF信号引导到接收路径；以及天线，被配置为发送发送RF信号或者接收接收RF信号，其中，RF芯片包括：CMOS芯片，包括信号转换电路、第一多个端口和多个匹配网络，信号转换电路被配置为生成发送RF信号或者处理接收RF信号，所述第一多个端口分别包括在第一发送路径、第二发送路径和接收路径中，所述多个匹配网络连接到信号转换电路，所述多个匹配网络分别连接到所述第一多个端口；以及第二多个端口，分别包括在第一发送路径、第二发送路径和接收路径中，并且所述多个匹配网络之中的第一匹配网络包括外部匹配网络，外部匹配网络被配置为执行化合物半导体装置的阻抗匹配，并且第二发送路径被去激活。
附图说明
[0009]提供每个附图的详细描述以便于更透彻地理解在本公开的详细描述中引用的附图。
[0010]图1是示出根据本公开的实施例的CMOS芯片的示图。
[0011]图2是示出包括在CMOS芯片中的信号转换电路的示图。
[0012]图3是示出包括在CMOS芯片中的第二匹配网络的示图。
[0013]图4是示出图3的源匹配网络的示图。
[0014]图5是示出图3的外部匹配网络的示图。
[0015]图6是示出根据本公开的实施例的电子装置的示图。
[0016]图7是示出包括在图6的RF芯片中的功率单元的示图。
[0017]图8是示出图7的偏置电路的示图。
[0018]图9是示出图6的FEM的示图。
[0019]图10是示出根据本公开的实施例的电子装置的示图。
[0020]图11是示出包括在图10的电子装置中的FEM的示图。
具体实施方式
[0021]在下文中，本公开的实施例可被详细且清楚地描述至本领域普通技术人员可容易地实现本公开的实施例的程度。
[0022]图1是示出根据本公开的实施例的CMOS芯片的示图。
[0023]参照图1，根据本公开的实施例的CMOS芯片10包括信号转换电路20、第一端口至第三端口P1、P2和P3(例如，第一端口P1、第二端口P2和第三端口P3)和/或作为多个匹配网络的第一匹配网络至第三匹配网络30、40和60(例如，第一匹配网络(M/N 1)30、第二匹配网络
(M/N 2)40和第三匹配网络(M/N 3)60)。
[0024]信号转换电路20被配置为转换基带信号和RF信号。信号转换电路20可基于CMOS工艺来实现(例如，根据CMOS工艺来制造)。在本公开中，基带信号可用于统称为第一基带信号BB_1和第二基带信号BB_2，第一基带信号BB_1针对到通过发送路径发送的RF信号(在下文中，称为发送RF信号RF_Tx)的转换而被提供，第二基带信号BB_2针对通过接收路径接收的RF信号(在下文中，称为接收RF信号RF_Rx)的转换(例如，由转换产生)而被提供给处理器。在图1中，第一发送路径可包括第一匹配网络30和第一端口P1，第二发送路径可包括第二匹配网络40和第二端口P2，并且接收路径可包括第三匹配网络60和第三端口P3。另外，RF信号可用于统称为上述发送RF信号RF_Tx和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CMOS芯片，包括：信号转换电路，被配置为转换基带信号和射频信号；多个端口，射频信号通过所述多个端口被发送或接收，所述多个端口分别包括在第一发送路径、第二发送路径和接收路径中；以及多个匹配网络，连接到信号转换电路，所述多个匹配网络分别连接到所述多个端口，所述多个匹配网络之中的第一匹配网络包括外部匹配网络，并且外部匹配网络被配置为执行化合物半导体装置的阻抗匹配。2.根据权利要求1所述的CMOS芯片，其中，信号转换电路被配置为基于化合物半导体装置是否被包括在第二发送路径中来激活或去激活第一匹配网络。3.根据权利要求1所述的CMOS芯片，其中，信号转换电路和所述多个匹配网络基于CMOS工艺被实现。4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的CMOS芯片，其中，信号转换电路包括：滤波器单元，被配置为对基带信号进行滤波；锁相环，被配置为生成本地振荡器信号；混频器单元，被配置为：基于本地振荡器信号对基带信号进行上变频以生成射频信号，或者对射频信号进行下变频以生成基带信号；放大单元，被配置为放大射频信号；以及切换单元，被配置为基于切换操作将射频信号引导到第一发送路径和第二发送路径中的一个。5.根据权利要求4所述的CMOS芯片，其中，切换单元被配置为：当化合物半导体装置包括在第二发送路径中时，激活第一匹配网络；以及当化合物半导体装置未包括在第二发送路径中时，使第一匹配网络去激活。6.根据权利要求4所述的CMOS芯片，其中，第一匹配网络还包括：源匹配网络，连接到放大单元和所述多个端口之中的第一端口；以及带隙基准电路，被配置为施加参考信号，带隙基准电路连接到所述多个端口之中的第二端口。7.根据权利要求1所述的CMOS芯片，其中，外部匹配网络连接到所述多个端口之中的第一端口和天线端口。8.一种电子装置，包括：处理电路系统，被配置为生成第一基带信号；射频芯片，被配置为：基于第一基带信号来生成发送射频信号，或者处理接收射频信号以获得第二基带信号；前端模块，被配置为：将发送射频信号引导到第一发送路径和第二发送路径中的一个，并且将接收射频信号引导到接收路径；以及天线，被配置为发送发送射频信号或者接收接收射频信号，其中，射频芯片包括：CMOS芯片，包括信号转换电路、第一多个端口和多个匹配网络，信号转换电路被配置为生成发送射频信号或者处理接收射频信号，所述第一多个端口分别包括在第一发送路径、第二发送路径和接收路径中，所述多个匹配网络连接到信号转换电路，所述多个匹配网络
分别连接到所述第一多个端口；第二多个端口，连接到前端模块，所述第二多个端口分别包括在第一发送路径、第二发送路径和接收路径中；以及功率单元，在第一端口与第二端口之间，所述第一多个端口包括第一端口，所述第二多个端口包括第二端口，并且功率单元包括化合物半导体装置，并且所述多个匹配网络之中的第一匹配网络包括外部匹配网络，外部匹配网络被配置为执行化合物半导体装置的阻抗匹配。9.根据权利要求8所述的电子装置，其中，化合物半导体装置是III
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V族化合物半导体装置。10.根据权利要求8所述的电子装置，其中，第一匹配网络还包括：第一引脚、第二引脚和第三引脚，各自包括在第一端口中；源匹配网络，连接到第一引脚；以及带隙基准电路，连接到第二引脚，带隙基准电路被配置为施加参考信号。11.根据权利要求10所述的电子装置，其中，功率单元还包括：第四引脚、第五引脚和第六引脚，各自...

【专利技术属性】
技术研发人员：金荣敏，朴弘种，刘相珉，韩相昱，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：