本发明专利技术公开一种激光脱焊装置的温度控制方法、装置及存储介质，其中，所述激光脱焊装置的温度控制方法包括以下步骤在进行激光熔融时，获取脱焊位置处的实际温度；计算所述实际温度与预设温度的温度差值；根据所述温度差值确定温度调整策略，根据所述温度调整策略控制激光器的输出功率，通过获取脱焊位置处的实际温度，以便计算出所述实际温度与预设温度的温度差值，再根据所述温度差值确定所述温度调整策略，并根据所述温度调整策略控制激光器的输出功率，如此，通过获取所述实际温度，以便精确控制激光光斑的温度，形成闭环控制，以在不烧坏电路板或者元器件的前提下融化焊料，从而完成电路板与元器件的分离。成电路板与元器件的分离。成电路板与元器件的分离。
【技术实现步骤摘要】
激光脱焊装置的温度控制方法、装置及存储介质
[0001]本专利技术涉及激光脱焊
，特别涉及一种激光脱焊装置的温度控制方法、装置及存储介质。
技术介绍
[0002]电路板在返修时，需要将电路板上的元器件与基板进行分离，而电路板上的元器件与基板通常是通过锡焊连接，要分离元器件首先要将焊锡融化，即进行脱焊处理。目前电路板脱焊处理通常采用红外辐射方式进行脱焊，能够在不直接接触电路板的前提下溶化焊锡，但电路板以及电路板上的元器件和引脚等对红外辐射的吸收率和反射率不同，使得电路板与元器件或者元器件之间的温差较大，容易导致电路板或者元器件因温度过高而损坏。
技术实现思路
[0003]本专利技术的主要目的是提出一种激光脱焊装置的温度控制方法、装置及存储介质，旨在解决现有电路板元器件脱焊时容易因温度过高而损坏的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出一种激光脱焊装置的温度控制方法，包括以下步骤：在进行激光熔融时，获取脱焊位置处的实际温度；计算所述实际温度与预设温度的温度差值；根据所述温度差值确定温度调整策略，根据所述温度调整策略控制激光器的输出功率。
[0005]可选地，所述根据所述温度差值确定温度调整策略，根据所述温度调整策略控制激光器的输出功率，包括：当所述温度差值满足预设温度条件时，控制所述激光器的输出功率不变；当所述温度差值不满足所述预设温度条件时，调整所述激光器的输出功率，直至所述温度差值满足所述预设温度条件。
[0006]可选地，所述当所述温度差值不满足所述预设温度条件时，调整所述激光器的输出功率，直至所述温度差值满足所述预设温度条件的步骤，包括：当所述温度差值大于预设温度差值时，控制所述激光器的输出功率以第一功率加速度进行调整；当所述温度差值不大于所述预设温度差值时，控制所述激光器的输出功率以第二功率加速度进行调整；其中，所述第一功率加速度大于所述第二功率加速度。
[0007]可选地，所述预设温度条件为T，其中，
‑
5℃≤T≤5℃。
[0008]可选地，所述获取脱焊位置处的实际温度的步骤之前，包括：获取待脱焊元器件的形状；根据所述待脱焊元器件的形状确定待脱焊元器件的焊点位置；
根据所述焊点位置，确定激光光斑的预设移动路径；控制激光光斑沿所述预设移动路径活动。
[0009]可选地，所述根据所述焊点位置，确定激光光斑的预设移动路径之后，还包括：获取激光光斑的实际位置；根据所述实际位置与所述预设移动路径，确定激光光斑的偏移差值；根据所述偏移差值确定激光光斑的移动调整策略。
[0010]可选地，所述根据所述偏移差值确定激光光斑的移动调整策略的步骤，包括：当所述偏移差值满足预设偏移条件时，控制激光光斑继续沿所述预设移动路径移动；当所述偏移差值不满足所述预设偏移条件时，调整激光光斑的位置，以使所述偏移差值满足所述预设偏移条件。
[0011]可选地，预设偏移量为S，其中，0≤S≤0.1mm；所述预设偏移条件包括0≤S≤0.1mm。
[0012]此外，本专利技术还提供一种激光脱焊装置，包括：机座，形成有一光轴；激光器，设于所述机座，且处在所述光轴上；红外测温装置，设于所述机座，且与所述激光器同轴设置；透镜组，包括活动安装于所述机座的活动透镜，所述活动透镜设于所述光轴；驱动组件，驱动连接所述活动透镜；以及，控制器，与所述驱动组件电连接，包括存储器和处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的所述激光脱焊装置的控制程序，所述激光脱焊装置的控制程序配置为实现上述的激光脱焊装置的温度控制方法的步骤。
[0013]本专利技术还提供一种存储介质，所述存储介质上存储有激光脱焊装置的控制程序，所述激光脱焊装置的控制程序被处理器执行时实现上述的激光脱焊装置的温度控制方法的步骤。
[0014]本专利技术的技术方案中，通过获取脱焊位置处的实际温度，以便计算出所述实际温度与预设温度的温度差值，再根据所述温度差值确定所述温度调整策略，并根据所述温度调整策略控制激光器的输出功率，如此，通过获取所述实际温度，以便精确控制激光光斑的温度，形成闭环控制，以在不烧坏电路板或者元器件的前提下融化焊料，从而完成电路板与元器件的分离。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0016]图1为本专利技术提供的激光脱焊装置的一实施例的立体结构示意图；图2为图1中实施例方案涉及的硬件运行环境的控制器的结构示意图；图3为本专利技术提供的激光脱焊装置的温度控制方法的第一实施例的流程示意图。
[0017]附图标号说明：本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0018]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0020]另外，若本专利技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。
[0021]电路板在返修时，需要将电路板上的元器件与基板进行分离，而电路板上的元器件与基板通常是通过锡焊连接，要分离元器件首先要将焊锡融化，即进行脱焊处理。目前电路板脱焊处理通常采用红外辐射方式进行脱焊，能够在不直接接触电路板的前提下溶化焊锡，但电路板以及电路板上的元器件和引脚等对红外辐射的吸收率和反射率不同，使得电路板与元器件或者元器件之间的温差较大，容易导致电路板或者元器件因温度过高而损坏。
[0022]鉴于此，本专利技术提供一种激光脱焊装置，旨在解决现有电路板元器件脱焊时容易因温度过高而损坏的问题。其中，图1至图3为本专利技术提供的激光脱焊装置及其温度控制方法的一实施例的示意图。
[0023]请参阅图1，所述激光脱焊装置100包括机座1、激光器2、红外测温装置3、透镜组、驱动组件4以及控制器，所述机座1形成有一光轴，所述激光器2设于所述机座1，且处在所述光轴上，所述红本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种激光脱焊装置的温度控制方法，其特征在于，包括以下步骤：在进行激光熔融时，获取脱焊位置处的实际温度；计算所述实际温度与预设温度的温度差值；根据所述温度差值确定温度调整策略，根据所述温度调整策略控制激光器的输出功率；所述根据所述温度差值确定温度调整策略，根据所述温度调整策略控制激光器的输出功率，包括：当所述温度差值满足预设温度条件时，控制所述激光器的输出功率不变；当所述温度差值不满足所述预设温度条件时，调整所述激光器的输出功率，直至所述温度差值满足所述预设温度条件；所述当所述温度差值不满足所述预设温度条件时，调整所述激光器的输出功率，直至所述温度差值满足所述预设温度条件的步骤，包括：当所述温度差值大于预设温度差值时，控制所述激光器的输出功率以第一功率加速度进行调整；当所述温度差值不大于所述预设温度差值时，控制所述激光器的输出功率以第二功率加速度进行调整；其中，所述第一功率加速度大于所述第二功率加速度。2.如权利要求1所述的激光脱焊装置的温度控制方法，其特征在于，所述预设温度条件为T，其中，
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5℃≤T≤5℃。3.如权利要求1所述的激光脱焊装置的温度控制方法，其特征在于，所述获取脱焊位置处的实际温度的步骤之前，包括：获取待脱焊元器件的形状；根据所述待脱焊元器件的形状确定待脱焊元器件的焊点位置；根据所述焊点位置，确定激光光斑的预设移动路径；控制激光光斑沿所述预设移动路径活动。4.如权利要求3所述的激光脱焊装置的温度控制方法，其特征在于，所述根据所述焊点...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖向荣，
申请(专利权)人：武汉松盛光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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