本公开是关于一种存储器失效测试方法、存储器失效测试装置、计算机可读存储介质及电子设备，涉及集成电路技术领域。该存储器失效测试方法，包括：对所述存储器进行加速老化处理，在所述存储器的存储阵列中写入第二存储数据；读取所述存储阵列中的数据，得到读取结果；比较所述第二存储数据和所述读取结果，得到比较结果；根据所述比较结果对所述存储器进行判定。定。定。
【技术实现步骤摘要】
存储器失效测试方法及装置、存储介质及电子设备
[0001]本公开涉及集成电路
，具体而言，涉及一种存储器失效测试方法、存储器失效测试装置、计算机可读存储介质及电子设备。
技术介绍
[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由于具有结构简单，密度高，功耗低，价格低廉等优点，在计算机领域和电子行业中受到了广泛的应用。
[0003]通常，随着制程的推进，DRAM会出现很多问题。例如，副产物掉落引发短路，电容倒塌、金属线断裂、关键尺寸不合格等结构问题，这些异常的结构和颗粒需要在良率测试过程中筛选出来。
[0004]因此，为了提高DRAM制程中的良率，开发一种有效的存储器失效测试方法至关重要。
[0005]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
[0006]本公开的目的在于提供一种存储器失效测试方法、存储器失效测试装置、计算机可读存储介质及电子设备。
[0007]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本专利技术的实践而习得。
[0008]根据本公开的第一方面，提供一种存储器失效测试方法，包括：对所述存储器进行加速老化处理，所述加速老化处理包括：在所述存储器的存储阵列中写入第一存储数据；控制所述存储器进入老化模式，并开启多字线功能；根据所述多字线功能，激活所述存储器的预设字线，在预设加速测试时间后退出所述老化模式，并关闭所述多字线功能；重复所述加速老化处理，直到所有字线均被激活后结束所述加速老化处理；在所述存储器的存储阵列中写入第二存储数据；读取所述存储阵列中的数据，得到读取结果；比较所述第二存储数据和所述读取结果，得到比较结果；根据所述比较结果对所述存储器进行判定。
[0009]在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一存储数据为漏电式拓扑数据。
[0010]在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一存储数据为绕0拓扑数据或绕1拓扑数据。
[0011]在本公开的一种示例性实施方式中，所述第二存储数据包括：高低电压交替分布的拓扑结构数据。
[0012]在本公开的一种示例性实施方式中，在所述多字线功能为全字线功能时，所述预设字线为所有字线；进行一次所述加速老化处理，所有字线均被激活后结束所述加速老化处理。
[0013]在本公开的一种示例性实施方式中，在所述多字线功能为1/2字线功能时，所述预设字线为第一组1/2字线或第二组1/2字线；进行两次所述加速老化处理，所有字线均被激活后结束所述加速老化处理。
[0014]在本公开的一种示例性实施方式中，在所述多字线功能为1/4字线功能时，所述预设字线为第一组1/4字线、第二组1/4字线、第三组1/4字线或第四组1/4字线；进行四次所述加速老化处理，所有字线均被激活后结束所述加速老化处理。
[0015]在本公开的一种示例性实施方式中，在所述多字线功能为1/8字线功能时，所述预设字线为第一组1/8字线、第二组1/8字线、第三组1/8字线、第四组1/8字线、第五组1/8字线、第六组1/8字线、第七组1/8字线或第八组1/8字线；进行八次所述加速老化处理，所有字线均被激活后结束所述加速老化处理。
[0016]在本公开的一种示例性实施方式中，在所述多字线功能为1/16字线功能时，所述预设字线为第一组1/16字线、第二组1/16字线、第三组1/16字线、第四组1/16字线、第五组1/16字线、第六组1/16字线、第七组1/16字线、第八组1/16字线、第九组1/16字线、第十组1/16字线、第十一组1/16字线、第十二组1/16字线、第十三组1/16字线、第十四组1/16字线、第十五组1/16字线或第十六组1/16字线；进行十六次所述加速老化处理，所有字线均被激活后结束所述加速老化处理。
[0017]在本公开的一种示例性实施方式中，所述预设加速测试时间为所述字线的激活到预充电时间。
[0018]在本公开的一种示例性实施方式中，根据所述比较结果对所述存储器进行判定包括：所述比较结果为相同时，判定为未失效；所述比较结果为不同时，判定为失效。
[0019]在本公开的一种示例性实施方式中，所述失效的类型包括：字线失效、位线失效、字线与位线交叉处失效、位线与字线接触孔短路、或者相邻电容短路。
[0020]在本公开的一种示例性实施方式中，还包括：在对所述存储器进行加速老化处理之前，对所述存储器进行初始化处理。
[0021]根据本公开的第二方面，提供一种存储器失效测试装置，包括：控制模块，用于对所述存储器进行加速老化处理，所述加速老化处理包括：在所述存储器的存储阵列中写入第一存储数据；控制所述存储器进入老化模式，并开启多字线功能；根据所述多字线功能，激活所述存储器的预设字线，在预设加速测试时间后退出所述老化模式，并关闭所述多字线功能；重复所述加速老化处理，直到所有字线均被激活后结束所述加速老化处理；第二数据写入模块，用于在所述存储器的存储阵列中写入第二存储数据；数据读取模块，用于读取所述存储阵列中的数据，得到读取结果；比较模块，用于比较所述第二存储数据和所述读取结果，得到比较结果；判定模块，用于根据所述比较结果对所述存储器进行判定。
[0022]在本公开的一种示例性实施方式中，所述控制模块包括：第一数据写入模块，用于在所述存储器的存储阵列中写入第一存储数据；控制子模块，用于控制所述存储器进入老化模式，并开启多字线功能；根据所述多字线功能，激活所述存储器的预设字线，在预设加速测试时间后退出所述老化模式，并关闭所述多字线功能；重复所述加速老化处理，直到所有字线均被激活后结束所述加速老化处理。
[0023]根据本公开的第三方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的存储器失效测试方法。
[0024]根据本公开的第四方面，提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，用于存储所述处理器的可执行指令；其中，所述处理器配置为经由执行所述可执行指令来执行上述的存储器失效测试方法。
[0025]本公开提供的技术方案可以包括以下有益效果：
[0026]本公开示例性实施方式中，一方面，通过对存储器进行加速老化处理，可以加速存储器的老化进程，对于存在问题的存储器会提前出现功能老化，在后期数据写入和读取过程中会存在错误，并且通过比较结果就可以确定该存储器是否失效，从而用于存储器的失效测试中；另一方面，通过在存储器的存储阵列中写入第一存储数据，再控制存储器进入老化模式，可以加速存储器的老化过程，节约测试成本。
[0027]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0028]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器失效测试方法，其特征在于，包括：对所述存储器进行加速老化处理，所述加速老化处理包括：在所述存储器的存储阵列中写入第一存储数据；控制所述存储器进入老化模式，并开启多字线功能；根据所述多字线功能，激活所述存储器的预设字线，在预设加速测试时间后退出所述老化模式，并关闭所述多字线功能；重复所述加速老化处理，直到所有字线均被激活后结束所述加速老化处理；在所述存储器的存储阵列中写入第二存储数据；读取所述存储阵列中的数据，得到读取结果；比较所述第二存储数据和所述读取结果，得到比较结果；根据所述比较结果对所述存储器进行判定。2.根据权利要求1所述的存储器失效测试方法，其特征在于，所述第一存储数据为漏电式拓扑数据。3.根据权利要求2所述的存储器失效测试方法，其特征在于，所述第一存储数据为绕0拓扑数据或绕1拓扑数据。4.根据权利要求1所述的存储器失效测试方法，其特征在于，所述第二存储数据包括：高低电压交替分布的拓扑结构数据。5.根据权利要求1所述的存储器失效测试方法，其特征在于，在所述多字线功能为全字线功能时，所述预设字线为所有字线；进行一次所述加速老化处理，所有字线均被激活后结束所述加速老化处理。6.根据权利要求1所述的存储器失效测试方法，其特征在于，在所述多字线功能为1/2字线功能时，所述预设字线为第一组1/2字线或第二组1/2字线；进行两次所述加速老化处理，所有字线均被激活后结束所述加速老化处理。7.根据权利要求1所述的存储器失效测试方法，其特征在于，在所述多字线功能为1/4字线功能时，所述预设字线为第一组1/4字线、第二组1/4字线、第三组1/4字线或第四组1/4字线；进行四次所述加速老化处理，所有字线均被激活后结束所述加速老化处理。8.根据权利要求1所述的存储器失效测试方法，其特征在于，在所述多字线功能为1/8字线功能时，所述预设字线为第一组1/8字线、第二组1/8字线、第三组1/8字线、第四组1/8字线、第五组1/8字线、第六组1/8字线、第七组1/8字线或第八组1/8字线；进行八次所述加速老化处理，所有字线均被激活后结束所述加速老化处理。9.根据权利要求1所述的存储器失效测试方法，其特征在于，在所述多字线功能为1/16字线功能时，所述预设字线为第一组1/16字线、第二组1/16字线、第三组1/16字线、第四组1/16字线、第五组1/16字线、第六组1/16字线、第七组1/16字线、第八组1/16字线、第九组1/16字线、第十组1/16字线、第十...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵哲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。