一种用于多晶硅制备的硅芯还原炉制造技术

本实用新型专利技术涉及多晶硅制备技术领域，尤其涉及一种用于多晶硅制备的硅芯还原炉。其包括炉体，炉体内壁的两端分别转动设置有转轴一和转轴二，转轴一和转轴二的一端均连接有圆盘，两个圆盘之间连接有连接轴，两个圆盘上均通过轴承转动连接有安装轴，安装轴设置有多个，多个安装轴呈圆周分布在圆盘上，多个安装轴的一端均连接有U形卡环。本实用新型专利技术在炉体内部设置有圆盘，两个圆盘之间通过安装轴和U形卡环的配合架设有待还原硅芯，在还原过程中，通过电机和减速组件配合，可通过转轴二驱动圆盘缓慢转动，圆盘转动过程中带动两个圆盘之间的硅芯变换位置，保证了同批次硅芯表面沉积硅厚度的均匀性，提高了加工效果。提高了加工效果。提高了加工效果。

【技术实现步骤摘要】
一种用于多晶硅制备的硅芯还原炉


[0001]本技术涉及多晶硅制备
，尤其涉及一种用于多晶硅制备的硅芯还原炉。

技术介绍

[0002]多晶硅是微电子行业和光伏行业的基础材料，在多晶硅还原炉中，以通电自加热至温度为950
‑
1150℃的细硅芯为沉积载体，通入多晶硅还原炉的三氯氢硅与氢气在热硅芯表面发生氢还原反应，被还原的硅沉积在硅芯表面，随着氢还原反应的进行，硅芯的直径逐渐变大，直至达到规定的尺寸，最终以多晶硅棒的形式采出。
[0003]授权公告号为CN217808775U的中国专利公开了一种用于多晶硅制备的硅芯还原炉，在还原炉炉体的顶壁上贯穿设置有多个通气管，通气管的下端且位于还原炉炉体内连接有布气管，布气管水平设置，通气管的端部与布气管的中部相连通，布气管上均匀连接有出气管，通入还原炉炉体内的气体主要通过通气管、布气管和出气管均匀排出至还原炉炉体中，布气管水平设置使得排出气体充满还原炉炉体内，使硅更加均匀的沉积在硅芯表面。
[0004]但是上述提到的还原炉仍具备一些缺陷，在整个还原过程中，硅芯的位置是固定的，每个硅芯与通气管的距离远近不同，导致炉体内同一批次的硅芯其表面沉积硅的厚度仍存在差别，降低了整体的加工质量。

技术实现思路

[0005]针对
技术介绍
中存在的问题，提出一种用于多晶硅制备的硅芯还原炉。在炉体内部设置有圆盘，两个圆盘之间通过安装轴和U形卡环的配合架设有待还原硅芯，在还原过程中，通过电机和减速组件配合，可通过转轴二驱动圆盘缓慢转动，圆盘转动过程中带动两个圆盘之间的硅芯变换位置，保证了同批次硅芯表面沉积硅厚度的均匀性，提高了加工效果。
[0006]本技术提出一种用于多晶硅制备的硅芯还原炉，包括炉体，炉体内壁的两端分别转动设置有转轴一和转轴二，转轴一和转轴二的一端均连接有圆盘，两个圆盘之间连接有连接轴，两个圆盘上均通过轴承转动连接有安装轴，安装轴设置有多个，多个安装轴呈圆周分布在圆盘上，多个安装轴的一端均连接有U形卡环，每两个对应U形卡环之间设置有硅芯，炉体的一端连接有防护罩，防护罩上安装有电机，电机的输出端穿过防护罩连接有减速组件，电机通过减速组件驱动转轴二转动。
[0007]优选的，减速组件包括主齿轮和从齿轮，主齿轮和从齿轮均位于防护罩内，主齿轮与电机主轴连接，主齿轮的一侧啮合连接有从齿轮，从齿轮与转轴二的一端连接。
[0008]优选的，主齿轮的直径小于从齿轮的直径。
[0009]优选的，炉体内侧的顶部连接有排气管，排气管的底部连通有多个均匀分布的喷头，排气管的顶部连通有充气管，充气管穿过炉体与外接气泵相连。
[0010]优选的，炉体的正面铰接有物料进出门，物料进出门上连接有把手。
[0011]优选的，物料进出门的表面喷涂有隔热漆层。
[0012]优选的，炉体底部的四个边角均连接有支腿，四个支腿的底端均连接有地垫。
[0013]与现有技术相比，本技术具有如下有益的技术效果：在炉体内部通过转轴一和转轴二设置有圆盘，两个圆盘之间通过安装轴和U形卡环的配合架设有待还原硅芯，在还原过程中，通过电机和减速组件配合，可通过转轴二驱动圆盘缓慢转动，圆盘转动过程中带动两个圆盘之间的硅芯变换位置，使得整个还原过程，同批次的硅芯与通气管的总距离是较为统一的，保证了不同位置的硅芯表面沉积硅厚度的均匀性，提高了整体的加工效果和加工质量。
附图说明
[0014]图1为本技术一种用于多晶硅制备的硅芯还原炉结构示意图；
[0015]图2为图1的的立体结构示意图；
[0016]图3为图1的减速组件结构示意图。
[0017]附图标记：1、炉体；2、转轴一；3、转轴二；4、圆盘；5、连接轴；6、安装轴；7、U形卡环；8、防护罩；9、电机；10、主齿轮；11、从齿轮；12、排气管；13、喷头；14、充气管；15、物料进出门；16、把手；17、支腿；18、地垫；19、隔热漆层。
具体实施方式
[0018]实施例一
[0019]如图1
‑
3所示，本技术提出的一种用于多晶硅制备的硅芯还原炉，包括炉体1，炉体1内壁的两端分别转动设置有转轴一2和转轴二3，转轴一2和转轴二3的一端均连接有圆盘4，两个圆盘4之间连接有连接轴5，两个圆盘4上均通过轴承转动连接有安装轴6，安装轴6设置有多个，多个安装轴6呈圆周分布在圆盘4上，多个安装轴6的一端均连接有U形卡环7，每两个对应U形卡环7之间设置有硅芯，炉体1的一端连接有防护罩8，防护罩8上安装有电机9，电机9的输出端穿过防护罩8连接有减速组件，电机9通过减速组件驱动转轴二3转动。
[0020]进一步的，炉体1内侧的顶部连接有排气管12，排气管12的底部连通有多个均匀分布的喷头13，排气管12的顶部连通有充气管14，充气管14穿过炉体1与外接气泵相连，通过充气管14往内部导入氢气，导入过程中，氢气与硅芯反应，在其表面进行硅沉积。
[0021]进一步的，炉体1的正面铰接有物料进出门15，物料进出门15的表面喷涂有隔热漆层19，物料进出门15上连接有把手16，通过打开物料进出门15可方便对物料进行取放。
[0022]进一步的，炉体1底部的四个边角均连接有支腿17，四个支腿17的底端均连接有地垫18，通过支腿17对炉体1进行支撑，利用地垫18对支腿17与地面的接触面进行防护。
[0023]本技术的工作原理如下：使用时，打开物料进出门15，将多个待还原硅芯一一架设在对应两个U形卡环7上，架设过程中，可手动拨动圆盘4，将内侧的U形卡环7转至靠近工作人员一侧，方便取放硅芯，当硅芯全部上料完成后，通过把手16关闭物料进出门15，将充气管14与外接氢气箱的气泵相连，通过充气管14往内部导入氢气，导入过程中，氢气与硅芯反应，在其表面进行硅沉积，在还原过程中，启动电机9，电机9通过减速组件带动转轴二3转动，转轴二3带动圆盘4转动，圆盘4转动过程中，带动不同位置的硅芯变换位置，在安装轴6的作用下，硅芯始终保持稳定的水平放置状态，整体有效保证了不同位置的硅芯表面沉积硅厚度的均匀性，提高了加工效果和加工质量。
[0024]实施例二
[0025]如图3所示，本技术提出的一种用于多晶硅制备的硅芯还原炉，在上述实施例的基础上，本实施例还包括，减速组件包括主齿轮10和从齿轮11，主齿轮10和从齿轮11均位于防护罩8内，主齿轮10与电机9主轴连接，主齿轮10的一侧啮合连接有从齿轮11，从齿轮11与转轴二3的一端连接，主齿轮10的直径小于从齿轮11的直径。
[0026]本实施例中，使用时，启动电机9，电机9带动主齿轮10转动，主齿轮10转动过程中其外侧的齿与从齿轮11外侧的齿啮合，啮合力作用于从齿轮11上，使得从齿轮11带动转轴二3转动，驱动过程中，由于主齿轮10的直径小于从齿轮11的直径，故传动比减小，保证了圆盘4转动速度的稳定性，起到了对电机9的驱动力进行减速的作用。
[0027]上面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅制备的硅芯还原炉，其特征在于，包括炉体(1)，炉体(1)内壁的两端分别转动设置有转轴一(2)和转轴二(3)，转轴一(2)和转轴二(3)的一端均连接有圆盘(4)，两个圆盘(4)之间连接有连接轴(5)，两个圆盘(4)上均通过轴承转动连接有安装轴(6)，安装轴(6)设置有多个，多个安装轴(6)呈圆周分布在圆盘(4)上，多个安装轴(6)的一端均连接有U形卡环(7)，每两个对应U形卡环(7)之间设置有硅芯，炉体(1)的一端连接有防护罩(8)，防护罩(8)上安装有电机(9)，电机(9)的输出端穿过防护罩(8)连接有减速组件，电机(9)通过减速组件驱动转轴二(3)转动。2.根据权利要求1所述的一种用于多晶硅制备的硅芯还原炉，其特征在于，减速组件包括主齿轮(10)和从齿轮(11)，主齿轮(10)和从齿轮(11)均位于防护罩(8)内，主齿轮(10)与电机(9)主轴连接，主齿轮(10)的一侧啮合连接有从齿轮(11)，从齿轮(...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗钰，唐东，唐子程，唐孟明，
申请(专利权)人：四川长矶复合材料有限公司，
类型：新型
国别省市：