一种二极管封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种二极管封装结构，包括一硅二极管芯片，具备一对P型半导体结和N型半导体结，P型半导体结和N型半导体结均为柱状结构，二者接触端呈面接触；一正极引脚，采用无氧铜材料制成，与P型半导体结上端连接；一负极引脚，采用无氧铜材料制成，与N型半导体结下端连接；一绝缘保护层，采用SiO2材料制成，密封铺设在该硅二极管芯片的上端；一固态散热薄膜层，涂布于该硅二极管芯片的外围。本实用新型专利技术结构合理，摒弃了传统的二氧化硅封装壳体结构，并采用固态散热薄膜层直接对芯片进行封装，提高了整体的散热性能，在使用过程中能够保持良好的热稳定性。保持良好的热稳定性。保持良好的热稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种二极管封装结构


[0001]本技术涉及二极管
，特别涉及一种二极管封装结构。

技术介绍

[0002]通常情况下，二极管会在高温环境下使用。由于高温工作环境或者通过高电流产生大量热量，传统二极管容易因为散热不佳，造成热量累积而无法有效散出，导致二极管效能降低，甚至因为高温导致二极管被烧毁，大大缩短二极管的使用寿命。
[0003]为解决上述存在的问题，部分二极管封装时在二极管的一侧设置碳化硅散热片，使用二极管时可以通过散热片把部分热量散发出去。但是，碳化硅散热片的封装技术，由于散热片的有效散热面积及碳化硅本身散热能力有限，因而限制了二极管的散热性能。

技术实现思路

[0004]针对
技术介绍
中提到的技术问题，本技术提供了一种散热性能更好的二极管封装结构。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了一种二极管封装结构，包括：一硅二极管芯片，具备一对P型半导体结和N型半导体结，所述P型半导体结和N型半导体结均为柱状结构，二者接触端呈面接触；一正极引脚，采用无氧铜材料制成，与P型半导体结上端连接；一负极引脚，采用无氧铜材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二极管封装结构，其特征在于，包括：一硅二极管芯片，具备一对P型半导体结和N型半导体结，所述P型半导体结和N型半导体结均为柱状结构，二者接触端呈面接触；一正极引脚，采用无氧铜材料制成，与P型半导体结上端连接；一负极引脚，采用无氧铜材料制成，与N型半导体结下端连接；一绝缘保护层，采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈敬沧，
申请(专利权)人：上海百功微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：