一种半导体封装结构及其制造方法技术

本申请公开了一种半导体封装结构及其制造方法，结构包括：基底，基底上设有元器件，元器件远离基底的一侧设有上端子；第一互连结构，第一互连结构设于元器件远离基底的一侧，并与上端子互连；封装体，用于将元器件和基底封装为一体；其中，第一互连结构嵌入封装体，且第一互连结构远离基底的一侧的至少部分露出于封装体。本申请提供的封装结构能够保护内部元器件，且设置了与元器件上端子互连的第一互连结构，利用第一互连结构直接作为引脚，与元器件上端子连接，导电距离短，性能更好，电阻更小，其远离基底的一侧的至少部分暴露出来，能够实现元器件之间的互连或连接印刷电路板，提高了整体封装体的性能，实现高密度元器件集成方案简单化。方案简单化。方案简单化。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装结构及其制造方法


[0001]本申请涉及半导体封装
，尤其是一种半导体封装结构及其制造过程。

技术介绍

[0002]半导体封装结构主要用于保护内部的半导体元器件，避免遭受外部物品磕碰，也可以避免灰尘或液体等物侵入元器件内部而损害元器件的正常功能。随着印刷电路板(Printed Circuit board，以下简称PCB)上的电子元器件的密度越来越高，需要在同样甚至更小的空间内设置更多的电子元器件。
[0003]现有技术需要考虑如何将多个不同种类得高密度元器件集成封装在一起，实现元器件引线的引出与互连，获得功能强大的模组。

技术实现思路

[0004]技术目的：本申请旨在提供了一种半导体封装结构及其制造方法，其导电距离较短，电阻更小，提高半导体性能。
[0005]为实现上述技术目的，本申请采用以下技术方案。
[0006]第一方面，本申请提供了一种半导体封装结构，包括：基底；元器件，所述元器件设于所述基底上，所述元器件远离所述基底的一侧设有上端子；第一互连结构，所述第一互连结构设于所述元器件远离所述基底的一侧，所述第一互连结构与所述上端子互连；封装体，用于将所述元器件和所述基底封装为一体；其中，所述第一互连结构嵌入所述封装体，且所述第一互连结构远离所述基底的一侧的至少部分露出于所述封装体。
[0007]第二方面，本申请提供了一种半导体封装结构的制作过程，包括：提供一基底；在所述基底上设置元器件，所述元器件远离所述基底的一侧设有上端子；对所述元器件和所述基底封装形成封装体；在所述封装体中形成第一通孔，以暴露出所述上端子；在所述第一通孔中形成第一互连结构，将所述第一互连结构与所述上端子互连，且从封装体暴露出所述第一互连结构远离所述基底的一侧的至少部分。
[0008]与现有技术相比，本申请的有益技术效果：本申请提供的半导体封装结构及其制造方法，包括了基底、元器件和第一互连结构，元器件和基底被封装为一体，能够保护内部元器件，且设置了与元器件上端子互连的第一互连结构，这种互连方式利用第一互连结构直接作为引脚，与元器件上端子连接，导电距离短，性能更好，电阻更小，其远离所述基底的一侧至少部分从封装体暴露出来，能够实现
元器件之间的互连或连接印刷电路板，避免了连线方式不可靠，提高了整体封装体的性能，能够实现高密度元器件集成方案简单化。
附图说明
[0009]在此描述的附图仅用于解释目的，而不意图以任何方式来限制本申请公开的范围。另外，图中的各部件的形状和比例尺寸等仅为示意性的，用于帮助对本申请的理解，并不是具体限定本申请各部件的形状和比例尺寸。本领域的技术人员在本申请的教导下，可以根据具体情况选择各种可能的形状和比例尺寸来实施本申请。
[0010]图1是本申请实施方式一提供的一种半导体封装结构示意图；图2是本申请实施方式二提供基底的结构示意图；图3是本申请实施方式二在基底上设置元器件后的结构示意图；图4是本申请实施方式二将元器件和基底封装为一体后的结构示意图；图5是本申请实施方式二在封装体中形成第一通孔后的结构示意图；图6是本申请实施方式二在第一通孔中形成第一互连结构后的结构示意图；图7是本申请实施方式二在第一互连结构远离基底的一侧形成阻焊层后的结构示意图；图8是本申请实施方式三在封装体中形成第二通孔后的结构示意图；图9是本申请实施方式三在第二通孔中形成第二互连结构后的结构示意图；图10是本申请实施方式三在第一互连结构和第二互连结构远离基底的一侧形成阻焊层；图11是本申请实施方式四提供的一种半导体封装结构示意图；图12是本申请实施方式二提供的半导体封装结构的制作方法流程图；图13是本申请实施方式三提供的半导体封装结构的制作方法流程图；图14是本申请一实施方式提供的半导体封装结构中基底的结构示意图；附图标记：1
‑
基底、2
‑
围挡、3
‑
元器件、4
‑
上端子、5
‑
粘合剂、6
‑
封装体、7
‑
第一通孔、8
‑
第一互连结构、9
‑
阻焊层、10
‑
第二通孔、11
‑
下端子、12
‑
焊盘、13
‑
延伸部、14
‑
第二互连结构、101
‑
框架、102
‑
凹槽、103
‑
连杆。
具体实施方式
[0011]为了使本
的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
[0012]此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。在本专利技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0013]本申请的一种半导体封装结构，包括：基底1；元器件3，元器件3设于基底1上，元器件3远离基底1的一侧设有上端子4；第一互连结构8，第一互连结构8设于元器件3远离基底1的一侧，第一互连结构8与上端子4互连；封装体6，用于将元器件3和基底1封装为一体；第一互连结构8嵌入封装体6，且第一互连结构8远离基底1的一侧的至少部分从封装体6暴露出来。通过设置了与元器件上端子互连的第一互连结构，利用第一互连结构直接作为引脚，与元器件上端子连接，导电距离短，性能更好，电阻更小，其远离基底的一侧至少部分从封装体暴露出来，能够实现元器件之间的互连或连接印刷电路板，避免了连线方式不可靠，提高了整体封装结构的性能，能够实现高密度元器件集成方案简单化。
[0014]在一些实施例中，一种半导体封装结构还包括围挡2，围挡2和基底1之间设有收容空间，元器件3收容于收容空间，通过围挡2防止焊料外溢并增加封装的刚性。
[0015]在一些实施例中，基底1为金属材质，通过利用金属材质的基底1，增强了整体封装结构的散热功能，使该封装结构更适用于大功率器件。
[0016]在一些实施例中，元器件3靠近基底1的一侧设有下端子11；基底1为金属材质的基底1，下端子11与基底1电连接；基底1上还设有第二互连结构14，且第二互连结构14与基底1电连接；第二互连结构14嵌入封装体6，且第二互连结构14远离基底1的一侧的至少部分露出于封装体6。
[0017]通过采用金属材质的基底1，基底1与元器件3的下端子11电连接，并将第二互连结构14与基底1电连接，实现引出元器件3引线的同时，整个封装结构的制作方法流程简单，有较大的散热面积，进一步增强封装结构的散热特性并提高强度，使加工过程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基底（1）；元器件（3），所述元器件（3）设于所述基底（1）上，所述元器件（3）远离所述基底（1）的一侧设有上端子（4）；第一互连结构（8），所述第一互连结构（8）设于所述元器件（3）远离所述基底（1）的一侧，所述第一互连结构（8）与所述上端子（4）互连；封装体（6），用于将所述元器件（3）和所述基底（1）封装为一体；其中，所述第一互连结构（8）嵌入所述封装体（6），且所述第一互连结构（8）远离所述基底（1）的一侧的至少部分露出于所述封装体（6）。2.根据权利要求1所述的一种半导体封装结构，其特征在于，所述元器件（3）远离所述基底（1）的一侧设有多个上端子（4），所述第一互连结构（8）包括多个第一互连部，各所述第一互连部对应互连一个所述上端子（4）。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基底（1）为金属材质。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基底（1）上还设有围挡（2），所述围挡（2）和所述基底（1）之间设有收容空间，所述元器件（3）收容于所述收容空间。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括焊盘（12），所述焊盘（12）设于所述第一互连结构（8）远离所述基底（1）的一侧，且所述焊盘（12）与所述第一互连结构（8）互连。6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述焊盘（12）在水平方向的尺寸大于所述第一互连结构（8）远离所述基底（1）的一侧露出于所述封装体（6）的部分在水平方向的尺寸。7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括延伸部（13），所述延伸部（13）与第一互连结构（8）连接，且所述延伸部（13）远离所述基底（1）的一侧与所述第一互连结构（8）远离所述基底（1）的一侧齐平。8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述元器件（3）靠近所述基底（1）的一侧设有下端子（11）；所述基底（1）为金属材质，所述下端子（11）与所述基底（1）电连接；所述基底（1）上还设有第二互连结构（14），且所述第二互连结构（14）与所述基底（1）电连接；所述第二互连结构（14）嵌入所述封装体（6），且所述第二互连结构（14）...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚玉平，辜顺舟，王立，
申请(专利权)人：上海纳矽微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：