一种芯片封装管壳制造技术

本实用新型专利技术提供一种芯片封装管壳，主要由焊盘层、芯片支撑层、芯片放置层、围框及盖板依次堆叠组成；其中，所述芯片放置层上预埋有微带线，所述芯片支撑层的到地平面上设有半封闭式结构，所述半封闭式结构内预埋有金属通孔，所述金属通孔一端连接焊盘上的射频管脚，另一端与所述微带线连接。该封装管壳能够实现与芯片之间的阻抗匹配。片之间的阻抗匹配。片之间的阻抗匹配。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装管壳


[0001]本技术涉及一种芯片封装管壳，属于芯片封装设计


技术介绍

[0002]随着通信行业与芯片行业的发展，在对气密性、高可靠性、更灵活的布局方式以及低损耗的追求愈演愈烈的当下，传统的封装工艺渐渐难以满足市场的需求，尤其到了Ka及以上的频段，传统封装工艺的实现形式更难，损耗往往更大。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术提供一种芯片封装管壳，该管壳能够实现与芯片之间的阻抗匹配。
[0004]实现本技术的技术方案如下：
[0005]一种芯片封装管壳，主要由焊盘层、芯片支撑层、芯片放置层、围框及盖板依次堆叠组成；其中，所述芯片放置层上预埋有微带线，所述芯片支撑层的到地平面上设有半封闭式结构，所述半封闭式结构内预埋有金属通孔，所述金属通孔一端连接焊盘上的射频管脚，另一端与所述微带线连接。
[0006]进一步地，本技术芯片支撑层包括至少两层介质板，至少两层介质板上的半封闭式结构相同且同轴。
[0007]进一步地，本技术所述芯片支撑层内设有金属引线，金属引线以各自所在的管脚为起点，延90
°
延伸到接近各自功能管脚的芯片支撑层C05处的焊盘处，再经过一个90
°
转折到各自功能管脚的C05处的焊盘底部，最后通过金属过孔与各自功能管脚的C05处的焊盘相连。
[0008]进一步地，本技术所述芯片放置层上预埋的微带线为斜线，且靠近芯片连接端微带线变成了宽度变宽的正直线。
[0009]进一步地，本技术芯片放置层上设有两个用于放置芯片的空腔，所述两个空腔之间设有到地平面以及金属通孔。
[0010]进一步地，本技术所述芯片放置层两层，其中上层用于放置芯片，下层用于放置散热片。
[0011]进一步地，本技术所述围框为外形为矩形，且矩形四个角为倒圆角。
[0012]进一步地，本技术所述围框有两层两层厚度为0.08
‑
0.12mm的生瓷堆叠而成，壁厚0.1
‑
2mm。
[0013]进一步地，本技术所述散热片为钼铜片，所述芯片支撑层、芯片放置层、围框及盖板的材质为陶瓷。
[0014]进一步地，本技术所述芯片支撑层、芯片放置层、围框采用LTCC工艺拼接。
[0015]有益效果
[0016]第一，本技术芯片支撑层的到地平面上设有半封闭式结构，与其内预埋的金
属通孔构成非封闭的类同轴结构与底部射频端口相连，能够实现与芯片之间的阻抗匹配。
[0017]第二，微带线的形状为斜直线，然后突变到一个宽度更宽的正直线，这是通过基于阻抗变换原理所算得的宽度，能够减少射频管脚的回波损耗，实现更好的阻抗匹配效果
[0018]第三，本实施例采用对称结构设计，芯片放置层中间预留两个空腔，可以同时放置两颗芯片，实现双通道同时工作。空腔之间有接地平面以及到地金属通孔相隔开，能够提供较高的隔离度，确保内部两颗芯片不会互耦自激。
[0019]第四，本技术具有可靠性高、形式灵活、低损耗且能够满足芯片气密性封装的要求。
[0020]第五，本技术围框的外形为矩形，且矩形四个角为倒圆角，能够满足很好的密封性。
[0021]第六，本技术将钼铜作为散热片，芯片通过导电胶固定在钼铜上面，由于钼铜具有良好的散热特性，能够满足功率放大器或低噪声放大器的散热要求。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0023]图1为芯片放置层C05的俯视图；
[0024]图2为焊盘层C00的俯视图；
[0025]图3为芯片支撑层C01的俯视图；
[0026]图4为芯片支撑层C02的俯视图；
[0027]图5为芯片支撑层C03的俯视图；
[0028]图6为封装管壳结构的示意图；
[0029]其中，1
‑
芯片放置腔，2
‑
射频信号微带线，21
‑
第一微带线对，22
‑
第二微带线对，3
‑
陶瓷围框，4
‑
到地平面，5
‑
功能信号线，6
‑
生瓷，7
‑
半封闭式类同轴结构，8
‑
射频管脚，9
‑
功能管脚，10
‑
到地焊盘，11
‑
功能引线,12
‑
钼铜，13
‑
芯片，14
‑
陶瓷盖板。
具体实施方式
[0030]下面结合附图和附图标记，对本技术的形状、构造进行详细描述。
[0031]需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合；并且，基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0032]需要说明的是，下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见，本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中，且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本公开，所属领域的技术人员应了解，本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施，且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说，可使用本文中所阐述的任何数目个方面来实施设备及/或实践方法。另外，可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或
实践此方法。
[0033]如图1
‑
5所示，本实施例提供一种芯片封装管壳，主要由焊盘层、芯片支撑层、芯片放置层、围框及盖板依次堆叠组成；其中，所述芯片放置层上预埋有微带线，所述芯片支撑层的到地平面上设有半封闭式结构，所述半封闭式结构内预埋有金属通孔，所述金属通孔一端连接焊盘上的射频管脚，另一端与所述微带线连接。
[0034]本实施例芯片支撑层的到地平面采用半封闭式结构，将连接射频管脚与微带线的金属通孔预埋在所述半封闭式结构内，由于该半封闭式结构与金属通孔共同组成了类同轴结构；该结构最大程度上保证了电路板与芯片的阻抗匹配，降低了回波损耗，减少了辐射损耗，从而降低了插入损耗。这可以保证射频前端的性能，低的插入损耗能够提高系统灵敏度，并且提高EIRP。
[0035]在具体实施时，所采用的非封闭式结构的形式可以为矩形与扇形的组合，也可以是其他的形状，例如梯形、三角形或椭圆等非封闭结构。
[0036]如图3
‑
5所示，本申请又一实施例，本技术芯片支撑层包括至少两层介质板，至少两层介质板上的半封闭式结构相同且本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装管壳，主要由焊盘层、芯片支撑层、芯片放置层、围框及盖板依次堆叠组成；其特征在于，所述芯片放置层上预埋有微带线，所述芯片支撑层的到地平面上设有半封闭式结构，所述半封闭式结构内预埋有金属通孔，所述金属通孔一端连接焊盘上的射频管脚，另一端与所述微带线连接。2.根据权利要求1所述芯片封装管壳，其特征在于，所述芯片支撑层包括至少两层介质板，至少两层介质板上的半封闭式结构相同且同轴。3.根据权利要求1所述芯片封装管壳，其特征在于，所述芯片支撑层内设有金属引线，金属引线以各自所在的管脚为起点，延90
°
延伸到接近各自功能管脚的芯片支撑层处的焊盘处，再经过一个90
°
转折到各自功能管脚的处的焊盘底部，最后通过金属过孔与各自功能管脚的处的焊盘相连。4.根据权利要求1所述芯片封装管壳，其特征在于，所述芯片放置层上预埋的微带线为斜线，且靠近芯片连接端微带线变...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄勇，王啸，王旭昌，李柱明，
申请(专利权)人：苏州市博海元件电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：